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公开(公告)号：CN103460348B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280017728.4
申请日：2012-12-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J133/00 , C09J161/28 , C09J163/00 , C09J175/04 , C09J201/02 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC classification number: C09J4/00 , C08G18/6229 , C08G18/6705 , C08G18/8029 , C08G18/8116 , C08L75/00 , C09J7/385 , C09J133/14 , C09J161/28 , C09J175/14 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , C08F2220/1858 , C08F220/20 , C08F220/06 , C08F2220/1883 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶片加工用胶带，其不因扩张而在粘接剂层与粘合剂层界面产生偏移，具有适于切断粘接剂层的工序的均一扩张性，且拾取性优异。在本发明中，使用晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带的特征在于，由基材薄膜、形成在上述基材薄膜上的粘合剂层、及形成在上述粘合剂层上的粘接剂层构成，上述粘合剂层与上述粘接剂层在25℃下的剪切力为0.2N/mm2以上，在200mJ/cm2的能量线照射后依据JIS?Z0237的标准状态下的剥离速度为300mm/min、剥离角度为180°时的上述粘合剂层与上述粘接剂层的剥离力为0.3N/25mm以下。
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公开(公告)号：CN102782813B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201080065170.8
申请日：2010-03-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 建部一贵
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/67132
Abstract: 本发明在于提供一种在将具有由胶粘剂层及粘合薄膜构成的切割/管芯焊接薄膜的晶片加工用薄膜卷成滚筒状时，可充分地抑制在胶粘剂层发生转印痕的晶片加工用薄膜。本发明的晶片加工用薄膜的特征在于，具有：粘合薄膜，其由基材薄膜及设于所述基材薄膜上的粘合剂层构成；及胶粘剂层，其设于所述粘合剂层上，所述粘合剂层中，至少在对应于环框的部分，含有放射线聚合性化合物及第一光引发剂，在含有所述第一光引发剂的位置以外的部分，含有放射线聚合性化合物及其他的光引发剂，所述第一光引发剂会发生反应的光的波长与所述其他的光引发剂会发生反应的光的波长不同。
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公开(公告)号：CN102822946B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201180015691.7
申请日：2011-03-23
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 建部一贵
IPC: H01L21/301 , H01L21/67
Abstract: 从晶片加工用胶带良好地剥离半导体芯片，提高了拾取成功率。制造方法具有以下工序：在半导体晶片（13）上贴附晶片加工用胶带（10）后，将半导体晶片（13）切割为多个半导体芯片（11）；以及从晶片加工用胶带（10）拾取贴附于晶片加工用胶带（10）的半导体芯片（11），对于切割槽（M）的包围作为剥离对象的半导体芯片（11）的区域，在从晶片加工用胶带（10）的背面侧按压其整体或一部分后，从晶片加工用胶带（10）拾取半导体芯片（11）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102782813A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080065170.8
申请日：2010-03-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 建部一贵
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/67132
Abstract: 本发明在于提供一种在将具有由胶粘剂层及粘合薄膜构成的切割/管芯焊接薄膜的晶片加工用薄膜卷成滚筒状时，可充分地抑制在胶粘剂层发生转印痕的晶片加工用薄膜。本发明的晶片加工用薄膜的特征在于，具有：粘合薄膜，其由基材薄膜及设于所述基材薄膜上的粘合剂层构成；及胶粘剂层，其设于所述粘合剂层上，所述粘合剂层中，至少在对应于环框的部分，含有放射线聚合性化合物及第一光引发剂，在含有所述第一光引发剂的位置以外的部分，含有放射线聚合性化合物及其他的光引发剂，所述第一光引发剂会发生反应的光的波长与所述其他的光引发剂会发生反应的光的波长不同。
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公开(公告)号：CN103460348A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280017728.4
申请日：2012-12-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J133/00 , C09J161/28 , C09J163/00 , C09J175/04 , C09J201/02 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC classification number: C09J4/00 , C08G18/6229 , C08G18/6705 , C08G18/8029 , C08G18/8116 , C08L75/00 , C09J7/385 , C09J133/14 , C09J161/28 , C09J175/14 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , C08F2220/1858 , C08F220/20 , C08F220/06 , C08F2220/1883 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶片加工用胶带，其不因扩张而在粘接剂层与粘合剂层界面产生偏移，具有适于切断粘接剂层的工序的均一扩张性，且拾取性优异。在本发明中，使用晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带的特征在于，由基材薄膜、形成在上述基材薄膜上的粘合剂层、及形成在上述粘合剂层上的粘接剂层构成，上述粘合剂层与上述粘接剂层在25℃下的剪切力为0.2N/mm2以上，在200mJ/cm2的能量线照射后依据JIS-Z0237的标准状态下的剥离速度为300mm/min、剥离角度为180°时的上述粘合剂层与上述粘接剂层的剥离力为0.3N/25mm以下。
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公开(公告)号：CN102822946A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015691.7
申请日：2011-03-23
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 建部一贵
IPC: H01L21/301 , H01L21/67
Abstract: 从晶片加工用胶带良好地剥离半导体芯片，提高了拾取成功率。制造方法具有以下工序：在半导体晶片（13）上贴附晶片加工用胶带（10）后，将半导体晶片（13）切割为多个半导体芯片（11）；以及从晶片加工用胶带（10）拾取贴附于晶片加工用胶带（10）的半导体芯片（11），对于切割槽（M）的包围作为剥离对象的半导体芯片（11）的区域，在从晶片加工用胶带（10）的背面侧按压其整体或一部分后，从晶片加工用胶带（10）拾取半导体芯片（11）。
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公开(公告)号：CN102373016A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110036207.0
申请日：2011-02-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种晶圆加工用胶带。本发明的课题是在将剥离膜从晶圆加工用胶带剥离时，抑制接合剂层从粘接带剥离。作为解决手段，在该晶圆加工用胶带中，剥离膜(2)沿长度方向被卷绕成卷筒状，在平面视中，接合剂层(3)具有主要部(3a)和与主要部(3a)连接的至少一个突出部(3b)，突出部(3b)中的至少一个的突出长度d为4mm以上，突出部(3b)的末端角度θ为80°以上且不足120°，突出部(3b)的末端的曲率半径r不足4mm，突出部(3b)的末端与粘接带(4)的外缘之间的距离l为5mm以上，突出部(3b)形成于接合剂层(3)中的剥离膜(2)的剥下方向的上游侧。
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公开(公告)号：CN102349134A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011044.4
申请日：2010-03-09
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 建部一贵
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6835 , C09J7/20 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2924/3025
Abstract: 本发明提供一种在将具有由胶粘剂层及粘合薄膜构成的切割/管芯焊接薄膜的晶片加工用薄膜卷成滚筒状时，可充分地抑制在胶粘剂层发生转印痕的晶片加工用薄膜。本发明的晶片加工用薄膜(10)包含粘合薄膜(14)，其由长条的基材薄膜(11)及以长条的薄膜状设置于基材薄膜(11)上的粘合剂层(12)构成；及胶粘剂层(13)，其以长条的薄膜状设置于粘合剂层(12)上。其中，粘合剂层(12)包含放射线聚合性化合物及光引发剂。粘合薄膜(12)未预先切割成对应于环框(20)的形状，胶粘剂层(13)未预先切割成对应于半导体晶片(W)的形状。
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