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公开(公告)号：CN109324062B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810709621.5
申请日：2018-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N21/90
Abstract: 本公开提供用于直接检查极紫外光容器的整个内部的单次拍摄测量。可提供包括与极紫外光容器整合的检查工具的一极紫外光容器。在检查过程中，检查工具移入极紫外光容器的主要聚焦区域。当检查工具是设置在主要聚焦区域，并且当通过一照明器向极紫外光容器的内部提供一实质地均匀且恒定的照明度时，极紫外光容器的内部的一全景影像可以通过检查工具的一单次拍摄来获取。之后，极紫外光容器中的多个元件上的锡污染程度可以基于极紫外光容器的内部的全景影像来量化。所量化的污染程度可以与一关键绩效指标做比较，并且可以实行一失控行动计划。
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公开(公告)号：CN109818256A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811331139.9
申请日：2018-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种主振荡器功率放大器系统的对准方法。此方法包括将输入至主振荡器功率放大器系统的激光放大器链接部的泵功率输入斜升，直到泵功率输入达到操作泵功率输入电平；调整主振荡器功率放大器系统的种子激光的种子激光功率输出，直到种子激光功率输出在第一电平，其中第一电平小于操作种子激光功率输出电平；以及当泵功率输入在操作泵功率输入电平、并且种子激光功率输出在第一电平以及主振荡器功率放大器系统达到稳定操作热状态时，对主振荡器功率放大器系统执行第一光学对准程序。
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公开(公告)号：CN110858058B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201810973109.1
申请日：2018-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种光刻设备，包括一激发腔、一标的发射器、一主激光发射器、以及一激光真空装置。标的发射器用以朝向激发腔内的一激发区域发射一标的。主激光发射器用以发射一主脉冲激光至激发区域内的标的。激光真空装置用以发射一真空激光至至激发腔内，且以于激发腔内形成一真空通道。激光真空装置发射真空激光之后，标的发射器发射标的通过真空通道进入激发区域。本公开提供的光刻设备可增加主激光发射器击中标的的精准度。
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公开(公告)号：CN108170005B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201710948215.X
申请日：2017-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种高亮度光线的产生方法，包括将气态材料引入标靶材料。上述方法还包括将标靶材料供应至燃料标靶产生器中。上述方法亦包括通过推进具有气态材料的标靶材料离开燃料标靶产生器而产生标靶。另外，上述方法包括将标靶中的气态材料扩展以转换标靶为标靶雾。上述方法亦包括将主要脉冲激光聚焦于标靶雾上以产生放射高亮度光线的等离子体。本公开提供的高亮度光线的产生方法可以从输入能量增加能源转换效率予离子化。
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公开(公告)号：CN108808427A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810399543.3
申请日：2018-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种激光系统，包含：激光源、激光放大器及剩余增益监测器。激光源可操作以提供激光光束。激光放大器包含输入埠及输出埠，且可操作以放大激光光束，激光光束沿主要光束路径从输入埠穿过激光放大器至输出埠。剩余增益监测器可操作以提供探测激光光束，探测激光光束沿探测光束路径从输出埠穿过激光放大器至输入埠，其中剩余增益监测器系根据探测激光光束来计算激光放大器的剩余增益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108803247A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810402860.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外光源产生方法。一种极紫外光源，其包括配置为用以产生第一预脉冲激光光束、第二预脉冲激光光束、及主脉冲激光光束的激光光源。在一些实施例中，在极紫外光容器内使用第一预脉冲激光光束照射液滴以形成重成形液滴。在一些例子中，液滴包括锡液滴。在多种实施例中，随后通过使用第二预脉冲激光光束照射重成形液滴以形成种子等离子体。随后，且在一些例子中，使用主脉冲激光光束照射种子等离子体以加热种子等离子体，进而产生极紫外光。
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公开(公告)号：CN108803246A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810402849.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于产生极紫外光光线的方法和系统，包括提供具有高斯分布的一激光光束。此激光光束可以从高斯分布修饰为一环形分布。经修饰的激光光束通过收集器中的一孔洞提供，并与移动的液滴目标接触，以产生一极紫外光波长光线。从照射区域(前焦点)所产生的极紫外光波长光线被提供至收集器反射并汇聚至中介焦点区域(后焦点)作为曝光机的点光源。在一些实施例中，一罩元件亦可用来修饰激光光束的形状。
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公开(公告)号：CN118818911A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410859476.4
申请日：2018-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括以一标的发射器发射一标的至一激发腔中；以一第一激光发射器发射一预脉冲激光至该激发腔中的一激发区域以照射该标的，其中该预脉冲激光具有一第一功率以加热该标的；以一第二激光发射器发射一脉冲激光至该激发腔中的该激发区域以照射该标的，其中该脉冲激光具有大于该第一功率的一第二功率，以激发雾状该标的成为等离子体并发射极紫外线；以及将该极紫外线经由一光掩模导向至一晶片，以对该晶片进行一光刻工艺。
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公开(公告)号：CN116841126A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210306558.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光罩护膜检测方法及其系统，光罩护膜检测方法包含以一低同调光干涉系统，分别使用一第一偏振光以及一第二偏振光，量测一光罩护膜的多个区域，以分别获得每一该些区域的一第一偏振态色散信息以及一第二偏振态色散信息，其中该第一偏振光的偏振态不同于该第二偏振光的偏振态；计算每一该些区域的该第一偏振态色散信息以及该第二偏振态色散信息，以判断该光罩护膜是否合格；以及将合格的该光罩护膜装设至一光罩上。
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公开(公告)号：CN114967357A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210115812.5
申请日：2022-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外光曝光工具及其操作方法，曝光工具配置以移除污染物及/或防止在曝光工具中包括的镜子及/或其它光学部件的污染。在一些实施中，曝光工具配置以使用加热气体(诸如臭氧(O3)或超净干燥空气(extra clean dry air；XCDA)，以及其他实例)从照明器、投影光学盒、及/或曝光工具的一或多个其他子系统冲洗及/或以其他方式移除污染物。在一些实施中，曝光工具配置以提供包括氢气(H2)或另一类型的气体的气帘(或气体壁)以降低污染物到达曝光工具中包括的镜子的可能性。以此方式，镜子及曝光工具的一或多个其他部件经清洗并且维持在干净环境中，其中控制吸收辐射的污染物以增加曝光工具的效能。
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