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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113134783A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110049486.8
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/20 , B24B37/34 , H01L21/306
Abstract: 本公开提供一种化学机械平坦化设备。化学机械平坦化设备包括一多区域平台包括多个独立控制的同心超环形。每个同心超环形的旋转方向、旋转速度、作用力、相对高度和温度都是单独控制的。同心研磨垫固定到在每个单独控制的同心超环形的一上表面。化学机械平坦化设备包括一单一中心浆料源或包括用于每个单独控制的同心超环形的单独浆料源。
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公开(公告)号：CN111129067B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201911043521.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有磁性隧道结的半导体器件。本公开提供了具有磁性隧道结的半导体器件。一种半导体器件包括：衬底；存储器阵列，位于衬底上方，存储器阵列包括第一磁性隧道结(MTJ)，其中第一MTJ位于衬底上方的第一电介质层中；以及电阻器电路，位于衬底上方，电阻器电路包括第二MTJ，其中第二MTJ位于第一电介质层中。
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公开(公告)号：CN100477093C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610094069.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/31111 , H01L29/6653
Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包括：提供基底；在该基底上形成栅极，该栅极具有一个顶面以及左右各一个侧壁；在该栅极与该基底上形成衬层；在该衬层上形成多个间隔物，邻近栅极；处理该衬层的露出部，经处理的衬层比未经处理的衬层具有更高的蚀刻率；移除位于该栅极顶部的衬层以及至少位于该栅极的侧壁上的该衬层的一部分；以及金属硅化至少一部分的该栅极。本发明通过凹蚀设置于注入掩模与栅极之间的衬层允许更多的栅极部分可以被金属硅化且不会影响晶体管的操作特性。
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公开(公告)号：CN101043002A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610094069.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/31111 , H01L29/6653
Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包括：提供基底；在该基底上形成栅极，该栅极具有一个顶面以及左右各一个侧壁；在该栅极与该基底上形成衬层；在该衬层上形成多个间隔物，邻近栅极；处理该衬层的露出部，经处理的衬层比未经处理的衬层具有更高的蚀刻率；移除位于该栅极顶部的衬层以及至少位于该栅极的侧壁上的该衬层的一部分；以及金属硅化至少一部分的该栅极。本发明通过凹蚀设置于植入掩模与栅极之间的衬层允许更多的栅极部分可以被金属硅化且不会影响晶体管的操作特性。
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公开(公告)号：CN111129067A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911043521.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有磁性隧道结的半导体器件。本公开提供了具有磁性隧道结的半导体器件。一种半导体器件包括：衬底；存储器阵列，位于衬底上方，存储器阵列包括第一磁性隧道结(MTJ)，其中第一MTJ位于衬底上方的第一电介质层中；以及电阻器电路，位于衬底上方，电阻器电路包括第二MTJ，其中第二MTJ位于第一电介质层中。
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