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公开(公告)号：CN109545735A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710867909.0
申请日：2017-09-22
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
CPC分类号： H01L23/53295 , H01L21/02115 , H01L21/3105 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/7682 , H01L21/76828 , H01L21/76832 , H01L21/7685 , H01L21/76895 , H01L23/5222 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/5386
摘要： 本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法。该制作金属内连线结构的方法为，首先提供一基底，该基底上设有一第一金属间介电层，然后形成一第一金属内连线以及一第二金属内连线于第一金属间介电层内，去除部分第一金属间介电层以于第一金属内连线以及第二金属内连线之间形成一开口，进行一固化制作工艺，再形成一第二金属间介电层于第一金属内连线以及第二金属内连线上。
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公开(公告)号：CN109148417A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811018709.9
申请日：2018-09-03
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/18
CPC分类号： H01L23/5383 , H01L21/187 , H01L23/538 , H01L23/5386
摘要： 本发明提供一种晶圆的混合键合方法，包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有待混合键合的第一衬底，所述第二晶圆具有待混合键合的第二衬底；在所述第一衬底上形成第一金属导体，在所述第二衬底上形成第二金属导体；在所述第一金属导体的第一键合表面和/或所述第二金属导体的第二键合表面上形成阻挡层；键合所述第一晶圆和第二晶圆，使得所述第一金属导体和所述第二金属导体通过所述阻挡层进行键合，其中所述阻挡层与所述第一键合表面和/或所述第二键合表面之间的接触面为平面。
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公开(公告)号：CN108701687A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680002091.X
申请日：2016-02-03
申请人： 新电元工业株式会社
发明人： 池田康亮
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/49833 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/18 , H01L2224/01 , H01L2224/32225 , H01L2224/83815 , H01L2924/11
摘要： 一种半导体装置，具有：第一基板(10)；以及中间层(20)，被设置在所述第一基板(10)上，并且具有多个连接头(31)、(41)，其中，所述第一基板(10)具有定位所述中间层(20)的定位部(5)，所述中间层(10)设置有用于将所述定位部(5)插入的定位插入部(37)、(47)。
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公开(公告)号：CN108701646A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012655.2
申请日：2017-01-17
申请人： 武汉新驱创柔光电科技有限公司
发明人： 西蒙·多米尼克·奥吉尔
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/525 , H01L23/538 , H01L51/00
CPC分类号： H01L21/76892 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/525 , H01L23/5382 , H01L23/5386 , H01L27/283 , H01L27/285 , H01L51/0022 , H01L51/102
摘要： 公开了形成用于可定制集成电路(IC)的连接目标的方法，该连接目标提供了导电迹线的选择性互连以通过将导电点沉积(例如通过印刷)到目标上来互连IC的设备和/或外部端子。还提供了具有连接目标的可定制且定制的IC，用于它们的形成和使用的方法同样被提供。连接目标由在第一导电迹线和第二导电迹线之间的绝缘层中的孔形成，在孔处在第二迹线中具有间隙，该间隙在第一导电迹线和第二导电迹线之间提供开路，该开路可以通过将导电点沉积到连接目标上以导电地桥接间隙来闭合。
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公开(公告)号：CN108701434A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780013235.6
申请日：2017-02-24
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： J.莫斯布格尔
IPC分类号： G09G3/32
CPC分类号： H01L25/0753 , G09F9/3026 , G09G3/32 , G09G2300/026 , G09G2300/0426 , G09G2300/0452 , G09G2300/06 , H01L23/5383 , H01L23/5386 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L33/36 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/32227 , H01L2224/83039 , H01L2224/838 , H01L2924/12041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H05K1/0298 , H05K1/181 , H05K3/284 , H05K3/323 , H05K2201/10106
摘要： 本发明涉及一种视频墙模块，其包括多个发光二极管芯片，发光二极管芯片具有在每种情况下被布置在接触侧上的第一接触电极和第二接触电极。发光二极管芯片被布置在多层印刷电路板的顶侧上。接触电极被以导电方式连接到布置在印刷电路板的顶侧上的第一金属化层。
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公开(公告)号：CN108447830A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810116989.0
申请日：2018-02-06
申请人： 安世有限公司
发明人： 沃尔夫冈·施尼特 , 托比亚斯·斯普罗杰斯
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/291 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/16227 , H01L2224/94 , H01L2224/03 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L23/3192
摘要： 本公开涉及半导体芯片级封装及形成半导体芯片级封装的方法或者形成该芯片级封装的阵列的方法。该半导体芯片级封装包括：半导体裸片，其包括：与第二主表面相对的第一主表面，和在所述第一主表面和所述第二主表面之间延伸的多个侧壁；布置在所述半导体裸片的所述第二主表面上的多个电触点；以及布置在所述多个侧壁上和所述第一主表面上的无机绝缘材料。所述芯片级封装不会发生不希望的电流路径或电流泄漏，从而能够正常运行。
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公开(公告)号：CN105575943B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201510718077.7
申请日：2015-10-29
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L23/3135 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/00 , H01L25/00
摘要： 本发明的各实施例涉及具有直接铜键合衬底和集成无源部件的功率半导体模块以及集成功率模块。一种功率半导体模块包括：直接铜键合(DCB)衬底，DCB衬底具有：陶瓷衬底；第一铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的第一主要表面上；以及第二铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的与第一主要表面相对的第二主要表面上。该功率半导体模块进一步包括：功率半导体裸片，其附接第一铜金属化结构；无源部件，其附接第一铜金属化结构，第一隔离层，第一结构化金属化层，其在第一隔离层上；以及多个第一导电过孔，其通过第一隔离层从第一结构化的金属化层延伸至功率半导体裸片和无源部件。还提供了一种集成功率模块、以及一种制造该集成功率模块的方法。
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公开(公告)号：CN108389855A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711135708.8
申请日：2017-11-16
申请人： 三星电机株式会社
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L23/13 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/08 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2223/6616 , H01L2223/6655 , H01L2223/6677 , H01L2224/08235 , H01L2225/107 , H01L2225/1094 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H03H7/38
摘要： 本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：装置埋入部，包括第一基板和第二基板，所述第一基板具有埋入在所述第一基板中的第一装置，所述第二基板设置在所述第一基板上；装置安装部，包括第二装置和密封部，所述第二装置设置在所述装置埋入部上，所述密封部用于密封所述第二装置；以及第二模块，安装在所述装置埋入部的与使所述装置安装部设置在其上的表面相对的表面上。
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公开(公告)号：CN108369937A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680069890.9
申请日：2016-12-05
申请人： 英帆萨斯公司
发明人： 贝尔格森·哈巴
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L23/5381 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/81192 , H01L2924/15159 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313
摘要： 本揭示所提供的是嵌入式的无通孔桥接。在实作中，在三维桥接部件中含有多个传导线路或导线的离散部件被嵌入于在主要基板中于主要基板的表面下方提供由讯号、电力和电性接地导线所组成的密集数组所需要的地方。到达主要基板的表面平面的垂直传导竖管亦被包括在离散部件中，用以连接至基板的表面上的晶粒，并且因而经由在离散部件中的由导线所组成的密集数组将晶粒彼此互连。要被嵌入的离散部件本身可具有呈规则间隔的由导体所组成的平行平面，且因而可呈现出均匀地覆盖有垂直导体的末端的工作表面，垂直导体可用于将表面构件彼此连接并且沿着嵌入式部件将表面构件连接至在多个地方处的接地和电力。
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公开(公告)号：CN108364921A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810078147.0
申请日：2018-01-26
申请人： 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/538 , H01L25/07 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/4871 , H01L23/367 , H01L23/5383 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/072 , H01L2223/6677 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/214 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82047 , H01L2924/12031 , H01L2924/12036 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H02M7/06 , H05K1/0203 , H05K1/185 , H05K3/30 , H05K3/4644 , H05K2201/0141 , H05K2201/015 , H05K2201/0154 , H05K2201/10174
摘要： 一种部件承载件(100)，包括互连堆叠体(102)，该互连堆叠体包括：至少一个电绝缘层结构(104)和/或至少一个导电层结构(106)；部件(108)，该部件嵌入在堆叠体(102)中并且包括二极管(110)；以及至少一个热移除层(112、118)，该至少一个热移除层被构造成从二极管(110)移除热量并且基本上完全覆盖部件承载件(100)的整个主表面。
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