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公开(公告)号：CN107783367B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201710508663.8
申请日：2017-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/26
Abstract: 提供一种相位移光掩模，其包括透光基板、透光基板上的蚀刻停止层、以及蚀刻停止层上的可调的透光材料层。可调的透光材料层图案化以具有开口，其设计以提供相位移并具有大于90％的透光度。
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公开(公告)号：CN109581806A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810141775.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种从光掩模移除护膜的方法包括从护膜框架移除膜片的一部分，其中在所述移除所述膜片的所述部分之后，所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。所述方法进一步包括对所述光掩模进行清洁。
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公开(公告)号：CN109581804A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811083041.6
申请日：2018-09-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林云跃
IPC: G03F1/24
Abstract: 一种制造极紫外光掩模的方法，包括在掩模基板的第一主表面上方形成钼/硅多层堆叠，上述钼/硅多层堆叠包括交替的钼层及硅层。在上述钼/硅多层堆叠上方形成覆盖层。在上述覆盖层上形成吸收层。在上述吸收层上方形成硬掩模层。图案化上述硬掩模层，以形成硬掩模层图案。上述硬掩模层图案延伸到上述吸收层中，以露出上述覆盖层以及形成掩模图案。在上述掩模图案周围形成边界图案。上述边界图案延伸通过上述钼/硅多层堆叠以露出上述掩模基板以及形成围绕上述掩模图案的沟槽。沿着上述沟槽的侧壁形成钝化层。
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公开(公告)号：CN108121152A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710896173.X
申请日：2017-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/42 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/62 , G03F1/76
Abstract: 提供一种微影光掩模，包括基板，其包含低热膨胀材料。反射结构位于基板的第一侧上。吸收层位于反射结构上。吸收层包含一或多个第一重叠标记。导电层位于基板的第二侧上，且基板的第一侧与第二侧对向设置。导电层包含部份的一或多个第二重叠标记。在一些实施例中，微影光掩模包含极紫外线微影光掩模。
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公开(公告)号：CN103365069B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201210580668.9
申请日：2012-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制造具有碳基电荷消散(CBCD)层的光刻掩模的方法。所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上沉积不透明层，涂覆光刻胶，以及在所述光刻胶上方或者下方沉积电荷消散层。通过电子束写入图案化所述光刻胶。在对所述光刻胶进行显影期间去除所述CBCD层。本发明还公开了一种制造光刻掩模的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105023832A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510165819.8
申请日：2015-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种用于极紫外(EUV)掩模的光刻系统。光刻系统包括耦合模块。耦合模块包括配置为接触EUV掩模的外围区域的至少一个掩模接触元件。光刻系统也包括具有通过至少一个掩模接触元件电连接至EUV掩模的一端和连接至地电位的另一端的安培计。安培计包括配置为测量从EUV掩模传导至地电位的电流的传感器和配置为提供与通过传感器测量的电流相反的补偿电流的补偿电路。本发明还涉及用于图案化EUV掩模上的光刻胶层的光刻系统和方法。
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公开(公告)号：CN119937250A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411860666.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种薄膜深紫外线反射率映射方法、薄膜深紫外线反射率映射仪及光刻术曝光方法。使用具有深紫外线(deep ultraviolet，DUV)光源和DUV分光光度计的DUV反射率测量组件来取得极紫外线(extreme ultraviolet，EUV)薄膜的二维深紫外线反射率图。可以显示二维DUV反射率图的表示图。另外或替代地，可以通过分析二维DUV反射率图来判定EUV薄膜是否可用于没有动态气锁DUV光反射膜的EUV光刻，并输出该判定的指示。响应于判定EUV薄膜可用，可以将EUV薄膜安装在EUV光刻术掩模上以形成EUV掩模组件，并且使用EUV掩模组件执行EUV光刻术，以在设置在半导体晶片表面上的EUV光敏感光刻胶层上和/或在设置在半导体晶片表面上的EUV光敏感光刻胶层中，形成光掩模的EUV反射区域和吸收区域的图案的潜像。
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公开(公告)号：CN114859653A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210488674.5
申请日：2015-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种护膜结构、护膜掩模结构和护膜结构的形成方法。护膜结构包括由碳基材料制成的护膜薄膜。此外，护膜薄膜被配置为在光刻工艺中保护掩模结构。护膜掩模结构包括在掩模衬底上方形成有掩模图案的掩模衬底和设置在掩模衬底上的护膜框架。护膜掩模结构还包括设置在护膜框架上的护膜薄膜。
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公开(公告)号：CN110416069A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910353829.2
申请日：2019-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林云跃
IPC: H01L21/033
Abstract: 本公开涉及用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。一种用于EUV光掩模的薄膜包括基膜层、设置在所述基膜层上方的核心层、以及设置在所述核心层上方的一个或多个金属层。
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公开(公告)号：CN108231554A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710889749.X
申请日：2017-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033
CPC classification number: G03F1/62 , G03F1/24 , H01L21/0332 , H01L21/0331 , H01L21/0337
Abstract: 本申请实施例提供半导体元件的制造方法，包括形成第一介电层于基板的背表面之上；在形成第一介电层之后，形成石墨烯层于基板的前表面之上；在形成石墨烯层之后，图案化第一介电层以于第一介电层中形成开口，其露出基板的背表面的一部分；当使用图案化的第一介电层为罩幕时，对基板的背表面进行蚀刻工艺以形成护膜，其具有包括石墨烯层的护膜膜片。
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