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公开(公告)号：CN119008588A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410897941.3
申请日：2024-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/223 , H01L21/265 , H01L21/56
Abstract: 一种方法包括将第一半导体裸晶以及第二半导体裸晶接合至基板，其中间隙设置在第一半导体裸晶的第一侧壁以及第二半导体裸晶的第二侧壁之间；执行等离子体处理以利用第一掺杂剂掺杂第一半导体裸晶以及第二半导体裸晶中的每一个的顶部表面以及侧壁，其中第一侧壁中的第一掺杂剂的浓度在从第一半导体裸晶的顶部表面朝向第一半导体裸晶的底部表面的纵向方向上降低，且第二侧壁中的第一掺杂剂的浓度在从第二半导体裸晶的顶部表面朝向第二半导体裸晶的底部表面的纵向方向上降低；以及利用旋涂介电材料填充间隙。
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公开(公告)号：CN109556648A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810852789.1
申请日：2018-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01D21/00
Abstract: 在此提供半导体制造设备中的故障检测方法，包括根据一工艺投货中的多个工艺事件，处理一制造工具中的一半导体晶圆，在这些工艺事件中的一特定工艺事件中，测量该制造工具中的一湿度，比较在该特定工艺事件中测量到的湿度与该特定工艺事件关联的一湿度期望值，并基于该比较结果，当所述测量到的湿度与该湿度期望值之间的一差值超过与该特定工艺事件关联的一可接受数值范围时，指示一警报状态。
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公开(公告)号：CN109725555B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201711039651.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 本公开提供一种制造机台的状况监控方法。上述方法包括在一半导体制造机台中依据一制造流程的多个操作程序来处理一基板。上述方法还包括在各操作程序中，量测来自半导体制造机台的一实际振动波形。上述方法还包括比较在其中一操作程序中所量测到的实际振动波形和关联于该操作程序的一预期振动波形。此外，上述方法包括基于上述比较，在实际振动波形与预期振动波形上对应的数据点之间的一振幅差值超出一可接受的数值范围时，发出一警示。
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公开(公告)号：CN109725555A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201711039651.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 本公开提供一种制造机台的状况监控方法。上述方法包括在一半导体制造机台中依据一制造流程的多个操作程序来处理一基板。上述方法还包括在各操作程序中，量测来自半导体制造机台的一实际振动波形。上述方法还包括比较在其中一操作程序中所量测到的实际振动波形和关联于该操作程序的一预期振动波形。此外，上述方法包括基于上述比较，在实际振动波形与预期振动波形上对应的数据点之间的一振幅差值超出一可接受的数值范围时，发出一警示。
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公开(公告)号：CN109560013A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811087111.5
申请日：2018-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开多个实施例提供一种在锅炉内加工多个半导体晶圆的方法。上述方法包括形成一薄膜在每一半导体晶圆上。上述方法还包括在形成薄膜的期间，控制锅炉的温度在一第一热模式下。在第一热模式下，锅炉中顺序排列的一第一端控温区、一中间控温区、及一第二端控温区的温度依序递增。上述方法还包括在形成薄膜之后，控制锅炉的温度在一第二热模式下。在第二热模式下，第一端控温区、中间控温区、及第二端控温区的温度依序递减。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119132975A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411012245.6
申请日：2024-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种形成半导体封装的方法。所述方法包括形成从基板的顶表面凹陷的微透镜，微透镜的表面与基板的顶表面之间形成凹形区域。所述方法包括使用旋涂制程沉积填充凹形区域的一部分的第一介电材料。所述方法包括使用化学气相沉积制程沉积填充凹形区域的剩余部分并覆盖基板的顶表面的第二介电材料。所述方法包括平坦化第二介电材料。所述方法包括在平坦化的第二介电材料上以及基板的顶表面之上形成接合层。所述方法包括经由接合层将半导体晶圆接合至基板。
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公开(公告)号：CN113140437A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110088298.6
申请日：2021-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67 , H01L21/265 , F17D1/02 , F17D3/01 , F17D5/00 , F17D5/02
Abstract: 一种离子布植系统以及用于离子布植的气体运输的方法。离子布植系统包括具有离子源单元的离子布植机和掺杂剂源气体供应系统。此系统包括位于远离离子布植机的气箱容器内部的掺杂剂源气体储存罐，以及用以将掺杂剂源气体从掺杂剂源气体储存罐供应到离子源单元的掺杂剂源气体供应管。掺杂剂源气体供应管包括内管、包围内管的外管、连接至相应的内管和外管的第一端的第一管转接器，以及连接至相应的内管和外管的第二端的第二管转接器。第一管转接器将内管连接到掺杂剂源气体储存罐，而第二管转接器将内管连接到离子源单元。
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公开(公告)号：CN113140437B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110088298.6
申请日：2021-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67 , H01L21/265 , F17D1/02 , F17D3/01 , F17D5/00 , F17D5/02
Abstract: 一种离子布植系统以及用于离子布植的气体运输的方法。离子布植系统包括具有离子源单元的离子布植机和掺杂剂源气体供应系统。此系统包括位于远离离子布植机的气箱容器内部的掺杂剂源气体储存罐，以及用以将掺杂剂源气体从掺杂剂源气体储存罐供应到离子源单元的掺杂剂源气体供应管。掺杂剂源气体供应管包括内管、包围内管的外管、连接至相应的内管和外管的第一端的第一管转接器，以及连接至相应的内管和外管的第二端的第二管转接器。第一管转接器将内管连接到掺杂剂源气体储存罐，而第二管转接器将内管连接到离子源单元。
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公开(公告)号：CN118610097A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410512241.8
申请日：2024-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及封装装置及其形成方法。一种工艺包括在第一工件和设置在其上的装置之上沉积边缘填充电介质。边缘填充电介质被图案化，使得仅边缘部分保留下来。在第一工件、装置和边缘填充电介质之上形成第二介电材料。平坦化工艺使第二介电材料与装置齐平。在其上形成结合层，并通过电介质与电介质键结将第二工件结合到其上。
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