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公开(公告)号：CN113270391B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110129817.9
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/50 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01N27/27 , G01N27/414
Abstract: 生物传感器系统封装件，包括：晶体管结构，位于具有前侧和背侧的半导体层中，晶体管结构包括沟道区域；埋氧(BOX)层，位于半导体层的背侧上，其中，埋氧层具有位于沟道区域的背侧上的开口，并且界面层覆盖沟道区域上方的背侧；多层互连(MLI)结构，位于半导体层的前侧上，晶体管结构电连接至MLI结构；以及覆盖结构，附接至埋氧层，覆盖结构包括微针。本申请的实施例还涉及制造生物传感器系统封装件的方法。
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公开(公告)号：CN109835865A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810394969.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统(MEMS)封装件和一种在晶圆至晶圆接合层级处实现多个MEMS腔体中的压差调节的方法。将包括第一MEMS器件和第二MEMS器件的器件衬底接合至包括第一凹进区和第二凹进区的覆盖衬底。通风沟槽与凹进区横向地间隔开并且位于第二腔体内。密封结构布置在通风沟槽内并且限定与第二腔体流体连通的通风孔。帽布置在通风孔内以密封在与第一腔体的第一气压不同的第二气压处的第二腔体。本发明的实施例还涉及通过硅柱和智能帽实现晶圆级集成MEMS器件。
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公开(公告)号：CN102951595B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210281583.0
申请日：2012-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81C2203/036
Abstract: 本公开内容提供了运动传感器结构的一个实施例。运动传感器结构包括：第一衬底，具有形成在其上的集成电路；第二衬底，通过第一表面与第一衬底接合，其中，第二衬底包括形成在其上的运动传感器；以及第三衬底，与第二衬底的第二表面接合，其中，第三衬底包括与运动传感器对准的凹进区域。本发明还提供了运动传感器的方法。
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公开(公告)号：CN113270391A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110129817.9
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/50 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01N27/27 , G01N27/414
Abstract: 生物传感器系统封装件，包括：晶体管结构，位于具有前侧和背侧的半导体层中，晶体管结构包括沟道区域；埋氧(BOX)层，位于半导体层的背侧上，其中，埋氧层具有位于沟道区域的背侧上的开口，并且界面层覆盖沟道区域上方的背侧；多层互连(MLI)结构，位于半导体层的前侧上，晶体管结构电连接至MLI结构；以及覆盖结构，附接至埋氧层，覆盖结构包括微针。本申请的实施例还涉及制造生物传感器系统封装件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105967137B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510450702.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有应力吸收盖衬底的晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)。盖衬底通过布置在盖衬底的上表面上的接合环和接合焊盘接合至管芯。衬底通孔(TSV)从接合焊盘延伸穿过盖衬底至盖衬底的下表面。此外，上表面中的凹槽在接合焊盘周围延伸和沿着接合环的侧壁延伸。该凹槽吸收诱导应力，从而缓解管芯中的任何器件偏移。本发明的实施例还涉及为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法。
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公开(公告)号：CN105271100A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410507488.7
申请日：2014-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于气密密封的薄膜结构。本发明涉及具有气密密封结构的MEMS器件以及相关的方法。在一些实施例中，第一管芯和第二管芯在接合界面区处接合以形成腔室。共形薄膜结构设置为覆盖接合界面区的外侧壁以提供气密密封。在一些实施例中，共形薄膜结构是覆盖第二管芯的外表面和第一管芯的顶面的连续薄层。在一些其他实施例中，共形薄膜结构包括纵向设置的若干离散的薄膜补片。
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公开(公告)号：CN113270390B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110129692.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/50 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 生物传感器系统封装件包括：在具有正面和背面的半导体层中的晶体管结构，该晶体管结构包括沟道区；在半导体层的正面上的多层互连(MLI)结构，晶体管结构电连接到MLI结构；在MLI结构上的载体衬底；第一贯穿衬底通孔(TSV)结构，延伸穿过载体衬底并且被配置为提供MLI结构与单独管芯之间的电连接；在半导体层的背面上的埋氧(BOX)层，其中，埋氧层在沟道区的背面上具有开口，并且界面层在沟道区上方覆盖背面；以及附接到埋氧层的微流体沟道帽结构。本申请的实施例还涉及制造生物传感器系统封装件的方法。
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公开(公告)号：CN113270390A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110129692.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/50 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 生物传感器系统封装件包括：在具有正面和背面的半导体层中的晶体管结构，该晶体管结构包括沟道区；在半导体层的正面上的多层互连(MLI)结构，晶体管结构电连接到MLI结构；在MLI结构上的载体衬底；第一贯穿衬底通孔(TSV)结构，延伸穿过载体衬底并且被配置为提供MLI结构与单独管芯之间的电连接；在半导体层的背面上的埋氧(BOX)层，其中，埋氧层在沟道区的背面上具有开口，并且界面层在沟道区上方覆盖背面；以及附接到埋氧层的微流体沟道帽结构。本申请的实施例还涉及制造生物传感器系统封装件的方法。
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公开(公告)号：CN112441553A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201911174299.1
申请日：2019-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置及其形成方法及集成芯片。所述微机电系统装置包括第一介电结构，所述第一介电结构设置在第一半导体衬底之上，其中第一介电结构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在第一介电结构之上且包括可移动质量体，其中可移动质量体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。第一压电防粘连结构设置在可移动质量体与第一介电结构之间，其中第一压电防粘连结构包括第一压电结构及设置在第一压电结构与第一介电结构之间的第一电极。
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