公开(公告)号：CN101140930B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710141046.5

申请日：2007-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄麒铨 ,  林世安 ,  徐振富

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L27/02 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66484 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，包括一电容器及一相邻的高电压栅极，其具有一硼阻障层，此硼阻障层可作为电容器介电层及高电压栅极氧化层。硼阻障层较佳形成于一多晶硅氧化层之上，多晶硅氧化层依序沉积于基板上，而基板可掺杂杂质以形成相邻的阱区，电容器形成于n型阱之上，且HV栅极形成于p型阱上。此硼阻障层可降低或消除在沉积栅极氧化材料时由p型阱扩散出来的硼及其所造成的不良影响。

公开(公告)号：CN101140930A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710141046.5

申请日：2007-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄麒铨 ,  林世安 ,  徐振富

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L27/02 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66484 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，包括一电容器及一相邻的高电压栅极，其具有一硼阻障层，此硼阻障层可作为电容器介电层及高电压栅极氧化层。硼阻障层较佳形成于一多晶硅氧化层之上，多晶硅氧化层依序沉积于基板上，而基板可掺杂杂质以形成相邻的阱区，电容器形成于n型阱之上，且HV栅极形成于p型阱上。此硼阻障层可降低或消除在沉积栅极氧化材料时由p型阱扩散出来的硼及其所造成的不良影响。