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公开(公告)号：CN118731419A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410749996.X
申请日：2024-06-12
IPC分类号： G01Q30/20 , B32B38/10 , B32B37/12 , B32B37/10 , B32B38/00 , C30B33/00 , C30B29/64 , G01Q60/10
摘要： 本发明具体公开了一种适用于扫描隧道显微分析的薄层层状材料剥离的方法，包括以下步骤：取层状材料单晶块体置于两片PDMS薄膜之间，压紧贴实后撕掉一层PDMS薄膜，得到层状材料单晶块体/PDMS薄膜；取高真空导电胶涂于衬底表面，然后将所得层状材料单晶块体/PDMS薄膜的层状材料单晶块体表面与衬底压紧贴实，得到PDMS薄膜/层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底；将PDMS薄膜/层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底加热使导电胶固化，加热结束后将PDMS薄膜撕掉，得到层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底；取粘性胶带贴合于层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底的层状材料单晶块体的外表面，然后迅速撕掉胶带，重复该过程直到层状材料呈浅蓝色或接近透明。
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公开(公告)号：CN118431333A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410490284.0
申请日：2024-04-23
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H03K19/14 , H03K19/20
摘要： 本发明公开了一种互补型自旋能谷光电晶体管，包括半导体沟道层、源电极、漏电极和自旋极化材料层；源电极和漏电极设于半导体沟道层上，自旋极化材料层位于半导体沟道层上方或下方并构成异质结；自旋极化材料层包括磁性半导体或磁性绝缘体；源漏电极和自旋极化材料层可通过外加磁场调控磁化方向而使自旋能谷光电晶体管呈现出互补特性。本发明引入自旋极化材料提升了半导体通道的自旋输运选择性，进而提升器件的自旋极化率。在此基础上，构建出光电三态门和光电逻辑电路，可用于光电隔离控制等场景。
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公开(公告)号：CN118076215A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410220448.8
申请日：2024-02-28
IPC分类号： H10N70/00
摘要： 本发明公开了一种横向忆阻器的极性调控方法，该横向忆阻器由从下至上依次设置的衬底、阻变功能层、两端金属电极构成，所述阻变功能层材料为半导体二维材料。本发明的极性调控方法为控制等离子体对阻变功能层材料的处理程度，通过增强处理程度使器件的性能转变或稳定为单极性，并且降低开启电压和延长循环寿命。本发明可有效提升该类忆阻器的性能，拓宽该类忆阻器的应用场景，促进基于二维材料的忆阻器在大规模神经网络运算电路中的应用。
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公开(公告)号：CN118302029A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410407077.4
申请日：2024-04-07
摘要： 本发明公开了一种SOT器件及其制备方法，SOT器件包括SOT耦合层以及设置在SOT耦合层上方的磁隧道结；磁隧道结包括铁磁自由层、势垒层与铁磁固定层由下至上依次层叠形成；SOT耦合层用于产生使磁隧道结内磁化翻转的自旋轨道矩，包括III族氮化物衬底与二维Janus过渡金属硫族化合物，利用III族氮化物原位多物理场调控Janus TMDC材料的Rashba效应；SOT耦合层中二维Janus过渡金属硫族化合物与磁隧道结的铁磁自由层相接触。本发明相比于传统器件提升了SOT效率，大幅降低器件阈值电流密度。
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公开(公告)号：CN118731418A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410749995.5
申请日：2024-06-12
摘要： 本发明属于显微分析技术领域，具体公开了一种适用于扫描探针显微分析的层状材料转移方法，包括以下步骤：将PDMS薄膜平整地贴合于初始生长衬底上的待转移的层状材料表面，获得PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底，随后将其抽真空；将获得的PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底置于去离子水中浸泡，随后在去离子水中将PDMS薄膜/层状材料与初始生长衬底剥离；将获得的PDMS薄膜/层状材料拾取并贴合于目标衬底，得到PDMS薄膜/层状材料/目标衬底，随后将其抽真空；将获得的PDMS薄膜/层状材料/目标衬底加热后，趁热将PDMS薄膜剥离，获得层状材料/目标衬底，实现单一的层状材料转移至目标衬底。同时采用本发明还可以实现界面高质量的层状材料同质结或异质结的制备。
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公开(公告)号：CN117538264A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311820654.4
申请日：2023-12-27
摘要： 本发明涉及光电测试领域，提供一种多功能光谱光电测试系统，其中多功能光谱光电测试系统包括：激光器，用于发射不同波长的激光，激光照射到待测目标后形成激光光谱，激光光谱用于表征待测目标的物理特性；显微物镜，设置在激光器发射的激光的光路上，用于将激光器发出的激光汇聚到待测目标表面，并用于对待测目标表面进行宏观观测；光谱仪，用于对待测目标表面的激光光谱进行线偏振测试和/或圆偏振测试。用以解决现有技术中的光电测试仪器功能单一，难以对待测物体进行全方位的测试，因此测试结果不准确的缺陷，集成了线偏振和圆偏振的多种光谱光电测试，灵活可变，功能多样、且便于功能进一步拓展。
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公开(公告)号：CN113013229A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110209222.4
申请日：2021-02-25
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种碳化硅UMOSFET功率器件及其制备方法，其器件结构包括从下到上依次包括漏电极、N+衬底层、N‑漂移层、N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层、两个源电极；两个所述源电极之间设有源区接触层，所述源区接触层的底端设有栅电极，所述栅电极的外壁上包裹有栅极介质，所述栅极介质依次贯穿所述N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层，所述栅极介质镶嵌在N‑漂移层的顶端。本发明通过在材料生长时改变掺杂气体流量，外延自下而上掺杂浓度渐变的漂移层，达到提高器件击穿电压并保持低导通电阻的目的，最终实现高性能器件的制备。
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公开(公告)号：CN113871468A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110817730.0
申请日：2021-07-20
摘要： 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3材料结合为叠栅结构介质层，以氮等离子体对底层栅介质AlN进行表面钝化，实现了表面平整无重构，优化了底层栅介质与上层栅介质的界面连接，改善了碳化硅MIS器件的衬底和栅介质的界面特性，提高了载流子迁移率和临界击穿场强，最终提升器件性能。
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公开(公告)号：CN108169518B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201711406378.1
申请日：2017-12-22
申请人： 厦门大学
摘要： 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统，涉及扫描隧道显微镜。包括腐蚀平台、工作电路和控制软件，可制备用于STM测试需要的各种针尖。其中腐蚀平台包括装有腐蚀液体的电解池、用于固定和调节金属丝位置的探针定位机构以及可实时观察腐蚀过程中针尖形貌变化的监测平台；而工作电路为电解池供电，同时采集针尖电压信号，反馈给计算机控制软件，并由电机驱动电路控制步进电机完成探针的给进和提拉动作；控制软件则控制可编程电源输出不同变化模式电流，并根据采集卡反馈的电压信号，在针尖拉断瞬间及时关断电源，触发步进电机提取针尖。基于实时控制、实时观测及反馈，实现动态腐蚀过程的可控操作，从而制备出所需的不同形貌STM用针尖。
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公开(公告)号：CN109216401A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810803231.4
申请日：2018-07-20
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法，其采用三明治结构，设计合理，通过精确控制生长源的温度、比例、生长时间来生长空位掺杂的III-VI族硫属化物层以达到电学调控的可实现性，从而实现各磁存储单元器件及二维柔性磁存储阵列的存储与记录功能，其磁矩调控范围为0～1μB，可在在液氮低温到室温，空气环境或真空环境中使用，磁存储功能稳定，结合柔性基底，应用范围广泛，适用性强。
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