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公开(公告)号：CN1667825B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200510008634.2
申请日：2005-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/3677 , G06F17/5077 , G06F2217/80 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种金属导线结构及其制程，所述金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层中，并经由至少两接触插栓与上层导线片段形成电性接触。本发明能够降低因电流通过导线所产生的焦耳热，以提升集成电路长久可靠度表现。
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公开(公告)号：CN1667825A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510008634.2
申请日：2005-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/3677 , G06F17/5077 , G06F2217/80 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种金属导线结构及其制程，所述金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层中，并经由至少两接触插栓与上层导线片段形成电性接触。本发明能够降低因电流通过导线所产生的焦耳热，以提升集成电路长久可靠度表现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103165466A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210192150.8
申请日：2012-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/42376 , H01L29/66545 , H01L29/78
Abstract: 所描述的方法包括提供半导体衬底。在半导体衬底上方形成第一栅极结构，并且邻近第一栅极结构形成牺牲栅极结构。使用代替栅极方法，可以将牺牲栅极结构用于形成金属栅极结构。形成覆盖第一栅极结构和牺牲栅极结构的介电层。介电层在第一栅极结构的顶面上方具有第一厚度，并且在牺牲栅极结构的顶面上方具有的第二厚度，第二厚度小于第一厚度(例如，参见图5、图15、图26)。从而，介电层的随后平坦化工艺可以不与第一栅极结构接触。本发明还提供了包括多晶硅电阻器和金属栅极电阻器的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103165466B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210192150.8
申请日：2012-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/42376 , H01L29/66545 , H01L29/78
Abstract: 所描述的方法包括提供半导体衬底。在半导体衬底上方形成第一栅极结构，并且邻近第一栅极结构形成牺牲栅极结构。使用代替栅极方法，可以将牺牲栅极结构用于形成金属栅极结构。形成覆盖第一栅极结构和牺牲栅极结构的介电层。介电层在第一栅极结构的顶面上方具有第一厚度，并且在牺牲栅极结构的顶面上方具有的第二厚度，第二厚度小于第一厚度(例如，参见图5、图15、图26)。从而，介电层的随后平坦化工艺可以不与第一栅极结构接触。本发明还提供了包括多晶硅电阻器和金属栅极电阻器的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101567360B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200910133930.3
申请日：2009-04-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出一种电致熔丝及其编程方法。一种电致熔丝，包括：在非掺杂和轻掺杂多晶硅层上的低层硅化物层，高层导电层，以及连接在低层硅化物层和高层导电层之间的钨接触孔。钨接触孔和硅化物层的颈部是电致熔丝的可编程部分。通过第一程序阶段消耗硅化物层内的硅化物，之后通过第二程序阶段消耗钨接触孔内的钨，得到高的编程后电阻。
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公开(公告)号：CN101567360A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910133930.3
申请日：2009-04-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出一种电致熔丝及其编程方法。一种电致熔丝，包括：在非掺杂和轻掺杂多晶硅层上的低层硅化物层，高层导电层，以及连接在低层硅化物层和高层导电层之间的钨接触孔。钨接触孔和硅化物层的颈部是电致熔丝的可编程部分。通过第一程序阶段消耗硅化物层内的硅化物，之后通过第二程序阶段消耗钨接触孔内的钨，得到高的编程后电阻。
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公开(公告)号：CN2775841Y
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200520005163.5
申请日：2005-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/3677 , G06F17/5077 , G06F2217/80 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型是一种金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层中，并经由至少两接触插栓与上层导线片段形成电性接触。本实用新型能够降低因电流通过导线所产生的焦耳热，以提升集成电路长久可靠度表现。
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