-
公开(公告)号：CN114649258A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210125781.1
申请日：2022-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开涉及具有穿硅过孔、保护环的器件及其制作方法。一种半导体制品，包括半导体衬底、半导体衬底上的后段制程(BEOL)布线部分、穿硅过孔和保护环。半导体衬底由半导体材料制成。BEOL布线部分包括具有导电布线的多个布线层、和电绝缘材料。穿硅过孔提供穿过BEOL布线部分和半导体衬底的导电路径。保护环围绕BEOL布线部分中的穿硅过孔，并且在一些实施例中围绕半导体衬底中的穿硅过孔。
-
公开(公告)号：CN115910957A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211067883.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/762 , H01L23/528
Abstract: 示例性半导体结构包括具有第一侧和第二侧的器件衬底。介电层设置在器件衬底的第一侧上方。贯通孔沿着第一方向延伸穿过介电层并且从第一侧穿过器件衬底延伸至第二侧。贯通孔具有沿着第一方向的总长度和沿着不同于第一方向的第二方向的宽度。总长度是介电层中的贯通孔的第一长度和器件衬底中的贯通孔的第二长度的总和。第一长度小于第二长度。保护环设置在介电层中和贯通孔周围。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法、半导体布置。
-
公开(公告)号：CN115831925A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210719114.6
申请日：2022-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 提供了集成电路(IC)结构及其形成方法。根据本发明的IC结构包括衬底、位于衬底上方的互连结构、设置在互连结构中的保护环结构、垂直延伸穿过保护环结构的通孔结构、以及设置在保护环结构和通孔结构正上方并且接触保护环结构和通孔结构的顶部金属部件。保护环结构包括多个保护环层。多个保护环层中的每个保护环层包括下部部分和设置在下部部分上方的上部部分。多个保护环层的下部部分和上部部分的面向通孔结构的侧壁基本垂直对齐，以形成保护环结构的平滑内表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115863287A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211038651.0
申请日：2022-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/762 , H01L23/528
Abstract: 示例性半导体结构包括具有第一侧和第二侧的器件衬底。介电层设置在器件衬底的第一侧上方。通孔沿第一方向延伸穿过介电层并且穿过器件衬底从第一侧延伸至第二侧。保护环设置在介电层中和通孔周围。保护环包括沿第一方向堆叠的金属层。金属层包括第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁形成保护环的内侧壁。金属层的第一侧壁之间的重叠部分小于约10nm。重叠部分沿与第一方向不同的第二方向。本申请的实施例还涉及半导体布置和形成半导体结构的方法。
-
公开(公告)号：CN103456697A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310125458.5
申请日：2013-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L21/304 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L21/82 , H01L23/293 , H01L23/3135 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/564 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种器件，包括第一封装部件和在第一封装部件下面的并与其接合的第二封装部件。模制材料设置在第一封装部件下方并且模制为与第一封装部件和第二封装部件接触，其中，模制材料和第一封装部件形成界面。隔离区包括第一边缘，其中，隔离区的第一边缘与第一封装部件的第一边缘和模制材料的第一边缘接触。隔离区域的底部低于界面。本发明还提供了用于封装件的隔离环及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN118645491A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410632666.2
申请日：2024-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本公开的实施例提供了半导体结构。半导体结构包括：金属线，位于第一衬底上方；第二衬底，位于金属线上方；以及贯通孔，穿过第二衬底并且落在金属线上。贯通孔包括具有至少85％的(111)晶体取向的铜填充物。贯通孔包括位于底部部分上方的具有第一顶部宽度的顶部部分，底部部分具有第二顶部宽度，第二顶部宽度小于第一顶部宽度，并且顶部部分包括位于第一基脚部件上方的第一主体部分。第一主体部分具有第一侧壁，第一基脚部件具有第二侧壁，并且第二侧壁从第一侧壁向内倾斜，以使贯通孔从顶部部分的第一顶部宽度变窄到底部部分的第二顶部宽度。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体结构的方法。
-
公开(公告)号：CN117110831A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310851753.2
申请日：2023-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种测试设备、测试系统，以及测试方法。测试设备包含测试工具的插座用以提供测试信号。受测装置(DUT)板用以提供电气路由。集成电路(IC)晶粒安置在该插座与该DUT板之间。该些测试信号通过该DUT板电气地路由至该IC晶粒。该IC晶粒包括基板，多个晶体管形成在该基板中。第一结构含有多个第一金属化组件。第二结构含有多个第二金属化组件。该第一结构安置在该基板的第一侧之上。该第二结构安置在与该第一侧相反的该基板的第二侧之上。沟槽延伸穿过该DUT板且自该第二侧部分地延伸至该IC晶粒中。信号侦测工具用以侦测通过该IC晶粒产生的电气信号或光学信号。
-
公开(公告)号：CN103456697B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310125458.5
申请日：2013-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L21/304 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L21/82 , H01L23/293 , H01L23/3135 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/564 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种器件，包括第一封装部件和在第一封装部件下面的并与其接合的第二封装部件。模制材料设置在第一封装部件下方并且模制为与第一封装部件和第二封装部件接触，其中，模制材料和第一封装部件形成界面。隔离区包括第一边缘，其中，隔离区的第一边缘与第一封装部件的第一边缘和模制材料的第一边缘接触。隔离区域的底部低于界面。本发明还提供了用于封装件的隔离环及其形成方法。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.023 seconds)
