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公开(公告)号：CN115863287A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211038651.0
申请日：2022-08-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/762 , H01L23/528
摘要： 示例性半导体结构包括具有第一侧和第二侧的器件衬底。介电层设置在器件衬底的第一侧上方。通孔沿第一方向延伸穿过介电层并且穿过器件衬底从第一侧延伸至第二侧。保护环设置在介电层中和通孔周围。保护环包括沿第一方向堆叠的金属层。金属层包括第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁形成保护环的内侧壁。金属层的第一侧壁之间的重叠部分小于约10nm。重叠部分沿与第一方向不同的第二方向。本申请的实施例还涉及半导体布置和形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN106847916B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201610815934.X
申请日：2016-09-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/165 , H01L21/336
摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括衬底、至少一个半导体鳍和至少一个外延结构。半导体鳍位于衬底上。半导体鳍具有位于其上的至少一个凹槽。外延结构位于半导体鳍的凹槽中。外延结构包括沿着从半导体鳍至衬底的方向布置的最顶部部分、第一部分和第二部分。第一部分具有比最顶部部分的锗原子百分比和第二部分的锗原子百分比高的锗原子百分比。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN107039276B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201610824040.7
申请日：2016-09-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
摘要： 半导体器件包括衬底、至少一个半导体鳍和至少一个外延结构。半导体鳍存在于衬底上。半导体鳍上具有至少一个凹槽。外延结构存在于半导体鳍的凹槽中。外延结构的最顶位置的n‑型杂质浓度低于位于最顶位置下方的外延结构的位置的n‑型杂质浓度。本发明的实施例还涉及半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN118116929A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410175863.6
申请日：2024-02-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/762 , H01L21/8234
摘要： IC结构包括：半导体衬底；隔离结构，形成在半导体衬底中，从而限定由隔离部件围绕的有源区域；第一导电类型的第一阱，形成在半导体衬底中；中性区域，形成在半导体衬底中并且横向围绕第一阱；第二导电类型的第二阱，形成在半导体衬底上并且横向围绕中性区域，第二导电类型与第一导电类型相反；源极，设置在半导体衬底的第二阱上；漏极，设置在半导体衬底的第一阱上；以及栅极结构，介于源极和漏极之间。栅极结构接合半导体衬底的第一阱、中性区域和第二阱。源极、漏极和栅极结构配置为FET。本申请的实施例还涉及制造高电压场效应晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN115910957A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211067883.9
申请日：2022-09-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/762 , H01L23/528
摘要： 示例性半导体结构包括具有第一侧和第二侧的器件衬底。介电层设置在器件衬底的第一侧上方。贯通孔沿着第一方向延伸穿过介电层并且从第一侧穿过器件衬底延伸至第二侧。贯通孔具有沿着第一方向的总长度和沿着不同于第一方向的第二方向的宽度。总长度是介电层中的贯通孔的第一长度和器件衬底中的贯通孔的第二长度的总和。第一长度小于第二长度。保护环设置在介电层中和贯通孔周围。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法、半导体布置。
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公开(公告)号：CN115831925A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210719114.6
申请日：2022-06-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 提供了集成电路(IC)结构及其形成方法。根据本发明的IC结构包括衬底、位于衬底上方的互连结构、设置在互连结构中的保护环结构、垂直延伸穿过保护环结构的通孔结构、以及设置在保护环结构和通孔结构正上方并且接触保护环结构和通孔结构的顶部金属部件。保护环结构包括多个保护环层。多个保护环层中的每个保护环层包括下部部分和设置在下部部分上方的上部部分。多个保护环层的下部部分和上部部分的面向通孔结构的侧壁基本垂直对齐，以形成保护环结构的平滑内表面。
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公开(公告)号：CN114864555A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210044189.9
申请日：2022-01-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/58 , H01L21/768
摘要： 本公开提供一种半导体结构和其形成方法，半导体结构包括接触基板的硅穿孔和横向环绕硅穿孔的金属环结构。金属环结构包括排列成堆叠的一或多个金属环和夹于一或多个金属环之中的两邻近的金属环之间的一或多个金属通孔。金属环结构通过一或多个导电结构电性耦合至基板。
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公开(公告)号：CN114649258A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210125781.1
申请日：2022-02-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本公开涉及具有穿硅过孔、保护环的器件及其制作方法。一种半导体制品，包括半导体衬底、半导体衬底上的后段制程(BEOL)布线部分、穿硅过孔和保护环。半导体衬底由半导体材料制成。BEOL布线部分包括具有导电布线的多个布线层、和电绝缘材料。穿硅过孔提供穿过BEOL布线部分和半导体衬底的导电路径。保护环围绕BEOL布线部分中的穿硅过孔，并且在一些实施例中围绕半导体衬底中的穿硅过孔。
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公开(公告)号：CN107039276A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610824040.7
申请日：2016-09-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
摘要： 半导体器件包括衬底、至少一个半导体鳍和至少一个外延结构。半导体鳍存在于衬底上。半导体鳍上具有至少一个凹槽。外延结构存在于半导体鳍的凹槽中。外延结构的最顶位置的n‑型杂质浓度低于位于最顶位置下方的外延结构的位置的n‑型杂质浓度。本发明的实施例还涉及半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN106847916A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610815934.X
申请日：2016-09-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/165 , H01L21/336
摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括衬底、至少一个半导体鳍和至少一个外延结构。半导体鳍位于衬底上。半导体鳍具有位于其上的至少一个凹槽。外延结构位于半导体鳍的凹槽中。外延结构包括沿着从半导体鳍至衬底的方向布置的最顶部部分、第一部分和第二部分。第一部分具有比最顶部部分的锗原子百分比和第二部分的锗原子百分比高的锗原子百分比。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
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