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公开(公告)号：CN101271268B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810009312.3
申请日：2008-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/7075 , G03F1/44 , G03F7/705 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , G03F7/70675
Abstract: 本发明是关于一种微影对焦以及/或能量的最佳化方法及其系统，该方法和系统使用特别设计的光学关键尺寸图案。在接收一包含复数个光罩的晶圆后，可使用整合式量测系统测量光罩的关键尺寸、线路末端缩短以及复数个光罩的侧壁角度，在模拟光谱数据库中执行光谱分析以形成分析数据；该分析数据储存在光学关键尺寸数据库的复数个查询表格中，执行查询该些查询表格以决定晶圆的对焦或能量；本发明提供了一种可提供在线量测方法与系统，对焦或能量的量测可在临场进行量测；本发明可提供在光学关键尺寸数据库中较好的数据品质以及解析度，并且可根据分析的数据，提供早期错误警报，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。
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公开(公告)号：CN101266937A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710137623.3
申请日：2007-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544 , G01B11/00
CPC classification number: H01L22/12 , G03F7/70633
Abstract: 本发明是有关于一种半导体制造的方法，包含形成叠置偏移(Overlay Offset)的量测标的，此量测标的包含有位于第一材料层上的第一特征和位于第二材料层上的第二特征。第一特征和第二特征具有一第一预设叠置偏移。照射量测标的，并决定此被照射的量测标的的反射率。使用被决定的反射率来计算第一材料层和第二材料层的叠置偏移。
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公开(公告)号：CN113053764A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110102885.6
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开涉及用于检查图案缺陷的方法。在一种用于检查图案缺陷的方法中，在底层之上形成多个图案。多个图案彼此电隔离。用电子束扫描多个图案的一部分以使多个图案带电。获得从多个图案的经扫描部分发射的二次电子的强度。搜索多个图案中的显示出与多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个或多个图案。
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公开(公告)号：CN100587934C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710166248.5
申请日：2007-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光学式关键尺寸量测准确度的改善系统及其方法。该方法包含：找出一工艺参数；找出该薄膜的折射率以及消光系数分别为该工艺参数的函数；在回归模拟时，利用该工艺参数经由所述函数调整该薄膜的折射率以及消光系数；借着取得该工艺参数的一最佳值完成该光学式关键尺寸量测，其中该最佳值极小化了实验光谱与其理论预测之间的差异。该系统包含：用以找出上述工艺参数的找出手段；用以找出所述函数的找出手段；利用该工艺参数经由所述函数调整该薄膜的折射率以及消光系数的调整手段；以及完成该光学式关键尺寸量测的完成手段。藉由工艺参数以在回归模拟时调整晶圆基板上薄膜的折射率/消光系数(n/k)值，以降低关键尺寸量测的误差。
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公开(公告)号：CN100485530C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610066510.4
申请日：2006-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625
Abstract: 本发明提供一种改善微影制程的良率以及产能的方法，主要包括下列步骤：在第一制程晶圆上形成第一光阻层。接着加热制程根据第一温度曲线，于第一光阻层上形成第一光阻图案，其中加热制程包括复数个可控制的温度加热区。然后产生并且收集来自第一光阻图案的散射光线。随后处理散射光线，以获得第一光阻图案特征尺寸的3D资讯。接着决定执行加热制程所需要的第二温度曲线，以取得第二光阻图案特征尺寸，其中第二光阻图案特征尺寸包括第二制程晶圆上的第二光阻图案。最后加热制程根据第二温度曲线形成第二光阻图案。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101271268A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810009312.3
申请日：2008-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/7075 , G03F1/44 , G03F7/705 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , G03F7/70675
Abstract: 本发明是关于一种微影对焦以及/或能量的最佳化方法及其系统，该方法和系统使用特别设计的光学关键尺寸图案。在接收一包含复数个光罩的晶圆后，可使用整合式量测系统测量光罩的关键尺寸、线路末端缩短以及复数个光罩的侧壁角度，在模拟光谱数据库中执行光谱分析以形成分析数据；该分析数据储存在光学关键尺寸数据库的复数个查询表格中，执行查询该些查询表格以决定晶圆的对焦或能量；本发明提供了一种可提供在线量测方法与系统，对焦或能量的量测可在临场进行量测；本发明可提供在光学关键尺寸数据库中较好的数据品质以及解析度，并且可根据分析的数据，提供早期错误警报，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。
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公开(公告)号：CN101252097A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710166248.5
申请日：2007-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光学式关键尺寸量测准确度的改善系统及其方法。该方法包含：找出一工艺参数；找出该薄膜的折射率以及消光系数分别为该工艺参数的函数；在回归模拟时，利用该工艺参数经由所述函数调整该薄膜的折射率以及消光系数；借着取得该工艺参数的一最佳值完成该光学式关键尺寸量测，其中该最佳值极小化了实验光谱与其理论预测之间的差异。该系统包含：用以找出上述工艺参数的找出手段；用以找出所述函数的找出手段；利用该工艺参数经由所述函数调整该薄膜的折射率以及消光系数的调整手段；以及完成该光学式关键尺寸量测的完成手段。藉由工艺参数以在回归模拟时调整晶圆基板上薄膜的折射率/消光系数(n/k)值，以降低关键尺寸量测的误差。
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公开(公告)号：CN101241309A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810004166.5
申请日：2008-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70516
Abstract: 本发明是有关一种利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法，借此校准用于测量半导体元件特征的度量工具。利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法包括以下步骤：测量一第一间距；测量一第二间距，其中该第二间距自该第一间距偏移一间距偏移值；进行一比较该第一间距与该第二间距的比较步骤；以及依据该比较步骤判断度量准确度。经由前述比较，可采取适当的校准步骤，以缩短已知间距与测得间距之间的差距。本发明提供的方法，利用次纳米级间距偏移量，可有效校准度量工具至次纳米级。
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公开(公告)号：CN1841205A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066510.4
申请日：2006-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625
Abstract: 本发明提供一种改善微影制程的良率以及产能的方法，主要包括下列步骤：在第一制程晶圆上形成第一光阻层。接着加热制程根据第一温度曲线，于第一光阻层上形成第一光阻图案，其中加热制程包括复数个可控制的温度加热区。然后产生并且收集来自第一光阻图案的散射光线。随后处理散射光线，以获得第一光阻图案特征尺寸的3D资讯。接着决定执行加热制程所需要的第二温度曲线，以取得第二光阻图案特征尺寸，其中第二光阻图案特征尺寸包括第二制程晶圆上的第二光阻图案。最后加热制程根据第二温度曲线形成第二光阻图案。
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