公开(公告)号：CN108803247A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810402860.6

申请日：2018-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊霖 ,  傅中其 ,  刘柏村 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  易威廷 ,  简上杰

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外光源产生方法。一种极紫外光源，其包括配置为用以产生第一预脉冲激光光束、第二预脉冲激光光束、及主脉冲激光光束的激光光源。在一些实施例中，在极紫外光容器内使用第一预脉冲激光光束照射液滴以形成重成形液滴。在一些例子中，液滴包括锡液滴。在多种实施例中，随后通过使用第二预脉冲激光光束照射重成形液滴以形成种子等离子体。随后，且在一些例子中，使用主脉冲激光光束照射种子等离子体以加热种子等离子体，进而产生极紫外光。

公开(公告)号：CN118818911A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410859476.4

申请日：2018-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊霖 ,  易威廷 ,  陈政宏 ,  傅中其 ,  刘柏村 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括以一标的发射器发射一标的至一激发腔中；以一第一激光发射器发射一预脉冲激光至该激发腔中的一激发区域以照射该标的，其中该预脉冲激光具有一第一功率以加热该标的；以一第二激光发射器发射一脉冲激光至该激发腔中的该激发区域以照射该标的，其中该脉冲激光具有大于该第一功率的一第二功率，以激发雾状该标的成为等离子体并发射极紫外线；以及将该极紫外线经由一光掩模导向至一晶片，以对该晶片进行一光刻工艺。

公开(公告)号：CN110824852A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810916154.3

申请日：2018-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊霖 ,  易威廷 ,  陈政宏 ,  傅中其 ,  刘柏村 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种激光系统，包括一种子激光装置，配置以发射一输出激光、以及一激光功率放大装置，配置以放大输出激光的功率并发射输出激光。激光功率放大装置包括一容置腔，用以容纳一增益介质，包括一第一开口以及一第二开口、一入射透光元件，设置于第一开口、一出射透光元件，设置于第二开口、以及一能量泵浦，配置以提供能量于增益介质。入射透光元件与输出激光之间具有一第一布鲁斯特角。本公开还提供一种光刻设备。