公开(公告)号：CN110323278A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201811481828.8

申请日：2018-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张钧博 ,  李振铭 ,  杨复凯 ,  王美匀 ,  李威养 ,  徐梓翔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置包括一薄层，包含有半导体材料且上述薄层包括向外突出的鳍状结构。一隔离结构，设置于上述薄层上方，但不在鳍状结构上方。第一间隔物及第二间隔物，设置于隔离结构上方及鳍状结构的相对的两侧壁上。第一间隔物设置于鳍状结构的第一侧壁上。第二间隔物设置于鳍状结构相对于第一侧壁的第二侧壁上。且第二间隔物大抵上高于第一间隔物。一外延层生长于鳍状结构上。上述外延层横向突出。外延层的横向突出部相对于第一侧边及第二侧边是非对称的。

公开(公告)号：CN220121846U

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202321329887.X

申请日：2023-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林祐亘 ,  张钧博 ,  李振铭 ,  杨复凯 ,  王美匀 ,  陈建豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体装置包含设置在基底上方的通道构件的垂直堆叠，栅极结构包含包覆环绕通道构件的垂直堆叠的每个通道构件的第一部分和直接设置在通道构件的垂直堆叠上方的第二部分。栅极结构包含栅极介电层和设置在栅极介电层上方的功函数层。半导体装置也包含直接设置在栅极结构的第二部分上方的导电盖层，沿着栅极结构的第二部分的侧壁表面和导电盖层的侧壁表面的一部分延伸的栅极间隔物，以及直接设置在栅极间隔物上方的介电间隔物。介电间隔物的顶表面宽度大于栅极间隔物的宽度。