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公开(公告)号：CN106575076A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043465.8
申请日：2015-07-27
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： P.休伯
CPC分类号： G03F1/24 , G01N21/33 , G03F1/44 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/60 , G03F7/70058 , G03F7/70591 , G03F7/70616 , G03F7/70941
摘要： 本发明涉及用于EUV光刻的掩模(M)，包括：基底(7)，由设计用于反射EUV辐射(27)的多层涂层(8)的表面(8a)形成的第一表面区域(A1)，所述表面(8a)背朝基底(7)，以及由设计用于反射DUV辐射(28)并且抑制EUV辐射(27)的反射的另外的涂层(18)的表面(18a)形成的第二表面区域(A2)，表面(18a)背朝基底(7)。另外的涂层是多层涂层(18)。本发明还涉及包括这样的掩模(M)的EUV光刻设备以及用于确定当将掩模(M)成像到光敏层上时由DUV辐射(28)引起的对比度比例的方法。
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公开(公告)号：CN103809369A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310724734.X
申请日：2006-07-20
申请人： 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC分类号： G03F1/62
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , Y10T428/24917 , Y10T428/31616
摘要： 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
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公开(公告)号：CN101261440B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200710146403.7
申请日：2007-03-09
申请人： 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
摘要： 本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
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公开(公告)号：CN101443886B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780017495.7
申请日：2007-05-29
申请人： HOYA株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
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公开(公告)号：CN101052917B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200580036565.4
申请日：2005-09-08
申请人： 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC分类号： G03F1/08
摘要： 本发明涉及一种光掩模坯料及光掩模，其是形成在透明基板上设置了具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模的原材料，是在透明基板上，经过或不经过其它的膜(A)形成1层或2层以上的遮光膜，构成上述遮光膜的层的至少1层(B)作为主要成分含有硅和过渡金属，而且硅和过渡金属的摩尔比是硅∶金属＝4～15∶1(原子比)的光掩模坯料及使用该光掩模坯料在透明基板上形成具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模。
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公开(公告)号：CN101268417A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034585.2
申请日：2006-09-19
申请人： 大日本印刷株式会社
IPC分类号： G03F1/08
摘要： 本发明涉及一种具有灰度的光掩模及其制造方法，在用于减少光刻工序数的具有灰度的光掩模中，使用通用的光掩模坯料，防止遮光膜的反射率升高，且半透明膜图案形成时的对准容易，可在遮光膜图案上阶梯覆盖良好地形成半透明膜，所述具有灰度的光掩模(100)，在透明基板上具有所希望的图案，且形成图案的膜由实质上不能透过曝光光的遮光膜(114)、和以所希望的透射率透过曝光光的半透明膜(113)构成，在透明基板(101)上混在按顺序层叠遮光膜(114)和半透明膜(113)而存在的遮光区域、只有半透明膜(113)存在的半透明区域、及遮光膜(114)和半透明膜(113)都不存在的透射区域，其特征在于，半透明膜(113)相对于曝光光具有防反射功能。
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公开(公告)号：CN107153325A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710120181.5
申请日：2017-03-02
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 提供光掩模坯，其包括透明基板和其上设置的遮光膜。该遮光膜由单层或多层构成，该单层或多层包括遮光层，该遮光层含有Si和N，基于Si和N的合计，具有3‑50at％的N含量，不含过渡金属。
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公开(公告)号：CN102681332B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210129722.8
申请日：2007-05-29
申请人： HOYA株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
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公开(公告)号：CN103424984A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182559.6
申请日：2013-05-16
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： G03F1/62
CPC分类号： C23C14/0641 , C23C14/0676 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/352 , G03F1/00 , G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F7/20 , H01J37/34 , H01J37/3426 , H01J37/3429
摘要： 本发明涉及光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置。本发明提供光学浓度等特性的偏差小且缺陷少品质高、并且具有高蚀刻速度的功能性膜的制造技术。本发明的光掩模坯料的制造方法中，在制造透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料时，功能性膜由含有铬元素和与铬的混合体系成为液相的温度为400℃以下的金属元素的铬系材料构成，在形成该功能性膜的工序中，使铬靶(靶A)和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶(靶B)同时溅射(共溅射：Co-Sputtering)。另外，除了可以采用上述靶A和靶B各使用一个的方式以外，还可以采用其中任意一种靶使用多个的方式或两种靶都使用多个的方式。
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