公开(公告)号：CN110412834B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201910227714.9

申请日：2019-03-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴明发 ,  傅中其 ,  林俊泽 ,  郑博中 ,  杨怀德

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本公开涉及极紫外光设备及防止极紫外光光源装置被污染的方法。一种极紫外光微影系统，包括极紫外光光源及极紫外光扫描器。微滴产生器在极紫外光光源中提供微滴流。气体屏障是配置以包围微滴流。当激光与流中的微滴反应时，制造极紫外光辐射及离子化粒子。气体屏障可减少传送离子化粒子至微滴捕捉器的污染。极紫外光光源的构件可用电压偏压，以排斥或吸引离子化粒子，进而减少来自于这些离子化粒子的污染。

公开(公告)号：CN109524286A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201710854745.8

申请日：2017-09-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李宗彦 ,  卢玟铵 ,  郭爵旗 ,  许哲彰 ,  周佳信 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/32

摘要： 本公开实施例提供一种半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法包括在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方。通过上述掩模静电座将上述清洁装置的一聚合物材料层吸附于上述掩模静电座。当上述清洁装置吸附于上述掩模静电座且经过一第一时间时，将上述清洁装置与上述掩模静电座分离。

公开(公告)号：CN109324062A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810709621.5

申请日：2018-07-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张俊霖 ,  简上杰 ,  吴尚颖 ,  郑力凯 ,  傅中其 ,  刘柏村 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  严涛南 ,  陈家桢

IPC分类号： G01N21/90

摘要： 本公开提供用于直接检查极紫外光容器的整个内部的单次拍摄测量。可提供包括与极紫外光容器整合的检查工具的一极紫外光容器。在检查过程中，检查工具移入极紫外光容器的主要聚焦区域。当检查工具是设置在主要聚焦区域，并且当通过一照明器向极紫外光容器的内部提供一实质地均匀且恒定的照明度时，极紫外光容器的内部的一全景影像可以通过检查工具的一单次拍摄来获取。之后，极紫外光容器中的多个元件上的锡污染程度可以基于极紫外光容器的内部的全景影像来量化。所量化的污染程度可以与一关键绩效指标做比较，并且可以实行一失控行动计划。

公开(公告)号：CN105372945A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510196867.3

申请日：2015-04-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪继正 ,  林纬良 ,  严永松 ,  陈俊光 ,  刘如淦 ,  高蔡胜 ,  傅中其 ,  董明森 ,  梁辅杰 ,  陈立锐 ,  陈孟伟 ,  陈桂顺

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70633 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/705

摘要： 本发明提供了方法。该方法包括：在图案化的衬底上形成光刻胶层；从图案化的衬底收集第一覆盖数据；基于来自集成电路(IC)图案的第二覆盖数据至来自图案化的衬底的第一覆盖数据的映射来确定覆盖补偿；根据覆盖补偿对光刻系统实施补偿工艺；以及之后通过光刻系统对光刻胶层实施光刻曝光工艺，从而将IC图案成像至光刻胶层。本发明涉及具有增强的覆盖质量的光刻工艺和系统。

公开(公告)号：CN111061129B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201811209082.5

申请日：2018-10-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 傅中其 ,  黄郁茹 ,  郑介任 ,  郭爵旗

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本公开部分实施例提供一种清洁光刻系统的方法。上述方法包括放置一光学元件至一光罩座。上述方法还包括自一光源产生一光束，并利用一第一光导件导引光束至光学元件，使光束在光学元件的一反射面的一有效区域反射并射入一第二光导件。反射面上的有效区域占反射面的比例约介于60％至100％之间。上述方法也包括供应一清洁气体至第二光导件周围，并将清洁气体自第二光导件周围抽除。

公开(公告)号：CN108803246B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201810402849.X

申请日：2018-04-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张俊霖 ,  叶人豪 ,  傅中其 ,  刘柏村 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种用于产生极紫外光光线的方法和系统，包括提供具有高斯分布的一激光光束。此激光光束可以从高斯分布修饰为一环形分布。经修饰的激光光束通过收集器中的一孔洞提供，并与移动的液滴目标接触，以产生一极紫外光波长光线。从照射区域(前焦点)所产生的极紫外光波长光线被提供至收集器反射并汇聚至中介焦点区域(后焦点)作为曝光机的点光源。在一些实施例中，一罩元件亦可用来修饰激光光束的形状。

公开(公告)号：CN109799683B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201810987706.X

申请日：2018-08-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 谢劼 ,  简上杰 ,  许峻嘉 ,  刘柏村 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本公开部分实施例提供一种在一微影曝光制程中产生光的方法及光源。上述方法包括利用一燃料标靶产生器产生多个标靶。上述方法还包括测量标靶的一者通过在一移动路径上的两个检测位置的一时间。上述方法也包括利用一激光产生器激发一标靶，以产生发出光的等离子体。另外，上述方法包括当所测量的时间相异于一既定数值时，根据所测量的时间，调整燃料标靶产生器或激光产生器的至少一参数。

公开(公告)号：CN110824851B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201810915785.3

申请日：2018-08-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李宗彦 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  郭爵旗 ,  郑介任

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/52

摘要： 一种光刻设备的洁净度的检测方法，包括：放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上，且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上；通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上；将反射式光掩模由曝光腔移动至一光学检测机台；以及通过光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。

公开(公告)号：CN111061129A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201811209082.5

申请日：2018-10-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 傅中其 ,  黄郁茹 ,  郑介任 ,  郭爵旗

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本公开部分实施例提供一种清洁光刻系统的方法。上述方法包括放置一光学元件至一光罩座。上述方法还包括自一光源产生一光束，并利用一第一光导件导引光束至光学元件，使光束在光学元件的一反射面的一有效区域反射并射入一第二光导件。反射面上的有效区域占反射面的比例约介于60％至100％之间。上述方法也包括供应一清洁气体至第二光导件周围，并将清洁气体自第二光导件周围抽除。

公开(公告)号：CN101136309A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710100965.8

申请日：2007-04-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈立锐 ,  傅中其 ,  张庆裕 ,  梁辅杰 ,  许林弘 ,  陈俊光 ,  高蔡胜

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种蚀刻装置，包括一成像镜片模块；位于该成像镜片模块下方的一基板平台，以握持一基板；用于限制流体于介于成像镜片模块与位于该基板平台上的一基板间的一空间处的一流体保存模块；以及整合于该流体储存模块内且邻近于上述空间处的一加热元件。本发明另外提供了一种浸润槽及一种蚀刻方法。