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发明公开
在锅炉内加工半导体晶圆的方法无效

公开(公告)号：CN109560013A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811087111.5

申请日：2018-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗健伦 , 涂纪诚 , 陈丰裕 , 苏元孝 , 黄奕齐 , 杨岳庭 , 赵书汉

IPC: H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/52

Abstract: 本公开多个实施例提供一种在锅炉内加工多个半导体晶圆的方法。上述方法包括形成一薄膜在每一半导体晶圆上。上述方法还包括在形成薄膜的期间，控制锅炉的温度在一第一热模式下。在第一热模式下，锅炉中顺序排列的一第一端控温区、一中间控温区、及一第二端控温区的温度依序递增。上述方法还包括在形成薄膜之后，控制锅炉的温度在一第二热模式下。在第二热模式下，第一端控温区、中间控温区、及第二端控温区的温度依序递减。

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