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公开(公告)号：CN103681859A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310377797.2
申请日：2013-08-27
申请人： 厦门天睿电子有限公司 , 黄国华
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/36 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0405 , H01L21/044 , H01L29/42364 , H01L29/66477 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种碳化硅半导体器件，包括半导体衬底、缓冲层和导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层和多晶硅层，在所述导电外延层内设有阱区，在所述阱区内设有源区，其特征在于：所述栅介质层包括下层二氧化硅层、位于下层二氧化硅层上的氮化硅层、位于氮化硅层上端的上层二氧化硅层。本发明所提出的碳化硅半导体器件能够保证器件栅源耐压满足产品规范和应用要求，同时能够得到较低的界面态浓度以及稳定的阈值电压。
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公开(公告)号：CN103681256B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201310377625.5
申请日：2013-08-27
申请人： 厦门天睿电子有限公司 , 黄国华
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/423
摘要： 本发明公开了一种新型碳化硅MOSFET器件及其制作方法，包括碳化硅衬底、缓冲层和位于缓冲层上的导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层，在所述导电外延层内设有阱区和第一类杂质离子区，在所述阱区内设有第二类杂质离子区，所述栅电极还包括金属层，所述金属层位于所述栅介质层的下面。
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公开(公告)号：CN103681256A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310377625.5
申请日：2013-08-27
申请人： 厦门天睿电子有限公司 , 黄国华
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/423
CPC分类号： H01L21/0445 , H01L21/049 , H01L29/42364 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种新型碳化硅MOSFET器件及其制作方法，包括碳化硅衬底、缓冲层和位于缓冲层上的导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层，在所述导电外延层内设有阱区和第一类杂质离子区，在所述阱区内设有第二类杂质离子区，所述栅电极还包括金属层，所述金属层位于所述栅介质层的下面。
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公开(公告)号：CN203746862U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201320525036.2
申请日：2013-08-27
申请人： 厦门天睿电子有限公司 , 黄国华
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10
摘要： 本实用新型公开了一种新型碳化硅MOSFET器件，包括碳化硅衬底、位于碳化硅衬底下端的漏极、缓冲层和位于缓冲层上的导电外延层，在所述导电外延层上设有栅极和源极，所述栅极包括层间介质和氧化物介质层，在所述导电外延层内设有阱区和第一类杂质离子区，在所述阱区内设有第二类杂质离子区，所述栅极由金属材料制成，所述层间隔离的氧化物介质层厚度为0.5~1.0微米。本实用新型栅极电阻小，从而提高了器件的开关速度，减少开关损耗，同时其提高了器件的工作频率，和抗雪崩击穿的能力。
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公开(公告)号：CN203423185U
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201320525244.2
申请日：2013-08-27
申请人： 厦门天睿电子有限公司 , 黄国华
IPC分类号： H01L29/423
摘要： 本实用新型公开了一种碳化硅半导体器件，包括半导体衬底、缓冲层和导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层和多晶硅层，在所述导电外延层内设有阱区，在所述阱区内设有源区，其特征在于：所述栅介质层包括下层二氧化硅层、位于下层二氧化硅层上的氮化硅层、位于氮化硅层上端的上层二氧化硅层。本实用新型所提出的碳化硅半导体器件能够保证器件栅源耐压满足产品规范和应用要求，同时能够得到较低的界面态浓度以及稳定的阈值电压。
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