公开(公告)号：CN1667825B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200510008634.2

申请日：2005-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯锦珊 ,  翁烔城 ,  杨瑞玲 ,  吴俊毅

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3677 ,  G06F17/5077 ,  G06F2217/80 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是一种金属导线结构及其制程，所述金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层中，并经由至少两接触插栓与上层导线片段形成电性接触。本发明能够降低因电流通过导线所产生的焦耳热，以提升集成电路长久可靠度表现。

公开(公告)号：CN1667825A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510008634.2

申请日：2005-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯锦珊 ,  翁烔城 ,  杨瑞玲 ,  吴俊毅

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3677 ,  G06F17/5077 ,  G06F2217/80 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是一种金属导线结构及其制程，所述金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层中，并经由至少两接触插栓与上层导线片段形成电性接触。本发明能够降低因电流通过导线所产生的焦耳热，以提升集成电路长久可靠度表现。

公开(公告)号：CN2775841Y

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200520005163.5

申请日：2005-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯锦珊 ,  翁烔城 ,  杨瑞玲 ,  吴俊毅

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3677 ,  G06F17/5077 ,  G06F2217/80 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型是一种金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层中，并经由至少两接触插栓与上层导线片段形成电性接触。本实用新型能够降低因电流通过导线所产生的焦耳热，以提升集成电路长久可靠度表现。