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公开(公告)号：CN101246942B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810052484.9
申请日：2008-03-21
申请人： 南开大学
摘要： 一种发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器，方法是将发光二极管和激光器直接外延生长在单晶硅薄膜石英衬底上或外延生长在沉积有缓冲层的单晶硅薄膜石英衬底上。半导体发光二极管结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LED的N层；位于LED的N层上的LED发光层；位于LED的发光层上的LED的P层；形成在P层上的LED顶部电极。半导体激光器结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LD的N层；位于LD的N层之上的LD的有源层；位于LD的有源层之上的LD的P层；形成在LD的P层之上的LD的顶部电极。本发明可实现LED和LD器件的底发光，可提高LED和LD的发光效率。
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公开(公告)号：CN101246942A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810052484.9
申请日：2008-03-21
申请人： 南开大学
摘要： 一种发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器，方法是将发光二极管和激光器直接外延生长在单晶硅薄膜石英衬底上或外延生长在沉积有缓冲层的单晶硅薄膜石英衬底上。半导体发光二极管结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LED的N层；位于LED的N层上的LED发光层；位于LED的发光层上的LED的P层；形成在P层上的LED顶部电极。半导体激光器结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LD的N层；位于LD的N层之上的LD的有源层；位于LD的有源层之上的LD的P层；形成在LD的P层之上的LD的顶部电极。本发明可实现LED和LD器件的底发光，可提高LED和LD的发光效率。
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公开(公告)号：CN1725090A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510014464.9
申请日：2005-07-12
申请人： 南开大学
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L21/027
摘要： 本发明涉及一种在大面积玻璃衬底上制备大面积全集成型多晶硅TFT有源基板和多个小面积有源基板的技术。通过双边垂直设置驱动电路的方法，采用电路外延交叉点为有源岛形成的对准基点设计方法，与电路长边等长的连续诱导口和ITO掩盖层，来实现MILC多晶硅TFT的电路与MIC多晶硅TFT的矩阵的有机集成，从而避开由于在晶化过程中玻璃衬底收缩所造成的后道加工掩膜板对准错位的问题。采用该项技术，可制备出高质量的多晶硅TFT电路的全集成系统。该项技术为用于大面积衬底流片的工业化生产技术。
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公开(公告)号：CN1204628C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN03105078.6
申请日：2003-03-06
申请人： 南开大学
摘要： 本发明涉及一种有源选址前置彩色膜有机白光二极管彩色显示器及制备方法，它包括多晶硅薄膜晶体管、高温彩色膜、彩色膜上沉积的低温透明导电薄膜与有机白光薄膜二极管构成。该彩色显示器的制备不需要精密蒸发掩膜和上盖板与下基板的精密对位，使用高效的常规结构的有机白光二极管就可获得较高密度的彩色显示屏，从而降低了制造成本，增加了产率和质量。是彩显手机、掌上电脑屏及其它显示器的优选器件。
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公开(公告)号：CN1190765C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN03105079.4
申请日：2003-03-06
申请人： 南开大学
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 本发明是一种可应用于有机发光二极管(OLED)显示屏的电流分场显示驱动电路。它包括受子场变换信号控制的参考电流单元电路部分，电流输入电路部分和能产生多路相等电流输出的电流输出电路部分。通过将显示周期分为n个时间相等的子场，每个子场输出给OLED显示屏的电流分别为1，2，4，…，2n-1倍单位电流，利用OLED发光与电流的线性关系，实现总共达2n个灰度级的显示。本发明不需要附加电路就能达到精确而且较高的灰度级表示。本发明的电流分场显示驱动电路可以应用到信息显示领域中的各种形式和规模的无源或有源矩阵OLED显示器中，适应于产业化应用。
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公开(公告)号：CN101183512A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710060377.6
申请日：2007-12-19
申请人： 南开大学
IPC分类号： G09G3/36
摘要： 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的LCD列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有3m个TFT开关自左向右构成n组，同一像素的三个子像素所连的TFT在同一组，将每组含有的3m/n个TFT的栅极相连，对外有n条控制线与控制电路相连；控制电路部分有译码器、模拟多路选通器、模拟灰度级电压产生电路、电压反转电路、电位选择器。本发明的控制电路通过电位选择器在多个灰度级电压中进行选择，将适当的电压传输到显示屏基板，集成在数据线上的开关依次打开，模拟多路选通器依次将数据写入像素电容，从而完成逐点写入的过程，将前级传输过来的数据写入LCD像素单元，从而取代了数据驱动芯片的功能，为分辨率不高的LCD显示屏提供了一种更为经济实用的数据驱动方式，节约了成本。
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公开(公告)号：CN101183509A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710060376.1
申请日：2007-12-19
申请人： 南开大学
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的OLED列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有：由3m个TFT开关自左向右构成n组，且每组含有3m/n个TFT，对外共引出n条控制线；有3m/n根对外数据线。控制电路有：依次相连的译码器、模拟多路选通器、电位选择器，为模拟二选一选择器，共三个，分别通过模拟多路选通器向三个子象素中输入电平信号。本发明通过上述部分的协调工作，使集成在数据线上的开关依次打开，模拟多路选通器依次将数据写入像素电容，从而完成逐点写入的过程。通过显示屏周边集成电路以及控制电路协调工作，将前级传输过来的数据写入OLED像素单元，从而取代了数据驱动芯片的功能，为分辨率不高的OLED显示屏提供了一种更为经济实用的驱动方式，节约了成本。
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公开(公告)号：CN100999388A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610130711.6
申请日：2006-12-30
申请人： 南开大学
IPC分类号： C03C17/22 , C04B41/51 , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C14/14 , C23C14/58 , C30B29/06 , C30B28/00 , C08J7/06
摘要： 一种通过表面修饰溶液法金属诱导晶化制备大晶粒多晶硅薄膜材料的方法。以非晶硅薄膜为初始材料，在非晶硅或其上的二氧化硅的表面旋涂、气熏或喷淋一层亲合剂进行表面修饰，再旋涂、气熏或喷淋一层含有能起诱导晶化作用的金属离子的溶液；然后在400℃－600℃下退火，即可获得晶粒尺寸在10微米量级上的大晶粒多晶硅薄膜。通过表面修饰，可增强非晶硅或自然氧化层和溶液的“亲和力”。通过调整溶液浓度、甩胶机转速、气熏时间或喷淋剂量、退火温度等，可以控制晶粒的大小。此方法可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、太阳电池、或半导体集成电路、或微机械系统(MEMS)中器件的有源层或多晶硅栅。
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公开(公告)号：CN1773676A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510015747.5
申请日：2005-10-28
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 本发明涉及浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用。它是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径50～100微米；厚度30nm－500nm。采用有机碱进行pH值调节的低浓度镍盐溶液为浸沾溶液，非晶硅薄膜表面浸沾在该溶液中，控制无电电镀镍的量。水洗去掉多余的沉淀物。在氮气的保护下，550－590℃下退火。本发明具有良好的晶体结构和高迁移率，成本低廉，适合制备平板显示器基板和面阵传感器中的多晶硅TFT。适合于大面积衬底大批量生产高质量多晶硅薄膜，是具有重要产业应用价值的技术。
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公开(公告)号：CN101894744B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010197397.X
申请日：2010-06-11
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/312
摘要： 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在玻璃衬底正面上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积晶化前驱物；在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层；用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面，晶化完成后形成多晶硅表面；在多晶硅表面旋涂一层光刻胶；通过湿法刻蚀的方法，用Freckle试剂去除衬底背面的非晶硅保温层；将样品浸入去胶剂去掉多晶硅表面的光刻胶即可。本发明的优点是：可有效提高激光晶化多晶硅的性能，且工艺简单、工艺窗口宽、易于实施，不会对形成的多晶硅造成任何影响；所制得的多晶硅薄膜可广泛应用于制备多晶硅薄膜晶体管、显示器光电子器件、面阵敏感器、平板显示基板等，具有重要的实用价值。
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