公开(公告)号：CN116487387A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310277503.2

申请日：2023-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林诗哲 ,  何梓旸 ,  李振铭 ,  杨复凯 ,  王美匀

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置结构及其形成方法。所述半导体装置结构包括设置在基板上方的栅电极层、设置在基板上方的源极/漏极外延部件、设置在栅电极层上方的第一硬掩模层以及设置在源极/漏极外延部件上方的接触蚀刻停止层。所述结构还包括设置在接触蚀刻停止层上的第一层间介电层，以及设置在接触蚀刻停止层和第一层间介电层上的第二硬掩模层的第一经处理部分。第一硬掩模层的顶表面与第二掩模层的第一经处理部分的顶表面大抵共平面。所述结构还包括设置在第一硬掩模层和第二掩模层的第一经处理部分上的蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN115241130A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210680409.7

申请日：2022-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何梓旸 ,  何彩蓉 ,  李志鸿 ,  李资良

IPC: H01L21/8234

Abstract: 半导体装置的制造方法，可包括形成第一氮化硅层于半导体装置的开口之中与半导体装置的上表面之上，其中半导体装置包括外延源极/漏极与金属栅极。方法可形成第二氮化硅层于半导体装置的开口中的第一氮化硅层之上以及半导体装置的上表面之上以作为牺牲层；以及自开口中的第一氮化硅层的侧壁移除第二氮化硅层。方法可包括移除开口的底部的第二氮化硅层与第一氮化硅层；以及沉积金属层于开口之中以形成金属漏极于半导体装置的开口中。