-
公开(公告)号：CN109839806A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811444432.6
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种控制倍缩遮蔽叶片的定位方法，用以最小化临界尺寸均匀度的冲击，其包括判断倍缩遮蔽叶片相对于反射倍缩光掩模的目标点位，以及将倍缩遮蔽叶片定位于目标点位。在成像操作时监控倍缩遮蔽叶片的位置。比较倍缩遮蔽叶片的位置和目标点位，且如果倍缩遮蔽叶片的位置在目标点位的公差外，调整倍缩遮蔽叶片的位置。
-
公开(公告)号：CN109752919A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811003099.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/54
Abstract: 本公开部分实施例提供一种适用于搜集用于影像错误补偿的信息的光罩。上述光罩包括一基板。上述光罩还包括形成于基板上的一第一黑色边界结构以及一第二黑色边界结构。第一黑色边界结构以及第二黑色边界结构对基板的一中心同心分布。上述光罩也包括形成于基板上方的一第一图像结构以及一第二图像结构。第一图像结构以及第二图像结构各自代表着待图案化至一半导体晶圆的多个特征的图案。第二图像结构、第二黑色边界结构、第一图像结构及第一黑色边界结构在远离基板的中心的一方向上按序排列。
-
公开(公告)号：CN108074865A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710242981.4
申请日：2017-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体装置的形成方法，该方法包括：接收具有图案层的集成电路布局。图案层包含主要布局图案。主要布局图案其沿着第一方向的尺寸W1大于晶圆测量工具的关键尺寸的测量上限。此方法亦包括以掩模公司工具新增多个辅助布局图案至图案层中。辅助布局图案包括一对关键尺寸的辅助布局图案，且关键尺寸的辅助布局图案沿着第一方向位于主要布局图案的两侧上。关键尺寸的辅助布局图案其沿着第一方向的尺寸W2实质上相同，且与主要布局图案相距的尺寸D1实质上相同。尺寸W2与D1均大于光微影制程的印刷分辨率，且小于或等于晶圆测量工具的关键尺寸的测量上限。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.025 seconds)
