公开(公告)号：CN1721319A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510077540.0

申请日：2005-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴善华 ,  陈斐筠 ,  王薇雅 ,  刘鸿兴 ,  潘升良

IPC: B81C1/00 ,  B81B5/00

CPC classification number: G02B26/0833

Abstract: 本发明是有关于一种制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法。一种用于制造微机电系统，例如反射式隐藏镜面的制造方法，包括下列步骤：形成I型镜面结构；形成间隙壁层于I型镜面结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着I型镜面结构的一侧形成至少一间隙壁。一微机电系统，至少包含：一基材；一I型镜面结构形成于该基材上；以及沿着该I型镜面结构的一侧设有至少一间隙壁。本发明提供了一种用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电系统元件的坚固耐用的间隙壁制程，并且避免了镜桥的产生。

公开(公告)号：CN1941279A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610078447.6

申请日：2006-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李元榜 ,  吴子扬 ,  潘昇良 ,  林耀辉 ,  赖育志 ,  陈德芳 ,  林佩璇 ,  吴善华 ,  刘鸿兴

IPC: H01L21/00 ,  G03F7/36 ,  G03F7/42

Abstract: 一种使用纯H2O等离子体的原位实施方法，用来从基材或晶圆移除光阻层，而不会在基材或晶圆上累积电荷。以及，一种使用纯H2O等离子体或纯H2O蒸气的原位实施方法，用来从此基材或晶圆表面移除或释放经由一个或多个集成电路建构制程所累积的电荷。

公开(公告)号：CN100402414C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200510077540.0

申请日：2005-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴善华 ,  陈斐筠 ,  王薇雅 ,  刘鸿兴 ,  潘升良

IPC: B81C1/00 ,  B81B5/00

CPC classification number: G02B26/0833

Abstract: 本发明是有关于一种制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法。一种用于制造微机电系统，例如反射式隐藏镜面的制造方法，包括下列步骤：形成具有I型剖面的镜面结构；形成间隙壁层于具有I型剖面的镜面结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着具有I型剖面的镜面结构的一侧形成至少一间隙壁。一微机电系统，至少包含：一基材；一具有I型剖面的镜面结构形成于该基材上；以及沿着该具有I型剖面的镜面结构的一侧设有至少一间隙壁。本发明提供了一种用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电系统元件的坚固耐用的间隙壁制程，并且避免了镜桥的产生。