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公开(公告)号：CN107256850B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201710611140.6
申请日：2017-07-25
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/538 , H01L23/367 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种内嵌金属微通道的转接板及其制备方法，包括相互键合的第一衬底和第二衬底，以及设置于所述第一衬底中的金属微通道；所述金属微通道由第一衬底上的贯穿孔和第二衬底上的金属翅片组成；在集成高密度芯片的过程中，转接板的第一衬底和第二衬底先键合构成转接板结构，金属翅片置于第一衬底的贯穿孔中而构成金属微通道结构，然后在第一衬底表面集成高密度芯片，高密度芯片通过第一衬底表面金属再布线层和金属互连通孔实现信号的再分配，通过金属微通道导热。转接板导热效果良好，封装尺寸小，工艺简单，成本可控。
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公开(公告)号：CN107452689A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710826807.4
申请日：2017-09-14
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/538 , H01L21/768
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2924/15156 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L23/13 , H01L21/76898 , H01L23/5384 , H01L23/5386
摘要： 本发明公开了一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板结构，在硅基板正面设侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设延伸至凹腔底部的垂直互联结构，垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；硅基板的正面以及凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，第一金属互联层与第二金属互联层分别与硅基板绝缘设置，导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。本发明还公开了其制作方法及在封装上的应用，利用凹腔结合垂直互联结构，从而在满足高密度、小尺寸、低成本的基础上进一步实现三维系统封装的应用，提高产品性能。
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公开(公告)号：CN107256850A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710611140.6
申请日：2017-07-25
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/538 , H01L23/367 , H01L21/48
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/4846 , H01L21/486 , H01L23/3672 , H01L23/5384
摘要： 本发明公开了一种内嵌金属微通道的转接板及其制备方法，包括相互键合的第一衬底和第二衬底，以及设置于所述第一衬底中的金属微通道；所述金属微通道由第一衬底上的贯穿孔和第二衬底上的金属翅片组成；在集成高密度芯片的过程中，转接板的第一衬底和第二衬底先键合构成转接板结构，金属翅片置于第一衬底的贯穿孔中而构成金属微通道结构，然后在第一衬底表面集成高密度芯片，高密度芯片通过第一衬底表面金属再布线层和金属互连通孔实现信号的再分配，通过金属微通道导热。转接板导热效果良好，封装尺寸小，工艺简单，成本可控。
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公开(公告)号：CN105405838A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510593503.9
申请日：2015-09-17
申请人： 苏州含光微纳科技有限公司 , 厦门大学
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种新型TSV转接板及制作方法。该转接板包括基板，所述基板上有若干个自由柱，其一端通过空隙与基板相分离，另一端通过绝缘材料与基板固定与绝缘，所述基板上下两面以及所述的自由柱的侧壁覆盖着一层绝缘层，自由柱的自由端面和固定端面均存在由金属层构成的欧姆接触。所述基板为低阻硅材料(≤0.1Ω·cm)，所述自由柱与基板间接接触所使用的绝缘材料为二氧化硅、玻璃浆料和树脂的一种；所述与自由柱的自由端及固定端构成欧姆接触的金属层是铜、铝、金、锡等的一种。本发明从根本上避免了像Cu、Au、W与硅衬底存在热膨胀系数失配造成的热应力问题，实现了低热应力TSV转接板。
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公开(公告)号：CN206947327U
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201720906078.9
申请日：2017-07-25
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/538 , H01L23/367 , H01L21/48
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本实用新型公开了一种内嵌金属微通道的转接板，包括相互键合的第一衬底和第二衬底，以及设置于所述第一衬底中的金属微通道；所述金属微通道由第一衬底上的贯穿孔和第二衬底上的金属翅片组成；在集成高密度芯片的过程中，转接板的第一衬底和第二衬底先键合构成转接板结构，金属翅片置于第一衬底的贯穿孔中而构成金属微通道结构，然后在第一衬底表面集成高密度芯片，高密度芯片通过第一衬底表面金属再布线层和金属互连通孔实现信号的再分配，通过金属微通道导热。转接板导热效果良好，封装尺寸小，工艺简单，成本可控。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207134348U
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201721177329.0
申请日：2017-09-14
申请人： 厦门大学
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本实用新型公开了一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板结构，在硅基板正面设侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设延伸至凹腔底部的垂直互联结构，垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；硅基板的正面以及凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，第一金属互联层与第二金属互联层分别与硅基板绝缘设置，导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。本实用新型利用凹腔结合垂直互联结构，从而在满足高密度、小尺寸、低成本的基础上进一步实现三维系统封装的应用，提高产品性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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