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公开(公告)号：CN107005022A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063624.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02256 , H01S5/02216 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/024 , H01S5/02476 , H01S5/0683 , H01S5/4012 , H01S5/4025 , H01S5/4075
Abstract: 在基座(19)上设置电路导体(25)。在电路导体(25)上连接半导体激光器(5)。在基座(19)的例如四个角落附近设置不形成电路导体(25)的缺口部，在该部位分别设置孔(20)。孔(20)贯穿基座(19)。孔(20)中插通固定构件(21)。固定构件(21)例如是外螺纹。由于固定构件(21)的头部位于缺口部，因此固定构件(21)与电路导体(25)不接触。底座(17)的与光学单元(23)的孔(20)对应的部位形成孔，并且在孔的内表面形成内螺纹。因此，固定构件(21)与底座(17)接合。其结果，光学单元(23)被固定在底座(17)上。
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公开(公告)号：CN101868888B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN200880117257.8
申请日：2008-11-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/323 , H01L21/318 , H01S5/028 , H01S5/16
CPC classification number: H01S5/16 , H01L21/02057 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/2068
Abstract: 一种在结构中包括半导体层和其上堆积的电介质层的半导体器件的制造方法，包括：半导体层形成步骤，形成半导体层；表面处理步骤，对于所述半导体层形成步骤中形成的所述半导体层的表面，实施用于除去残留碳化合物的表面处理；电介质膜形成步骤，在所述表面处理步骤中实施过表面处理的半导体层的表面的至少一部分，以对应于所述表面处理后的表面状态的堆积条件，形成电介质膜；热处理步骤，通过对所述电介质膜形成步骤中形成了电介质膜的所述半导体层实施热处理，使所述半导体层的至少一部分区域的结晶状态改变。由此，可以使电介质膜的作用充分发挥。
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公开(公告)号：CN103199437B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310077477.5
申请日：2010-06-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 谷口英广
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/162 , H01S5/2072 , H01S5/2077 , H01S5/2205
Abstract: 本发明提供一种半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件。本发明的包含半导体层的半导体光学器件的制造方法为，在半导体层叠结构(12-18)表面的第一区域上形成第一电介质膜(26)，在半导体层叠结构(12-18)表面的第二区域上形成具有比第一电介质膜(26)高的密度的第二电介质膜(25)，在由于对第二电介质膜(25)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量变得大于由于对第一电介质膜(26)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量的温度区域实施热处理，在第一电介质膜(26)下部的半导体层叠结构(12-18)上形成窗区域(23)。
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公开(公告)号：CN102356523B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201080012237.1
申请日：2010-03-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02284 , G02B6/262 , G02B6/30 , G02B6/423 , G02B6/4237 , H01L2224/48091 , H01S5/02208 , H01S5/02276 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种即便因焊接的影响使得移动量产生波动，耦合效率也很难出现波动的半导体激光模块。具备：半导体激光元件(2)，其所射出的激光的在射出端面的截面形状呈椭圆形状；光纤(3)，其配置成用于接收该半导体激光元件(2)的激光；封装(4)，其用于收纳半导体激光元件(2)与光纤(3)；第一固定单元(117)，其用于将光纤(3)固定于封装(4)；以及第二固定单元(7)，其用于将半导体激光元件(2)固定于封装(4)，其中，半导体激光元件(2)与光纤(3)固定成，激光的椭圆形状的短轴方向平行于连结光纤(3)的由第一固定单元(117)限制的两端部的连线。
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公开(公告)号：CN106575854B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201580042180.2
申请日：2015-08-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 谷口英广
IPC: H01S5/16
Abstract: 本发明提供一种半导体元件，具备：具有活性层的半导体层叠部、以及向所述活性层注入电流的电极，所述半导体层叠部包含：第1区域，其包含所述活性层的一部分，且在所述层叠方向上延伸；第2区域，其至少包含所述活性层的端部的一部分，且在所述层叠方向上延伸；以及第3区域，其包含所述第1区域与所述第2区域之间的所述活性层的一部分，且在所述层叠方向上延伸，所述第2区域的混晶度高于所述第1区域的混晶度，所述第3区域的混晶度高于所述第1区域的混晶度，且低于所述第2区域的混晶度。由此，提供可靠性高的半导体元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112248A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004693.9
申请日：2016-10-31
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L24/75 , H01L21/52 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/751 , H01L2224/75251 , H01L2224/75272 , H01L2224/75281 , H01L2224/75283 , H01L2224/7565 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/75756 , H01L2224/75804 , H01L2224/75824 , H01L2224/83048 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/8322 , H01L2224/8323 , H01L2224/83411 , H01L2224/83444 , H01L2224/83815 , H01L2924/1011 , H01L2924/12042 , H01S5/02256 , H01S5/1039 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0105
Abstract: 一种芯片接合装置，其向第一部件接合第二部件，其特征在于，具备：载置台，其将第一部件载置于载置区域；加热器，其设置在所述载置台的下侧；侧壁，其设置为包围所述载置台的载置区域；盖，其具有能够供第一部件以及第二部件通过的大小的孔，且载置于侧壁；夹头，其能够利用前端部对第二部件进行真空夹紧，从而对第二部件进行保持；移动机构，其使夹头移动，以使夹头保持的第二部件通过孔而与第一部件接合；以及气体供给管，其设置于侧壁，向由侧壁与盖形成的加热空间供给加热气体，盖包括能够对由加热器以及加热气体产生的红外线辐射进行反射、或吸收‑再辐射的材料。
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公开(公告)号：CN103518297B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280013594.9
申请日：2012-03-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: H01S5/0421 , B82Y20/00 , H01L33/005 , H01L33/305 , H01S5/028 , H01S5/2004 , H01S5/2068 , H01S5/2072 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/343 , H01S5/34313 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体光器件，其具备第一导电型半导体衬底，在半导体衬底的上方依次沉积的第一导电型的第一熔覆层，活性层，第二导电型的第二熔覆层，接触层；活性层具有通过空位扩散而混晶化的窗部及比窗部混晶度小的非窗部；接触层具有第一区域及第二区域，所述第二区域与所述第一区域相比，其与氢的亲和性更强，且位于所述第一区域的下侧。
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公开(公告)号：CN102474071B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201080027929.3
申请日：2010-06-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 谷口英广
IPC: H01S5/16
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/162 , H01S5/2072 , H01S5/2077 , H01S5/2205
Abstract: 本发明提供一种半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件。本发明的包含半导体层的半导体光学器件的制造方法为，在半导体层叠结构(12-18)表面的第一区域上形成第一电介质膜(26)，在半导体层叠结构(12-18)表面的第二区域上形成具有比第一电介质膜(26)高的密度的第二电介质膜(25)，在由于对第二电介质膜(25)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量变得大于由于对第一电介质膜(26)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量的温度区域实施热处理，在第一电介质膜(26)下部的半导体层叠结构(12-18)上形成窗区域(23)。
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公开(公告)号：CN107005022B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201580063624.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/0232 , H01S5/024 , H01S5/02345
Abstract: 在基座(19)上设置电路导体(25)。在电路导体(25)上连接半导体激光器(5)。在基座(19)的例如四个角落附近设置不形成电路导体(25)的缺口部，在该部位分别设置孔(20)。孔(20)贯穿基座(19)。孔(20)中插通固定构件(21)。固定构件(21)例如是外螺纹。由于固定构件(21)的头部位于缺口部，因此固定构件(21)与电路导体(25)不接触。底座(17)的与光学单元(23)的孔(20)对应的部位形成孔，并且在孔的内表面形成内螺纹。因此，固定构件(21)与底座(17)接合。其结果，光学单元(23)被固定在底座(17)上。
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公开(公告)号：CN104995805B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201480008713.0
申请日：2014-02-13
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/2072 , G02B6/122 , G02B6/1342 , H01S5/0287 , H01S5/0421 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3054
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件，其具有半导体层叠部，该半导体层叠部具有光波导层，所述半导体层叠部，在所述半导体层叠部的最表面与所述光波导层之间，包含具有抑制原子空孔扩散的功能的第1杂质、和具有促进原子空孔的扩散的功能的第2杂质，所述半导体层叠部包含所述杂质之中至少一方的含有量不同的在所述层叠方向上延伸的2个以上的区域，在所述2个以上的区域之中至少1个区域包含所述第1杂质和所述第2杂质双方，所述2个以上的区域彼此，所述光波导层的基于原子空孔扩散的混晶度与所述光波导层的带隙能量不同。
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