公开(公告)号：CN102214916B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201010534194.5

申请日：2010-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 任丽平 ,  段孝勤 ,  何大椿

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H02H9/00 ,  H02H9/04

CPC classification number: H01L27/0259 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明揭示的一种静电放电(ESD)保护电路，包括至少一双极晶体管。至少一绝缘架构设置在基板中。至少一绝缘架构用于电性绝缘至少一双极晶体管的二端点。至少一二极管电性耦接至少一双极晶体管。至少一二极管的一结界面设置相邻于至少一绝缘架构。本发明能够借由释放ESD电流，内部电路可实质上地免于被破坏。

公开(公告)号：CN102214916A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010534194.5

申请日：2010-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 任丽平 ,  段孝勤 ,  何大椿

IPC: H02H9/00 ,  H02H9/04 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0259 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明揭示的一种静电放电(ESD)保护电路，包括至少一双极晶体管。至少一绝缘架构设置在基板中。至少一绝缘架构用于电性绝缘至少一双极晶体管的二端点。至少一二极管电性耦接至少一双极晶体管。至少一二极管的一结界面设置相邻于至少一绝缘架构。本发明能够借由释放ESD电流，内部电路可实质上地免于被破坏。