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公开(公告)号：CN103365113B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310101939.2
申请日：2013-03-27
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7015 , G03F7/70058 , G03F7/70258 , G03F7/70525 , G03F7/706 , G03F7/70891
Abstract: 本公开提供了一种用于微光刻的投射曝光设备（10）以及用于操作这种投射曝光设备的方法。该投射曝光设备（10）包括：投射镜（22），具有多个光学元件（E1‑E4），用于在曝光过程期间将掩模结构成像到基底（24）上；至少一个操纵器（M1‑M4），其被配置为通过沿着预定行程（45）改变所述光学元件的状态变量而改变所述投射镜内的光学元件（E1‑E4）中的至少一个的光学效果，作为操作器致动的一部分；算法产生器（42），其被配置为基于至少一个预定成像参数（30、46）产生适配于所述至少一个预定成像参数（30、46）的行程产生优化算法（52）；以及行程建立装置（44），其被配置为通过所述行程产生优化算法为操纵器致动建立至少一个行程（45）。
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公开(公告)号：CN105637420A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480054797.1
申请日：2014-10-01
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70083 , G03F7/70258 , G03F7/70525 , G03F7/706 , G03F7/70891
Abstract: 一种以图案的至少一个像曝光辐射敏感基板(W)的投射曝光方法，包含下列步骤：在照明系统(ILL)与投射曝光设备(WSC)的投射镜头(PO)之间提供图案，使得该图案设置于投射镜头的物平面(OS)区域内并可通过投射镜头成像至投射镜头的像平面(IS)中，所述像平面关于物平面光学共轭，其中该图案的成像相关特性可由图案数据表征；根据特定于使用案例并可由照明设定数据表征的照明设定，用照明系统(ILL)所提供的照明辐射照明该图案的照明区域；其特征在于：确定特定于该使用案例并包含图案数据和/或照明设定数据的使用案例数据；使用该使用案例数据确定成像规格数据；为将投射镜头的成像行为适配于使用案例的目的，以依赖于成像规格数据的方式通过该投射镜头的控制单元(CU)控制该投射镜头(PO)的可控光学部件；借助于适配于使用案例的投射镜头将图案成像至基板上。
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公开(公告)号：CN104169797B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201280071422.7
申请日：2012-02-04
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/70891 , G02B7/028 , G02B27/0068 , G03F7/70266 , G03F7/70308
Abstract: 一种微光刻投射曝光设备(10)的投射物镜，包含波前校正装置(42)，其包含：第一折射光学元件(44)和第二折射光学元件(54)。第一折射光学元件包含第一光学材料，对于所述设备的工作波长，所述第一光学材料具有随温度增加而减小的折射率。第二折射光学元件包含第二光学材料，对于所述设备的工作波长，所述第二光学材料具有随温度增加而增加的折射率。在所述校正装置(42)的校正模式中，第一加热装置(46；146)在所述第一光学材料中产生非均匀且可变化的第一温度分布，第二加热装置(56；156)在所述第二光学材料中产生非均匀且可变化的第二温度分布。
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公开(公告)号：CN107589635B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710942715.2
申请日：2013-03-27
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种用于微光刻的投射曝光设备(10)以及用于操作这种投射曝光设备的方法。该投射曝光设备(10)包括：投射镜(22)，具有多个光学元件(E1‑E4)，用于在曝光过程期间将掩模结构成像到基底(24)上；至少一个操纵器(M1‑M4)，其被配置为通过沿着预定行程(45)改变所述光学元件的状态变量而改变所述投射镜内的光学元件(E1‑E4)中的至少一个的光学效果，作为操作器致动的一部分；算法产生器(42)，其被配置为基于至少一个预定成像参数(30、46)产生适配于所述至少一个预定成像参数(30、46)的行程产生优化算法(52)；以及行程建立装置(44)，其被配置为通过所述行程产生优化算法为操纵器致动建立至少一个行程(45)。
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公开(公告)号：CN106104317B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201580011909.X
申请日：2015-03-02
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种光学元件(1)，包括：基板(2)、施加到基板(2)的涂层(3，9，5)，其中，涂层(3，9，5)包括：反射多层涂层(5b)，其实施用于反射具有一使用波长(λEUV)的辐射(4)；以及抗反射涂层(3)，其布置在该基板(2)和该反射多层涂层(5b)之间，用于抑制对具有与该使用波长(λEUV)不同的加热波长(λH)的加热辐射(7)的反射。本发明还涉及一种光学布置，其包括至少一个这种光学元件(1)和用于光学元件(1)的热操纵的至少一个装置，该装置包括至少一个加热光源(8)，用于产生加热辐射(7)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107636510A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680029149.X
申请日：2016-05-10
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 一种投射镜头(PO)，用于通过工作波长λ小于260nm的电磁辐射，将布置在该投射镜头的物平面(OS)中的区域中的掩模的图案成像至该投射镜头的像平面(IS)内，该投射镜头包含具有光学表面的多个光学元件，其布置在该物平面(OS)与该像平面(IS)之间的投射光束路径中，使得布置在该物平面中的图案可通过该光学元件成像在该像平面中。更进一步，提供波前操纵系统(WFM)，用于可控地影响对从该物平面行进至该像平面的投射辐射的波前。该波前操纵系统具有操纵器(MAN)，其具有布置在投射光束路径中的操纵器元件(ME)，以及可逆地改变操纵器元件对投射光束路径的辐射的光学效应的致动装置(DR)。该操纵器元件的操纵器表面布置在距离投射镜头在此场平面光学附近的最近场平面有限距离(D)处，使得针对从场平面的不同场点发出的光束，可通过致动装置调整操纵器元件的局部不同光学效应。更进一步，提供灵敏度适配系统，用于使操纵器的灵敏度适配于成像特性的改变，其中通过相对于物平面移动掩模和/或通过使掩模变形，可造成这些改变。
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公开(公告)号：CN105637420B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201480054797.1
申请日：2014-10-01
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种以图案的至少一个像曝光辐射敏感基板(W)的投射曝光方法，包含下列步骤：在照明系统(ILL)与投射曝光设备(WSC)的投射镜头(PO)之间提供图案，使得该图案设置于投射镜头的物平面(OS)区域内并可通过投射镜头成像至投射镜头的像平面(IS)中，所述像平面关于物平面光学共轭，其中该图案的成像相关特性可由图案数据表征；根据特定于使用案例并可由照明设定数据表征的照明设定，用照明系统(ILL)所提供的照明辐射照明该图案的照明区域；其特征在于：确定特定于该使用案例并包含图案数据和/或照明设定数据的使用案例数据；使用该使用案例数据确定成像规格数据；为将投射镜头的成像行为适配于使用案例的目的，以依赖于成像规格数据的方式通过该投射镜头的控制单元(CU)控制该投射镜头(PO)的可控光学部件；借助于适配于使用案例的投射镜头将图案成像至基板上。
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公开(公告)号：CN104487899B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201380039384.1
申请日：2013-07-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B7/1815 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B7/008 , G02B17/0657 , G02B17/0663 , G02B27/0025 , G03F7/702 , G03F7/70216 , G03F7/70266 , G03F7/706 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种微光刻的EUV投射曝光设备的反射镜布置，包含多个反射镜，所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32)及具有主体(34)，可对所述层施加EUV辐射。在此情况下，该多个反射镜的至少一个反射镜(32)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36)。此外，还描述了一种操作反射镜布置及投射曝光设备的方法。布置至少一个热源，以便以有目标的方式局部施加热至该至少一个反射镜的具有负热膨胀系数的该至少一个层。
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公开(公告)号：CN104487899A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380039384.1
申请日：2013-07-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B7/1815 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B7/008 , G02B17/0657 , G02B17/0663 , G02B27/0025 , G03F7/702 , G03F7/70216 , G03F7/70266 , G03F7/706 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种微光刻的EUV投射曝光设备的反射镜布置，包含多个反射镜，所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32)及具有主体(34)，可对所述层施加EUV辐射。在此情况下，该多个反射镜的至少一个反射镜(32)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36)。此外，还描述了一种操作反射镜布置及投射曝光设备的方法。布置至少一个热源，以便以有目标的方式局部施加热至该至少一个反射镜的具有负热膨胀系数的该至少一个层。
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公开(公告)号：CN103858055A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280049100.2
申请日：2012-08-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , B29D11/00009 , B29D11/00865 , B82Y10/00 , G02B13/143 , G03F1/24 , G03F1/60 , G03F1/72 , G03F7/70316 , G03F7/70591 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射光学元件39，包括施加在基板的表面上的层布置，其中，层布置包括由单独层的至少一个周期的周期序列构成的至少一个层子系统37，其中，所述周期包括在EUV波长范围中具有不同折射率的两个单独层，其中，基板至少沿假想表面30具有按体积超过1％的密度变化，假想表面在距所述表面0μm和100μm之间的固定距离处，并且其中，基板通过保护层或通过层布置的保护层子系统或者通过基板的相应致密的表面区域35来防范因EUV辐射引起的长期老化或致密化。此外，本发明涉及一种制造这种反射光学元件的方法。而且，本发明涉及一种校正这种反射光学元件的方法、一种包括这种光学元件的投射镜头以及一种包括这种投射镜头的投射曝光设备。
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