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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102713690A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080056967.1
申请日：2010-11-08
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , B82Y30/00 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G03F7/70958
Abstract: 本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜（la；la'；lb；lb'；lc；lc'），该反射镜包含基底（S）和层布置，其中该层布置包括至少一个表面层系统（P'''），该表面层系统（P'''）由单独层的至少两个周期（P3）的周期性序列构成，其中周期（P3）包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层（H'''）和低折射率层（L'''）；其中该层布置包括至少一个基底表面保护层（SPL，Lp）或至少一个表面保护层系统（SPLS），其在基底和单独层的至少两个周期的周期性序列之间，具有大于20nm，特别是50nm的厚度。
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公开(公告)号：CN103858055A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280049100.2
申请日：2012-08-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , B29D11/00009 , B29D11/00865 , B82Y10/00 , G02B13/143 , G03F1/24 , G03F1/60 , G03F1/72 , G03F7/70316 , G03F7/70591 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射光学元件39，包括施加在基板的表面上的层布置，其中，层布置包括由单独层的至少一个周期的周期序列构成的至少一个层子系统37，其中，所述周期包括在EUV波长范围中具有不同折射率的两个单独层，其中，基板至少沿假想表面30具有按体积超过1％的密度变化，假想表面在距所述表面0μm和100μm之间的固定距离处，并且其中，基板通过保护层或通过层布置的保护层子系统或者通过基板的相应致密的表面区域35来防范因EUV辐射引起的长期老化或致密化。此外，本发明涉及一种制造这种反射光学元件的方法。而且，本发明涉及一种校正这种反射光学元件的方法、一种包括这种光学元件的投射镜头以及一种包括这种投射镜头的投射曝光设备。
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公开(公告)号：CN102934030A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180022451.X
申请日：2011-05-03
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/08 , C03B19/06 , C03B19/09 , C03C3/06 , C03C10/00 , C03C14/00 , C03C2201/42 , G03F7/70891
Abstract: 对于用于EUV光刻的反射镜的制造，建议基底在15℃的温差ΔT上具有不大于10ppb的平均相对纵向热膨胀，并在20℃和40℃之间的范围内具有过零温度。为了该目的，至少选择一个第一材料和一个第二材料，该第一材料和一个第二材料具有低热膨胀系数和作为温度函数的相对热膨胀的相反斜率，并且通过混合和粘合这些材料来制造基底。
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公开(公告)号：CN102713690B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080056967.1
申请日：2010-11-08
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , B82Y30/00 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G03F7/70958
Abstract: 本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜（la；la’；lb；lb’；lc；lc’），该反射镜包含基底（S）和层布置，其中该层布置包括至少一个表面层系统（P”’），该表面层系统（P”’）由单独层的至少两个周期（P3）的周期性序列构成，其中周期（P3）包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层（H”’）和低折射率层（L”’）；其中该层布置包括至少一个基底表面保护层（SPL，Lp）或至少一个表面保护层系统（SPLS），其在基底和单独层的至少两个周期的周期性序列之间，具有大于20nm，特别是50nm的厚度。
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公开(公告)号：CN102934030B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201180022451.X
申请日：2011-05-03
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/08 , C03B19/06 , C03B19/09 , C03C3/06 , C03C10/00 , C03C14/00 , C03C2201/42 , G03F7/70891
Abstract: 对于用于EUV光刻的反射镜的制造，建议基底在15℃的温差ΔT上具有不大于10ppb的平均相对纵向热膨胀，并在20℃和40℃之间的范围内具有过零温度。为了该目的，至少选择一个第一材料和一个第二材料，该第一材料和一个第二材料具有低热膨胀系数和作为温度函数的相对热膨胀的相反斜率，并且通过混合和粘合这些材料来制造基底。
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