公开(公告)号：CN102701136B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210048824.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪嘉明 ,  王鸿森 ,  陈相甫 ,  李德玺 ,  亚历山大·卡尔尼茨基 ,  戴文川 ,  张贵松 ,  蔡易恒

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00579 ,  B81B2207/015 ,  B81C2203/0771 ,  Y10T29/49126

Abstract: 公开了包括用于互补金属氧化物半导体(CMOS)和/或微机电系统(MEMS)器件的旁路结构的装置以及这种装置的制造方法。示例性装置包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体，设置在第一衬底和第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的一部分的绝缘体层中，其中，电旁路结构与第二衬底中的MEMS器件和第一衬底中包括的任何器件电隔离。

公开(公告)号：CN102701136A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210048824.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪嘉明 ,  王鸿森 ,  陈相甫 ,  李德玺 ,  亚历山大·卡尔尼茨基 ,  戴文川 ,  张贵松 ,  蔡易恒

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00579 ,  B81B2207/015 ,  B81C2203/0771 ,  Y10T29/49126

Abstract: 公开了包括用于互补金属氧化物半导体(CMOS)和/或微机电系统(MEMS)器件的旁路结构的装置以及这种装置的制造方法。示例性装置包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体，设置在第一衬底和第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的一部分的绝缘体层中，其中，电旁路结构与第二衬底中的MEMS器件和第一衬底中包括的任何器件电隔离。