公开(公告)号：CN109585361A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810721468.8

申请日：2018-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐俊伟 ,  聂菱甫 ,  朱品磊 ,  刘启人 ,  林易生 ,  张庭熏 ,  何嘉玮 ,  陈亮光

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件和形成方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上方形成介电层并且图案化介电层以形成第一凹槽。该方法还包括在第一凹槽中沉积第一层并且在第一层上方沉积第二层，第二层不同于第一层。该方法还包括使用第一氧化剂对第二层实施第一化学机械抛光(CMP)工艺并且使用第一氧化剂对第二层和第一层的多余部分实施第二CMP工艺。该方法还包括在实施第二CMP抛光之后在第一层的剩余部分上方形成第一导电元件。

公开(公告)号：CN109585361B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201810721468.8

申请日：2018-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐俊伟 ,  聂菱甫 ,  朱品磊 ,  刘启人 ,  林易生 ,  张庭熏 ,  何嘉玮 ,  陈亮光

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件和形成方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上方形成介电层并且图案化介电层以形成第一凹槽。该方法还包括在第一凹槽中沉积第一层并且在第一层上方沉积第二层，第二层不同于第一层。该方法还包括使用第一氧化剂对第二层实施第一化学机械抛光(CMP)工艺并且使用第一氧化剂对第二层和第一层的多余部分实施第二CMP工艺。该方法还包括在实施第二CMP抛光之后在第一层的剩余部分上方形成第一导电元件。

公开(公告)号：CN113134783A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110049486.8

申请日：2021-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庭熏 ,  颜宏 ,  沈稘翔 ,  黄富明 ,  林均洁 ,  张宗宪 ,  崔骥 ,  陈亮光 ,  陈志宏 ,  陈科维

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/34 ,  H01L21/306

Abstract: 本公开提供一种化学机械平坦化设备。化学机械平坦化设备包括一多区域平台包括多个独立控制的同心超环形。每个同心超环形的旋转方向、旋转速度、作用力、相对高度和温度都是单独控制的。同心研磨垫固定到在每个单独控制的同心超环形的一上表面。化学机械平坦化设备包括一单一中心浆料源或包括用于每个单独控制的同心超环形的单独浆料源。

公开(公告)号：CN112405335A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010851423.X

申请日：2020-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜宏 ,  廖高锋 ,  何信颖 ,  萧钧文 ,  庄胜超 ,  张庭熏 ,  黄富明 ,  林均洁 ,  张简鹏崇 ,  崔骥 ,  陈亮光 ,  陈志宏 ,  陈科维

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26

Abstract: 本公开实施例提供一种化学机械平坦化工具，其包括平台以及附接至前述平台的研磨垫。研磨垫远离平台的第一表面包括第一研磨区和第二研磨区，其中前述第一研磨区是位在前述研磨垫的第一表面中心处的圆形区域，而前述第二研磨区是在前述第一研磨区周围的环形区域。前述第一研磨区和第二研磨区具有不同的表面性质。