公开(公告)号：CN114203805A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111336491.3

申请日：2021-11-12

申请人： 南昌大学

发明人： 王立 ,  秦立云 ,  王启胜 ,  吴识腾 ,  王震东 ,  王剑宇

IPC分类号： H01L29/225 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H01S5/32 ,  H01S5/327 ,  C30B25/02 ,  C30B29/46 ,  C30B29/48

摘要： 本发明公开了一种二维/三维半导体异质结及其普适性制备方法，属于半导体异质结材料制备领域。本发明的半导体异质结例如MoS2/FeS,MoS2/CoS,MoS2/MnS,MoS2/ZnS,Mo(SxSe1‑x)2/ZnSxSe1‑x，Mo(SxSe1‑x)2/CdSxSe1‑x(x代表原子百分比)等。以下用TMDCs代表层状过渡金属硫属化合物MoS2和Mo(SxSe1‑x)2，用XN代表FeS、CoS、MnS、ZnS、ZnSxSe1‑x、CdSxSe1‑x。本发明提供的制备方法为化学气相沉积法，采用Si/SiO2作为衬底，所制备的异质结表面均匀，单晶性好，TMDCs厚度约2nm，XN的厚度为100至200nm。