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公开(公告)号：CN1534380A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200310124030.5
申请日：2003-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/20 , G03B27/42 , G03F1/00 , G03F7/70475
Abstract: 本发明公开了一种转移光罩图形的方法与装置以及制造光罩的方法，可藉以补偿光罩接合区(Stitching Area)因为接合效应(Stitching Effect)所产生的误差。本发明的转移光罩图形的方法至少包括以下步骤。首先，提供用以产生一光罩的一数据文件，并将此数据文件分成复数个部分，其中每一部分至少包括一主要图形区与一接合区，且此接合区至少包括一几何图形。然后，于接合区形成一组几何特征，其中于一照射过程后此组几何特征形成一半色调灰阶曝光剂量分布。
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公开(公告)号：CN105372945A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510196867.3
申请日：2015-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F7/70258 , G03F7/705
Abstract: 本发明提供了方法。该方法包括：在图案化的衬底上形成光刻胶层；从图案化的衬底收集第一覆盖数据；基于来自集成电路(IC)图案的第二覆盖数据至来自图案化的衬底的第一覆盖数据的映射来确定覆盖补偿；根据覆盖补偿对光刻系统实施补偿工艺；以及之后通过光刻系统对光刻胶层实施光刻曝光工艺，从而将IC图案成像至光刻胶层。本发明涉及具有增强的覆盖质量的光刻工艺和系统。
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公开(公告)号：CN100514192C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610149997.2
申请日：2006-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70333 , G03F7/70091 , G03F7/70108 , G03F7/70283 , G03F7/70641 , G03F9/7026
Abstract: 本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。
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公开(公告)号：CN1955847A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610149997.2
申请日：2006-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70333 , G03F7/70091 , G03F7/70108 , G03F7/70283 , G03F7/70641 , G03F9/7026
Abstract: 本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。
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公开(公告)号：CN109839806A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811444432.6
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种控制倍缩遮蔽叶片的定位方法，用以最小化临界尺寸均匀度的冲击，其包括判断倍缩遮蔽叶片相对于反射倍缩光掩模的目标点位，以及将倍缩遮蔽叶片定位于目标点位。在成像操作时监控倍缩遮蔽叶片的位置。比较倍缩遮蔽叶片的位置和目标点位，且如果倍缩遮蔽叶片的位置在目标点位的公差外，调整倍缩遮蔽叶片的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103293869B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210380843.X
申请日：2012-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F9/7096 , G03F9/7019
Abstract: 本发明公开了一种光刻系统。该光刻系统包括：光刻曝光工具，被设计用于对涂布在集成电路衬底上的辐射敏感材料层执行曝光工艺；对准模块，与光刻曝光工具相连接，被设计用于对准测量，并且被配置用于将集成电路衬底传送至光刻曝光工具；以及对准校准模块，被设计成相对于光刻曝光校准对准模块。本发明还提供了一种用于光刻图案化的系统和方法。
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公开(公告)号：CN100570494C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710005302.8
申请日：2007-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种光刻法，以图案化位于一基板上的多个区域。所述光刻法包括利用一辐射束沿着一第一方向扫描一第一区域；然后步进至邻接于所述第一区域的一第二区域，且当所述第一区域和所述第二区域两者沿所述第一方向观看时，所述第二区域位于所述第一区域之后；然后利用所述辐射束沿着所述第一方向扫描所述第二区域。通过本发明中所给出的扫描方向以及步进动作中的步进移动值，可以降低或大体上消除在浸润式光刻法处理期间的污染。
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公开(公告)号：CN101136309A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710100965.8
申请日：2007-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻装置，包括一成像镜片模块；位于该成像镜片模块下方的一基板平台，以握持一基板；用于限制流体于介于成像镜片模块与位于该基板平台上的一基板间的一空间处的一流体保存模块；以及整合于该流体储存模块内且邻近于上述空间处的一加热元件。本发明另外提供了一种浸润槽及一种蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN109752919A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811003099.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/54
Abstract: 本公开部分实施例提供一种适用于搜集用于影像错误补偿的信息的光罩。上述光罩包括一基板。上述光罩还包括形成于基板上的一第一黑色边界结构以及一第二黑色边界结构。第一黑色边界结构以及第二黑色边界结构对基板的一中心同心分布。上述光罩也包括形成于基板上方的一第一图像结构以及一第二图像结构。第一图像结构以及第二图像结构各自代表着待图案化至一半导体晶圆的多个特征的图案。第二图像结构、第二黑色边界结构、第一图像结构及第一黑色边界结构在远离基板的中心的一方向上按序排列。
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公开(公告)号：CN105372945B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510196867.3
申请日：2015-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了方法。该方法包括：在图案化的衬底上形成光刻胶层；从图案化的衬底收集第一覆盖数据；基于来自集成电路(IC)图案的第二覆盖数据至来自图案化的衬底的第一覆盖数据的映射来确定覆盖补偿；根据覆盖补偿对光刻系统实施补偿工艺；以及之后通过光刻系统对光刻胶层实施光刻曝光工艺，从而将IC图案成像至光刻胶层。本发明涉及具有增强的覆盖质量的光刻工艺和系统。
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