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公开(公告)号：CN105967137B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510450702.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有应力吸收盖衬底的晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)。盖衬底通过布置在盖衬底的上表面上的接合环和接合焊盘接合至管芯。衬底通孔(TSV)从接合焊盘延伸穿过盖衬底至盖衬底的下表面。此外，上表面中的凹槽在接合焊盘周围延伸和沿着接合环的侧壁延伸。该凹槽吸收诱导应力，从而缓解管芯中的任何器件偏移。本发明的实施例还涉及为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法。
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公开(公告)号：CN105271100A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410507488.7
申请日：2014-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于气密密封的薄膜结构。本发明涉及具有气密密封结构的MEMS器件以及相关的方法。在一些实施例中，第一管芯和第二管芯在接合界面区处接合以形成腔室。共形薄膜结构设置为覆盖接合界面区的外侧壁以提供气密密封。在一些实施例中，共形薄膜结构是覆盖第二管芯的外表面和第一管芯的顶面的连续薄层。在一些其他实施例中，共形薄膜结构包括纵向设置的若干离散的薄膜补片。
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公开(公告)号：CN116469880A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210942473.8
申请日：2022-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一衬底，具有相反的第一侧和第二侧；第一导电层，位于第一衬底的第一侧上；以及第二衬底，具有相反的第一侧和第二侧。第二衬底的第二侧接合到第一衬底的第一侧。第二衬底包括：半导体材料；以及至少一个电路元件，电耦合到第一导电层。至少一个电路元件包括以下项中的至少一者：肖特基二极管，由半导体材料和第一接触结构配置；电容器，具有半导体材料的第一电极；或半导体材料的电阻器。
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公开(公告)号：CN112441551A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010856148.0
申请日：2020-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括设置在半导体衬底之上的内连线结构。介电结构设置在内连线结构之上。多个空腔设置在介电结构中。微机电系统(MEMS)衬底设置在介电结构之上，其中微机电系统衬底包括多个可移动薄膜，且其中所述多个可移动薄膜分别上覆在所述多个空腔之上。多个流体连通通道设置在所述介电结构中，其中所述多个流体连通通道中的每一者在所述多个空腔中的两个相邻空腔之间在侧向上延伸，使得所述多个空腔中的每一者彼此流体连通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112429697A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010862379.2
申请日：2020-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。所述半导体装置包括设置在半导体衬底之上的内连结构。介电结构设置在所述内连结构之上。第一空腔及第二空腔设置在所述介电结构中。微机电系统衬底设置在所述介电结构之上，其中所述微机电系统衬底包括上覆在所述第一空腔上的第一可移动膜片及上覆在所述第二空腔上的第二可移动膜片。第一功能结构上覆在所述第一可移动膜片上，其中所述第一功能结构包含具有第一化学组成的第一材料。第二功能结构上覆在所述第二可移动膜片上，其中所述第二功能结构与所述第一功能结构横向间隔开，且其中所述第二功能结构包含具有与所述第一化学组成不同的第二化学组成的第二材料。
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公开(公告)号：CN102951595B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210281583.0
申请日：2012-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81C2203/036
Abstract: 本公开内容提供了运动传感器结构的一个实施例。运动传感器结构包括：第一衬底，具有形成在其上的集成电路；第二衬底，通过第一表面与第一衬底接合，其中，第二衬底包括形成在其上的运动传感器；以及第三衬底，与第二衬底的第二表面接合，其中，第三衬底包括与运动传感器对准的凹进区域。本发明还提供了运动传感器的方法。
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公开(公告)号：CN102674233A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110308561.4
申请日：2011-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2207/096
Abstract: 一种封装系统，包括：第一衬底结构，包括设置在第一衬底上方的至少一个第一导电结构；以及第二衬底结构，包括第二衬底，第二衬底结构与第一衬底结构相接合，其中，至少一个第一导电结构通过至少一个含锗层与第二衬底电连接。本发明还提供了一种封装系统及其制造方法。
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公开(公告)号：CN105023909B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410332205.X
申请日：2014-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/743 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/535 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/1601
Abstract: 本发明公开了一种为半导体封装提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法。该方法包括制备用于与半导体封装接合的晶圆。该晶圆包括低电阻衬底，低电阻衬底含有RDL和TSV以用于使半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用。RDL包括穿过低电阻衬底并且两侧均由隔离沟槽划界的导电路径。TSV由隔离沟槽和RDL划界。制备用于接合的晶圆可以包括：制备隔离沟槽，该隔离沟槽对穿过低电阻衬底的用于RDL的导电路径划界以及对低电阻衬底中的用于TSV的立柱中的垂直导电路径划界；在隔离沟槽中填充隔离沟槽材料；以及制备晶圆接合面。本发明还公开了提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的结构和方法。
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公开(公告)号：CN102701136B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210048824.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00579 , B81B2207/015 , B81C2203/0771 , Y10T29/49126
Abstract: 公开了包括用于互补金属氧化物半导体(CMOS)和/或微机电系统(MEMS)器件的旁路结构的装置以及这种装置的制造方法。示例性装置包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体，设置在第一衬底和第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的一部分的绝缘体层中，其中，电旁路结构与第二衬底中的MEMS器件和第一衬底中包括的任何器件电隔离。
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