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公开(公告)号：CN113053764A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110102885.6
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开涉及用于检查图案缺陷的方法。在一种用于检查图案缺陷的方法中，在底层之上形成多个图案。多个图案彼此电隔离。用电子束扫描多个图案的一部分以使多个图案带电。获得从多个图案的经扫描部分发射的二次电子的强度。搜索多个图案中的显示出与多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个或多个图案。
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