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公开(公告)号：CN104641296B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201380048023.3
申请日：2013-08-30
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/702 , G02B5/0891 , G02B5/09 , G02B7/182 , G03F7/70066 , G03F7/70083 , G03F7/70233
Abstract: 具有分片总表面区的反射镜，其中分片形成非周期布置。
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公开(公告)号：CN104641296A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048023.3
申请日：2013-08-30
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/702 , G02B5/0891 , G02B5/09 , G02B7/182 , G03F7/70066 , G03F7/70083 , G03F7/70233
Abstract: 具有分片总表面区的反射镜，其中分片形成非周期布置。
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公开(公告)号：CN104718500B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201380054067.7
申请日：2013-10-22
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 一种产生用于投射光刻的投射曝光设备(1)的EUV照明光的可用输出光束(3)的EUV光源(2)。该光源(2)具有产生EUV原始输出光束的EUV产生装置(2c)。该EUV原始输出光束为圆形偏振。为了设定可用输出光束(3)的偏振，相对于偏振方向，偏振设定装置(32；39)对原始输出光束具有线性偏振效果。这导致提供改进的输出光束以用于分辨率最优照明的EUV光源。
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公开(公告)号：CN104011568B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201280064971.1
申请日：2012-11-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/7015 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/09 , G03F7/70075 , G03F7/702 , G03F7/70316 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20)，包含总反射表面(24)，该总反射表面具有第一EUV辐射反射区和至少一个第二EUV辐射反射区，其中所述EUV辐射反射区在结构上彼此定界开，所述第一区包含至少一个第一部分反射表面(22)，所述第一部分反射表面(22)在各个情况下由所述至少一个第二区沿着周边(31)围绕，所述至少一个第二EUV辐射反射区包含至少一个第二部分反射表面(23)，该第二部分反射表面以路径连接的方式实现且以连续方式实现。
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公开(公告)号：CN104011568A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280064971.1
申请日：2012-11-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/7015 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/09 , G03F7/70075 , G03F7/702 , G03F7/70316 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20)，包含总反射表面(24)，该总反射表面具有第一EUV辐射反射区和至少一个第二EUV辐射反射区，其中所述EUV辐射反射区在结构上彼此定界开，所述第一区包含至少一个第一部分反射表面(22)，所述第一部分反射表面(22)在各个情况下由所述至少一个第二区沿着周边(31)围绕，所述至少一个第二EUV辐射反射区包含至少一个第二部分反射表面(23)，该第二部分反射表面以路径连接的方式实现且以连续方式实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114556046A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080072360.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明涉及一种用于表征光学元件的表面形状的方法和装置。根据本发明的方法包括以下步骤：在干涉测量测试装置中，通过将由电磁辐射在衍射元件上的衍射生成的并且在光学元件处反射的测试波与未在光学元件处反射的参考波叠加，在光学元件上执行至少第一干涉图测量；在每种情况下，在一个校准反射镜上执行至少一个另外的干涉图测量以确定校准校正；并且基于在光学元件上执行的第一干涉图测量和所确定的校准校正来确定光学元件与目标形状的偏差。对至少一个校准反射镜执行至少两个干涉图测量，该至少两个干涉图测量在电磁辐射的偏振状态方面彼此不同。
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公开(公告)号：CN112166380A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201980031305.X
申请日：2019-05-07
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 用于转印光刻掩模(10)的原初结构部分(13)的光学系统。原初结构部分(13)具有大于4∶1的x/y纵横比，且在光刻掩模(10)上彼此相邻布置成行且通过不带有任何待成像结构的分离部分(14)而彼此分开。在将物场成像至像场的协助下，光学系统将原初结构部分(13)转印至基板(26)的图像部分(31)上，其中光刻掩模(10)的原初结构部分(13)的其中至少一个可布置在物场中，且基板(26)的图像部分(31)的其中至少一个可布置在像场中。原初结构部分(13)的每一个转印到单独的图像部分(31)。转印原初结构部分(13)于其上的图像部分(31)彼此相邻布置成行。在此光学系统中可采用的投射光学单元可具有这样的变形实施例，其针对两个相互垂直的场坐标具有不同的成像比例，其中一个成像比例针对其中一个场坐标缩小，且其中另一个成像比例针对另一个场坐标放大。这导致一光学系统，其中使用此光学系统的投射曝光设备的生产量增加。
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公开(公告)号：CN106575088A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580045261.8
申请日：2015-07-21
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 一种用于在光刻掩模(5)成像期间三维测量在像平面周围区域中的3D空间像的方法，光刻掩模布置在物平面(4)中，考虑在彼此垂直方向(x，y)中的可选成像比例比。为此，在成像光与光刻掩模(5)相互作用之后重构成像光(1)的电磁波前。包含一对应于成像比例比的作用变量。最后，输出通过包含该作用变量测量的3D空间像。这导致测量方法还可用于测量优化用于在投射曝光期间在变形投射光学单元的情况下使用的光刻掩模。
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公开(公告)号：CN112166380B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201980031305.X
申请日：2019-05-07
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 用于转印光刻掩模的原初结构部分的光学系统。原初结构部分具有大于4∶1的x/y纵横比，且在光刻掩模上彼此相邻布置成行且通过不带有任何待成像结构的分离部分而彼此分开。光学系统将原初结构部分转印至基板的图像部分上，其中光刻掩模的原初结构部分的其中至少一个可布置在物场中，且基板的图像部分的其中至少一个可布置在像场中。原初结构部分的每一个转印到单独的图像部分。图像部分彼此相邻布置成行。在此光学系统中可采用的投射光学单元可具有这样的变形实施例，其针对两个相互垂直的场坐标具有不同的成像比例，其中一个成像比例针对其中一个场坐标缩小，且其中另一个成像比例针对另一个场坐标放大。
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公开(公告)号：CN111505909A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010179331.1
申请日：2015-09-07
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种投射镜头(PO)，用于通过具有来自极紫外范围(EUV)的操作波长λ的电磁辐射将设置于投射镜头的物平面(OS)中的图案成像至投射镜头的像平面(IS)上，投射镜头包含多个反射镜(M1-M6)，其具有设置于该物平面与该像平面之间的投射射束路径中的反射镜表面，使得设置于物平面中的掩模(M)的图案可通过所述反射镜成像至像平面中。在平行于扫描方向行进的第一方向(y方向)上的第一成像比例的绝对值小于在垂直于该第一方向的第二方向(x方向)上的第二成像比例的绝对值。提供一种动态波前操纵系统，用于校正由掩模母版位移所造成的像散波前像差部分。
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