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公开(公告)号：CN107003107A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064811.0
申请日：2015-11-24
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 在位置测量装置(5)和用以确定待测对象(3)的位置的方法中，提供至少一个电容式位置测量传感器(7)，以提供关于待测对象(3)的位置测量信号(PM)，并且提供至少一个电容式基准测量传感器(14)，以提供基准测量信号(RM)。测量传感器(7、14)连接到计算单元(8)，该计算单元被设计为从位置测量信号(PM)和基准测量信号(RM)计算位置信号(P)，以便确定位置。因为干扰信号(S)形式的干扰影响基本上相同程度地包含于位置测量信号(PM)和基准测量信号(RM)中，可以在计算中确定干扰信号(S)并消除干扰信号(S)。
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公开(公告)号：CN103250101B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201180056581.5
申请日：2011-11-17
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G01K11/00 , G01B9/02024 , G01B9/02081 , G01B2290/70 , G01M11/005 , G02B7/181 , G03F7/708 , G03F7/7085 , G03F7/70891
Abstract: 本发明涉及用于确定在光学系统，尤其是微光刻投射曝光设备中的反射镜(101、201、401、601、701、801)的发热状况的方法和布置。在实施例中，反射镜为EUV反射镜，以及根据本发明的方法包含以下步骤：将至少一个输入测量光束偏转至反射镜(101、201、401、601、701、801)上；测定由输入测量光束在与反射镜(101、201、401、601、701、801)的相互作用之后产生的至少一个输出测量光束的至少一个光学参数；以及基于所述参数确定反射镜(101、201、401、601、701、801)的发热状况。
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公开(公告)号：CN107003107B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201580064811.0
申请日：2015-11-24
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 在位置测量装置(5)和用以确定待测对象(3)的位置的方法中，提供至少一个电容式位置测量传感器(7)，以提供关于待测对象(3)的位置测量信号(PM)，并且提供至少一个电容式基准测量传感器(14)，以提供基准测量信号(RM)。测量传感器(7、14)连接到计算单元(8)，该计算单元被设计为从位置测量信号(PM)和基准测量信号(RM)计算位置信号(P)，以便确定位置。因为干扰信号(S)形式的干扰影响基本上相同程度地包含于位置测量信号(PM)和基准测量信号(RM)中，可以在计算中确定干扰信号(S)并消除干扰信号(S)。
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公开(公告)号：CN103250101A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180056581.5
申请日：2011-11-17
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G01K11/00 , G01B9/02024 , G01B9/02081 , G01B2290/70 , G01M11/005 , G02B7/181 , G03F7/708 , G03F7/7085 , G03F7/70891
Abstract: 本发明涉及用于确定在光学系统，尤其是微光刻投射曝光设备中的反射镜(101、201、401、601、701、801)的发热状况的方法和布置。在实施例中，反射镜为EUV反射镜，以及根据本发明的方法包含以下步骤：将至少一个输入测量光束偏转至反射镜(101、201、401、601、701、801)上；测定由输入测量光束在与反射镜(101、201、401、601、701、801)的相互作用之后产生的至少一个输出测量光束的至少一个光学参数；以及基于所述参数确定反射镜(101、201、401、601、701、801)的发热状况。
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