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公开(公告)号：CN102314096B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110264583.5
申请日：2007-02-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： O.伍尔夫 , H.西克曼 , E.卡尔切布莱纳 , S.雷南 , J.旺格勒 , A.布雷桑 , M.格哈德 , N.哈弗坎普 , A.舍尔茨 , R.沙恩韦伯尔 , M.莱 , S.布尔卡特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70958 , G03F7/70075 , Y10T83/0304 , Y10T83/04
Abstract: 一种制造用于微光刻投影曝光设备中的照射系统的长的微透镜阵列的方法，所述方法包括下述步骤：a)提供衬底(30)；b)提供包括切割刃(24)的切割工具(22)；c)在快速切割工艺中相对于所述衬底(30)重复移动所述切割工具(22)，从而使得所述切割刃能够切割入所述衬底(30)；d)在步骤c)中沿着平行于所述微透镜的纵向轴的纵向方向(X)移动所述衬底(30)；e)至少基本垂直于所述纵向方向(X)移动所述衬底(30)；f)重复所述步骤c)和d)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102799079B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210319088.4
申请日：2007-02-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B3/0056 , G02B27/0911 , G03F7/70058 , G03F7/70075 , G03F7/70083 , G03F7/70158
Abstract: 一种用于微光刻投影曝光设备的照射系统，包括光源（30）和光学积分器（56）。后者具有第一光学子元件（561X、561Y、562X、562Y）并且产生每个发射光束的多个二次光源（82）。聚光器使得所述光束在掩模面（70）中重叠。至少一个散射结构（58、60）包括设置在所述二次光源前面或者后面的多个单独设计的第二光学子元件。所述第一和第二光学子元件被配置使得由相同的辐照分布照射的光学子元件被隔开5mm以上。
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公开(公告)号：CN102799079A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210319088.4
申请日：2007-02-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B3/0056 , G02B27/0911 , G03F7/70058 , G03F7/70075 , G03F7/70083 , G03F7/70158
Abstract: 一种用于微光刻投影曝光设备的照射系统，包括光源（30）和光学积分器（56）。后者具有第一光学子元件（561X、561Y、562X、562Y）并且产生每个发射光束的多个二次光源（82）。聚光器使得所述光束在掩模面（70）中重叠。至少一个散射结构（58、60）包括设置在所述二次光源前面或者后面的多个单独设计的第二光学子元件。所述第一和第二光学子元件被配置使得由相同的辐照分布照射的光学子元件被隔开5mm以上。
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公开(公告)号：CN104011568B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201280064971.1
申请日：2012-11-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/7015 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/09 , G03F7/70075 , G03F7/702 , G03F7/70316 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20)，包含总反射表面(24)，该总反射表面具有第一EUV辐射反射区和至少一个第二EUV辐射反射区，其中所述EUV辐射反射区在结构上彼此定界开，所述第一区包含至少一个第一部分反射表面(22)，所述第一部分反射表面(22)在各个情况下由所述至少一个第二区沿着周边(31)围绕，所述至少一个第二EUV辐射反射区包含至少一个第二部分反射表面(23)，该第二部分反射表面以路径连接的方式实现且以连续方式实现。
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公开(公告)号：CN104011568A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280064971.1
申请日：2012-11-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/7015 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/09 , G03F7/70075 , G03F7/702 , G03F7/70316 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20)，包含总反射表面(24)，该总反射表面具有第一EUV辐射反射区和至少一个第二EUV辐射反射区，其中所述EUV辐射反射区在结构上彼此定界开，所述第一区包含至少一个第一部分反射表面(22)，所述第一部分反射表面(22)在各个情况下由所述至少一个第二区沿着周边(31)围绕，所述至少一个第二EUV辐射反射区包含至少一个第二部分反射表面(23)，该第二部分反射表面以路径连接的方式实现且以连续方式实现。
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公开(公告)号：CN102314096A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110264583.5
申请日：2007-02-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： O.伍尔夫 , H.西克曼 , E.卡尔切布莱纳 , S.雷南 , J.旺格勒 , A.布雷桑 , M.格哈德 , N.哈弗坎普 , A.舍尔茨 , R.沙恩韦伯尔 , M.莱 , S.布尔卡特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70958 , G03F7/70075 , Y10T83/0304 , Y10T83/04
Abstract: 一种制造用于微光刻投影曝光设备中的照射系统的长的微透镜阵列的方法，所述方法包括下述步骤：a)提供衬底(30)；b)提供包括切割刃(24)的切割工具(22)；c)在快速切割工艺中相对于所述衬底(30)重复移动所述切割工具(22)，从而使得所述切割刃能够切割入所述衬底(30)；d)在步骤c)中沿着平行于所述微透镜的纵向轴的纵向方向(X)移动所述衬底(30)；e)至少基本垂直于所述纵向方向(X)移动所述衬底(30)；f)重复所述步骤c)和d)。
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