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公开(公告)号:CN112445062B
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202010908400.8
申请日:2020-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种反射性光罩及其制造方法,反射性光罩包括基板、设置在基板上的反射性多层、设置在反射性多层上的覆盖层、设置在覆盖层上的光催化层,及设置在光催化层上且携载具有开口的电路图案的吸收层。光催化层的部分在吸收层的开口处被曝光,且光催化层包括选自由氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)及硫化镉(CdS)组成的群组的一者。
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公开(公告)号:CN114649206A
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202110387374.3
申请日:2021-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。在形成图案的方法中,在底层之上形成第一图案,该第一图案包括主图案和横向突起,该横向突起的厚度小于主图案的厚度的25%;在第一图案之上形成硬掩模层;执行平坦化操作,以在不暴露横向突起的情况下暴露第一图案;通过在横向突起被硬掩模层覆盖的同时去除第一图案,来形成硬掩模图案;并且使用硬掩模图案作为蚀刻掩模,来图案化底层。
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公开(公告)号:CN112748643A
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN202011081893.9
申请日:2020-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种极紫外线微影装置及其使用方法。在范例中,一种极紫外线微影装置包含极紫外线光源和照明器。配置的极紫外线光源产生极紫外线光束以图案化基材上的光阻层。配置的照明器引导极紫外线光束至光罩表面上。在范例中,照明器包含场分面镜和光瞳分面镜。场分面镜包含第一组刻面的配置以分裂极紫外线光束成数个光通道。光瞳分面镜包含第二组刻面的配置以引导数个光通道至光罩表面上。第二组刻面在光瞳分面镜边缘处的分布密度高于在光瞳分面镜中心处。
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公开(公告)号:CN109786221A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201811313606.5
申请日:2018-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 一种于基板上制造结构的方法。此方法包含:将参考图案的图像投影到具有第一图案化层的基板上,此第一图案化层包含多个第一对准标记和多个第一叠对测量标记,且参考图案包含多个第二对准标记和多个第二叠对测量标记;基于这些第一对准标记和这些第二对准标记,将第一图案化层对准参考图案的图像,获得这些第一叠对测量标记与这些第二叠对测量标记的预叠对建图(pre-overlay mapping);以及决定补偿数据,此补偿数据指出这些第一叠对测量标记和这些第二叠对测量标记的预叠对建图的信息。
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公开(公告)号:CN108227391A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201710641484.1
申请日:2017-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F1/36 , G03F7/70125 , G03F7/70441 , G03F7/70058 , G03F7/70091 , G03F7/7015
Abstract: 一种光学微影系统,包含:一基底台,用以承载一工件;以及一罩幕,具有多个主要图形与多个次解析辅助图形(sub‑resolution assistant pattern)。此系统还包含一绕射光学元件(diffractive optical element;DOE),用以将具有上述主要图形的一空中影像(aerial image)的辐射导引至上述工件上。上述绕射光学元件包含第一对的极(pole),上述第一对的极是沿着一第一方向而相对于上述绕射光学元件的中心为对称配置。上述主要图形是沿着正交于上述第一方向的一第二方向而纵向地定向,上述次解析辅助图形是沿着上述第一方向而纵向地定向。
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公开(公告)号:CN107887381A
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201710724345.5
申请日:2017-08-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本公开提供一种制造集成电路的方法,包括接收具有在两个第二区域之间的第一区域的集成电路布局,布局包括具有第一部件的第一层与在第一区域中具有第二、第三部件的第二、第三层,第二、第三部件共同形成第一部件的切割图案;以及通过掩模设计工具修改第二、第三部件,产生已修改第二、第三部件,其共同形成用于第一部件的已修改切割图案,第二、第三部件的修改满足至少一个条件:相邻的已修改第二(第三)部件之间的总间距大于相邻的第二(第三)部件之间的总间距,以及已修改第二(第三)部件的总长度小于第二(第三)部件的总长度。
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公开(公告)号:CN112748643B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202011081893.9
申请日:2020-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种极紫外线微影装置及其使用方法。在范例中,一种极紫外线微影装置包含极紫外线光源和照明器。配置的极紫外线光源产生极紫外线光束以图案化基材上的光阻层。配置的照明器引导极紫外线光束至光罩表面上。在范例中,照明器包含场分面镜和光瞳分面镜。场分面镜包含第一组刻面的配置以分裂极紫外线光束成数个光通道。光瞳分面镜包含第二组刻面的配置以引导数个光通道至光罩表面上。第二组刻面在光瞳分面镜边缘处的分布密度高于在光瞳分面镜中心处。
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公开(公告)号:CN113053764A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202110102885.6
申请日:2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开涉及用于检查图案缺陷的方法。在一种用于检查图案缺陷的方法中,在底层之上形成多个图案。多个图案彼此电隔离。用电子束扫描多个图案的一部分以使多个图案带电。获得从多个图案的经扫描部分发射的二次电子的强度。搜索多个图案中的显示出与多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个或多个图案。
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公开(公告)号:CN112445062A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202010908400.8
申请日:2020-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种反射性光罩及其制造方法,反射性光罩包括基板、设置在基板上的反射性多层、设置在反射性多层上的覆盖层、设置在覆盖层上的光催化层,及设置在光催化层上且携载具有开口的电路图案的吸收层。光催化层的部分在吸收层的开口处被曝光,且光催化层包括选自由氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)及硫化镉(CdS)组成的群组的一者。
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公开(公告)号:CN103513507B
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201210387301.5
申请日:2012-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F1/70
Abstract: 本发明公开了一种制造用于集成电路(IC)设计的掩模的方法,所述方法包括接收IC设计布局。所述IC设计布局包括:具有第一外边界的IC部件,以及分配到所述第一外边界的第一目标点。所述方法还包括生成用于所述IC部件的第二外边界;以及,将所有的第一目标点移到第二外边界以形成修改的IC设计布局。本发明还公开了用于邻近修正的方法。
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