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公开(公告)号：CN107452689A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710826807.4
申请日：2017-09-14
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/538 , H01L21/768
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2924/15156 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L23/13 , H01L21/76898 , H01L23/5384 , H01L23/5386
摘要： 本发明公开了一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板结构，在硅基板正面设侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设延伸至凹腔底部的垂直互联结构，垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；硅基板的正面以及凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，第一金属互联层与第二金属互联层分别与硅基板绝缘设置，导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。本发明还公开了其制作方法及在封装上的应用，利用凹腔结合垂直互联结构，从而在满足高密度、小尺寸、低成本的基础上进一步实现三维系统封装的应用，提高产品性能。
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公开(公告)号：CN111769087A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010460602.0
申请日：2020-05-26
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L23/46 , H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，包括TSV转接板、GaN器件、壳体和电路板，其中TSV转接板设有输入微流道、输出微流道和导流结构，GaN器件装配于TSV转接板上且背面设有第一开放微流道，第一开放微流道水平方向的两侧分别通过导流结构与输入微流道和输出微流道导通；TSV转接板装配于壳体内且设有与输入微流道和输出微流道导通的流道，电路板设于壳体的侧壁顶部并与TSV转接板电气连接。本发明在提高GaN器件衬底微流道散热效能的同时不降低GaN器件体的机械强度、并解决GaN器件电气接地与异质集成问题。另外，本发明还提出了实现上述结构的制作方法。
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公开(公告)号：CN108766897B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810601226.5
申请日：2018-06-12
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L21/56
摘要： 本发明针对大功率GaN器件三维异质集成与器件层散热一体化需求，提出了一种实现大功率GaN器件层散热的三维异质结构的封装方法，利用GaN芯片体‑TSV射频转接板‑硅支撑块等多个叠层衬底实现立体折叠微流道设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上冷却GaN器件层热点然后拾阶而下流出，克服了传统TSV三维集成技术内嵌微流道从TSV转接板向大功率GaN芯片体内延伸时存在分流设计、传统立体微流道与封装体‑芯片集成与兼容制造等难题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109256364B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811202164.7
申请日：2018-10-16
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L23/427
摘要： 本发明提出了基于复合相变材料射频前端小型化集成散热的封装结构；利用射频前端‑TSV射频转接板‑结构件壳体实现低应力低热阻小型化高密度集成；采用高阻硅TSV转接板内嵌高效传热微结构填充高导热相变材料技术，并结合结构件壳体填充抗冲击高热导率复合相变材料，解决了高热流密度射频前端集成高效传热和抗冲击问题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109256364A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811202164.7
申请日：2018-10-16
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L23/427
摘要： 本发明提出了基于复合相变材料射频前端小型化集成散热的封装结构；利用射频前端-TSV射频转接板-结构件壳体实现低应力低热阻小型化高密度集成；采用高阻硅TSV转接板内嵌高效传热微结构填充高导热相变材料技术，并结合结构件壳体填充抗冲击高热导率复合相变材料，解决了高热流密度射频前端集成高效传热和抗冲击问题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108766897A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810601226.5
申请日：2018-06-12
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L21/56
摘要： 本发明针对大功率GaN器件三维异质集成与器件层散热一体化需求，提出了一种实现大功率GaN器件层散热的三维异质结构的封装方法，利用GaN芯片体‑TSV射频转接板‑硅支撑块等多个叠层衬底实现立体折叠微流道设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上冷却GaN器件层热点然后拾阶而下流出，克服了传统TSV三维集成技术内嵌微流道从TSV转接板向大功率GaN芯片体内延伸时存在分流设计、传统立体微流道与封装体‑芯片集成与兼容制造等难题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN207134348U
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201721177329.0
申请日：2017-09-14
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本实用新型公开了一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板结构，在硅基板正面设侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设延伸至凹腔底部的垂直互联结构，垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；硅基板的正面以及凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，第一金属互联层与第二金属互联层分别与硅基板绝缘设置，导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。本实用新型利用凹腔结合垂直互联结构，从而在满足高密度、小尺寸、低成本的基础上进一步实现三维系统封装的应用，提高产品性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212848377U
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202020918472.6
申请日：2020-05-26
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L23/46 , H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本实用新型公开了一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，包括TSV转接板、GaN器件、壳体和电路板，其中TSV转接板设有输入微流道、输出微流道和导流结构，GaN器件装配于TSV转接板上且背面设有第一开放微流道，第一开放微流道水平方向的两侧分别通过导流结构与输入微流道和输出微流道导通；TSV转接板装配于壳体内且设有与输入微流道和输出微流道导通的流道，电路板设于壳体的侧壁顶部并与TSV转接板电气连接。本实用新型在提高GaN器件衬底微流道散热效能的同时不降低GaN器件体的机械强度、并解决GaN器件电气接地与异质集成问题。
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