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公开(公告)号：CN113299551B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110457710.7
申请日：2021-04-27
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L21/306 , B81C1/00
摘要： 本发明提供了一种调控半导体腐蚀区域的方法，属于纳米半导体材料技术领域；包括：将氢氟酸和金属盐溶液混合，得到沉积液；将氢氟酸和氧化剂混合，得到腐蚀液；将半导体衬底浸入沉积液中进行沉积；沉积后得到的衬底进行处理，使得衬底表面湿润状态不同；再进行腐蚀，得到纳米半导体材料。本发明通过调控沉积后衬底的表面浸润状态，使得腐蚀区域既可以与金属的覆盖区域完全吻合，也可以使腐蚀区域大于金属的覆盖区域，从而可以根据不同需要使得纳米半导体材料具有优异的光电、热电及电化学性能。实施例的结果显示，干燥处理后制备的纳米半导体材料的腐蚀区域与金属的覆盖区域完全吻合，纳米线阵列较为致密且均匀。
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公开(公告)号：CN114361275B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111558649.1
申请日：2021-12-17
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法，包括基底、半导体薄膜、两个电极，基底贴合在半导体薄膜下方，半导体薄膜上左右两端各有一电极，半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜，半导体薄膜形成光热电转化层。探测器受光激发，电子跃迁到光热电转化层导带边上方，具有过剩能量的热载流子在皮秒量级时间内通过电子‑电子相互作用产生热电子，电极两端形成较稳定的温度梯度，以纳秒尺度的时间量级在材料两端形成稳定的电场，从而实现材料无需外部供电的自驱动超快探测。相比于现有光热电探测器，本发明不仅简化了制备工艺，缩小了器件体积，降低了大规模集成的难度，还提高了量子效率，缩短了响应时间。
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公开(公告)号：CN114361275A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111558649.1
申请日：2021-12-17
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法，包括基底、半导体薄膜、两个电极，基底贴合在半导体薄膜下方，半导体薄膜上左右两端各有一电极，半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜，半导体薄膜形成光热电转化层。探测器受光激发，电子跃迁到光热电转化层导带边上方，具有过剩能量的热载流子在皮秒量级时间内通过电子‑电子相互作用产生热电子，电极两端形成较稳定的温度梯度，以纳秒尺度的时间量级在材料两端形成稳定的电场，从而实现材料无需外部供电的自驱动超快探测。相比于现有光热电探测器，本发明不仅简化了制备工艺，缩小了器件体积，降低了大规模集成的难度，还提高了量子效率，缩短了响应时间。
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公开(公告)号：CN113299551A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110457710.7
申请日：2021-04-27
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L21/306 , B81C1/00
摘要： 本发明提供了一种调控半导体腐蚀区域的方法，属于纳米半导体材料技术领域；包括：将氢氟酸和金属盐溶液混合，得到沉积液；将氢氟酸和氧化剂混合，得到腐蚀液；将半导体衬底浸入沉积液中进行沉积；沉积后得到的衬底进行处理，使得衬底表面湿润状态不同；再进行腐蚀，得到纳米半导体材料。本发明通过调控沉积后衬底的表面浸润状态，使得腐蚀区域既可以与金属的覆盖区域完全吻合，也可以使腐蚀区域大于金属的覆盖区域，从而可以根据不同需要使得纳米半导体材料具有优异的光电、热电及电化学性能。实施例的结果显示，干燥处理后制备的纳米半导体材料的腐蚀区域与金属的覆盖区域完全吻合，纳米线阵列较为致密且均匀。
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公开(公告)号：CN116773603A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310752721.7
申请日：2023-06-25
申请人： 南昌大学
摘要： 本发明涉及一种基于电学信号的味觉传感器、制备方法及其检测方法。味觉传感器器件结构由沉积在衬底上的一个金属/金属氧化物功能电极和三个Ag/AgCl电极构成，其中金属层和Ag电极通过蒸镀沉积在衬底上，并由电化学方法在上面形成金属氧化物功能层和AgCl层，味觉模拟和识别功能通过测量金属/金属氧化物功能电极和Ag/AgCl电极间电位以及另外两个Ag/AgCl电极间的电导和交流阻抗实现。本发明的味觉传感器具有制备流程简易、测量响应快、应用广泛等特点。
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公开(公告)号：CN114203805A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111336491.3
申请日：2021-11-12
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L29/225 , H01L29/24 , H01L21/02 , H01S5/32 , H01S5/327 , C30B25/02 , C30B29/46 , C30B29/48
摘要： 本发明公开了一种二维/三维半导体异质结及其普适性制备方法，属于半导体异质结材料制备领域。本发明的半导体异质结例如MoS2/FeS,MoS2/CoS,MoS2/MnS,MoS2/ZnS,Mo(SxSe1‑x)2/ZnSxSe1‑x，Mo(SxSe1‑x)2/CdSxSe1‑x(x代表原子百分比)等。以下用TMDCs代表层状过渡金属硫属化合物MoS2和Mo(SxSe1‑x)2，用XN代表FeS、CoS、MnS、ZnS、ZnSxSe1‑x、CdSxSe1‑x。本发明提供的制备方法为化学气相沉积法，采用Si/SiO2作为衬底，所制备的异质结表面均匀，单晶性好，TMDCs厚度约2nm，XN的厚度为100至200nm。
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公开(公告)号：CN114199929A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111358367.7
申请日：2021-11-16
申请人： 南昌大学
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明公开了一种虹吸式流体比热容测量方法，该测量方法所采用的装置包括用于容纳混合流体的混合容器、用于盛装待测流体的流体容器、对流体容器进行加热恒温的控温加热机构、雾化喷头、与雾化喷头进口连通的两组进管、各单元的测温元件以及温度显示器。本发明方法利用虹吸效应实现工作流体和待测流体快速、充分混合，测量出工作流体、待测流体和混合后流体的温度及待测流体和混合后流体的质量，根据热力学第一定律实现待测流体比热容的测定。该测量方法中虹吸的待测流体被高速工作流体冲击形成雾化，冷热流体热交换充分，具有装置结构简易，物理原理清晰，数据处理简单，响应时间快和误差小等优点，适用于流体比热容的精确测定。
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公开(公告)号：CN113279063A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110441818.7
申请日：2021-04-23
申请人： 南昌大学
摘要： 本发明公开了一种IV‑VI族红外半导体薄膜的制备方法，采用气相外延法进行制备，该方法以含IV‑VI族元素的化合物为反应源，反应源还可包含VI族单质材料，以与IV‑VI族红外半导体晶体晶格对称性匹配的晶体基片作为基底，以氩气为载气，VI族单质反应源温度为100‑500℃，IV‑VI族化合物反应源的温度范围为600‑1000℃，基底温度范围为300‑600℃，生长时间不少于6分钟。本发明还公开了上述方法制备的IV‑VI族红外半导体薄膜，包括PbS、PbSe、PbTe、Pb1‑xSnxS、Pb1‑xSnxSe、Pb1‑xSnxTe薄膜，其中x代表原子百分比，IV‑VI族红外半导体薄膜的基底为与该种IV‑VI族红外半导体晶体晶格对称性匹配的晶体基片。本发明制备方法成本低、简便易行且效率高，制备得到的IV‑VI族红外半导体薄膜结晶质量高，缺陷密度低，表面均匀。
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