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公开(公告)号：CN111033384B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201880050254.0
申请日：2018-07-13
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明涉及一种EUV辐射的光学布置(1)，其包括：至少一个反射式光学元件(16)，具有带有反射EUV辐射(33)的涂层(31)的主体(30)。至少一个屏蔽件(36)被装配到主体(30)的至少一个表面区域(35)，并且在光学布置(1)的操作期间保护至少一个表面区域(35)免受等离子体(H+、H*)的蚀刻效应，该等离子体围绕反射式光学元件(16)。屏蔽件(36)与主体(30)的表面区域(35)之间距离(A)小于周围等离子体(H+、H*)的德拜长度(λD)的两倍，优选地小于德拜长度(λD)。
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公开(公告)号：CN115113488A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210258174.2
申请日：2022-03-16
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种半导体光刻的投射曝光设备(1)，包括用于确定光学元件(25、25.1)的区域中等离子体(29)中原子氢浓度的装置，其中该装置包括传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)。在这种情况下，该装置包括布置在等离子体(29)的区域与传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)之间的过滤器元件(31、31.1、31.2、31.3、31.4)，其中过滤器元件(31、31.1、31.2、31.3、31.4)被配置为主要允许原子氢从等离子体(29)通行到传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)。
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公开(公告)号：CN107388976A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710236373.2
申请日：2017-04-12
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G01B11/0616 , B82Y10/00 , G01J1/0238 , G01J1/429 , G01N21/41 , G01N21/4785 , G01N21/554 , G01N21/94 , G01N2021/9511 , G03F7/70591 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G01B11/0625
摘要： 本发明涉及一种用于确定光学系统中的表面(7)处、尤其在EUV光刻系统(101)中的表面(7)处的污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类的方法，该方法包括：用测量射线(10)来照射在其处形成有等离激元纳米颗粒(8a,b)的表面(7)，检测在所述等离激元纳米颗粒(8a,b)处散射的测量射线(10a)，以及借助所检测到的测量射线(10a)来确定污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类。本发明还涉及一种用于反射EUV射线(4)的光学元件(1)以及一种EUV光刻系统。
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公开(公告)号：CN107388976B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201710236373.2
申请日：2017-04-12
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种用于确定光学系统中的表面(7)处、尤其在EUV光刻系统(101)中的表面(7)处的污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类的方法，该方法包括：用测量射线(10)来照射在其处形成有等离激元纳米颗粒(8a,b)的表面(7)，检测在所述等离激元纳米颗粒(8a,b)处散射的测量射线(10a)，以及借助所检测到的测量射线(10a)来确定污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类。本发明还涉及一种用于反射EUV射线(4)的光学元件(1)以及一种EUV光刻系统。
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公开(公告)号：CN111033384A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880050254.0
申请日：2018-07-13
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明涉及一种EUV辐射的光学布置(1)，其包括：至少一个反射式光学元件(16)，具有带有反射EUV辐射(33)的涂层(31)的主体(30)。至少一个屏蔽件(36)被装配到主体(30)的至少一个表面区域(35)，并且在光学布置(1)的操作期间保护至少一个表面区域(35)免受等离子体(H+、H*)的蚀刻效应，该等离子体围绕反射式光学元件(16)。屏蔽件(36)与主体(30)的表面区域(35)之间距离(A)小于周围等离子体(H+、H*)的德拜长度(λD)的两倍，优选地小于德拜长度(λD)。
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