公开(公告)号：CN108121152B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201710896173.X

申请日：2017-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  林云跃 ,  陈嘉仁 ,  林志诚 ,  严涛南 ,  林进祥

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/76

Abstract: 提供一种微影光掩模，包括基板，其包含低热膨胀材料。反射结构位于基板的第一侧上。吸收层位于反射结构上。吸收层包含一或多个第一重叠标记。导电层位于基板的第二侧上，且基板的第一侧与第二侧对向设置。导电层包含部份的一或多个第二重叠标记。在一些实施例中，微影光掩模包含极紫外线微影光掩模。

公开(公告)号：CN107885029B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201610863472.9

申请日：2016-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈炫辰 ,  王宣懿 ,  林云跃 ,  林志诚 ,  李信昌

IPC: G03F1/62

Abstract: 本揭露提供一种薄膜组件的制造方法，包括在一晶圆上形成一第一材料层，第一材料层为一透光薄膜。在第一材料层上形成一第二材料层。在第二材料层内形成一开口，开口露出第一材料层的一中心部分。在第二材料层内形成一沟槽，沟槽环绕开口。在第二材料层上形成一保护层，保护层填入开口，以覆盖第一材料层的中心部分。沿着沟槽进行一激光工艺，使得沟槽延伸穿过第二材料层及第一材料层，以去除沟槽外侧的第二材料层及第一材料层。在进行激光工艺之后，去除保护层及晶圆，以形成一薄膜组件。

公开(公告)号：CN107885029A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201610863472.9

申请日：2016-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈炫辰 ,  王宣懿 ,  林云跃 ,  林志诚 ,  李信昌

IPC: G03F1/62

CPC classification number: G03F1/62

Abstract: 本揭露提供一种薄膜组件的制造方法，包括在一晶圆上形成一第一材料层，第一材料层为一透光薄膜。在第一材料层上形成一第二材料层。在第二材料层内形成一开口，开口露出第一材料层的一中心部分。在第二材料层内形成一沟槽，沟槽环绕开口。在第二材料层上形成一保护层，保护层填入开口，以覆盖第一材料层的中心部分。沿着沟槽进行一激光工艺，使得沟槽延伸穿过第二材料层及第一材料层，以去除沟槽外侧的第二材料层及第一材料层。在进行激光工艺之后，去除保护层及晶圆，以形成一薄膜组件。

公开(公告)号：CN106997847A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201611255242.0

申请日：2016-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马正鑫 ,  吴小真 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  林志诚 ,  林云跃

IPC: H01L21/033

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/62 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明实施例揭示一种表膜及其制造方法。制造表膜的方法包括：提供支撑衬底；形成氧化物层于支撑衬底上方；形成金属层于氧化物层上方；形成石墨烯层于金属层上方；以及去除支撑衬底与氧化物层的至少一部分。一种相关的方法包括：提供支撑衬底；形成第一碳化硅SiC层或钻石层于支撑衬底上方；形成石墨烯层于SiC层或钻石层上方；以及去除支撑衬底与第一碳化硅SiC或钻石层的至少一部分；其中表膜对于极紫外EUV辐射为具有至少部分可穿透性。本揭露还提供相关的表膜。

公开(公告)号：CN109814331A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201810994414.9

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  林秉勋 ,  何彦政 ,  林志诚 ,  陈嘉仁

IPC: G03F1/50

Abstract: 制作光掩模的方法包括以射线选择性曝光空白光掩模的部分，改变空白光掩模曝光至射线的部分的光学性质，因此形成空白光掩模的曝光部分与未曝光部分的图案。图案对应多个半导体装置结构的图案。

公开(公告)号：CN106200274B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201510860072.8

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  林志诚 ,  李信昌 ,  连大成 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种表膜组件和其制造方法，所述方法包含制造包含侧壁的表膜框架，所述侧壁具有多孔材料。在一些实施例中，所述表膜框架经受阳极化过程以形成所述多孔材料。所述多孔材料包含在垂直于所述侧壁的外部表面的方向上从所述侧壁的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道。在各种实施例中，形成表膜薄膜，且所述表膜薄膜附接到所述表膜框架使得所述表膜薄膜由所述表膜框架悬置。本文中所揭示的一些实施例进一步提供包含薄膜和表膜框架的系统，所述表膜框架固定跨越所述表膜框架的所述薄膜。在一些实例中，所述表膜框架的一部分包含多孔材料，其中所述多孔材料包含所述多个孔隙通道。

公开(公告)号：CN109143801A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710690064.2

申请日：2017-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  陈嘉仁 ,  林志诚 ,  林秉勋

IPC: G03F9/00

Abstract: 一种光掩模包括：图案区；以及多个缺陷，位于所述图案区中。所述光掩模进一步包括：第一基准标记，位于所述图案区之外，其中所述第一基准标记包括所述光掩模的识别信息，所述第一基准标记具有第一大小及第一形状。所述光掩模进一步包括：第二基准标记，位于所述图案区之外。所述第二基准标记具有：第二大小，不同于所述第一大小，或者第二形状，不同于所述第一形状。

公开(公告)号：CN108231554A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710889749.X

申请日：2017-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林云跃 ,  陈炫辰 ,  林志诚 ,  李信昌 ,  辜耀进 ,  罗唯仁 ,  严涛南 ,  林进祥 ,  钱志道

IPC: H01L21/033

CPC classification number: G03F1/62 ,  G03F1/24 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/0337

Abstract: 本申请实施例提供半导体元件的制造方法，包括形成第一介电层于基板的背表面之上；在形成第一介电层之后，形成石墨烯层于基板的前表面之上；在形成石墨烯层之后，图案化第一介电层以于第一介电层中形成开口，其露出基板的背表面的一部分；当使用图案化的第一介电层为罩幕时，对基板的背表面进行蚀刻工艺以形成护膜，其具有包括石墨烯层的护膜膜片。

公开(公告)号：CN108121152A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710896173.X

申请日：2017-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  林云跃 ,  陈嘉仁 ,  林志诚 ,  严涛南 ,  林进祥

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/76

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/26 ,  G03F1/42 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/62 ,  G03F1/76

Abstract: 提供一种微影光掩模，包括基板，其包含低热膨胀材料。反射结构位于基板的第一侧上。吸收层位于反射结构上。吸收层包含一或多个第一重叠标记。导电层位于基板的第二侧上，且基板的第一侧与第二侧对向设置。导电层包含部份的一或多个第二重叠标记。在一些实施例中，微影光掩模包含极紫外线微影光掩模。

公开(公告)号：CN107015431B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201611063636.6

申请日：2016-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈炫辰 ,  林云跃 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林志诚 ,  陈政宏

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的装置。该装置包括具有导热表面的薄膜；多孔薄膜框架；以及将薄膜固定至多孔薄膜框架的导热粘合层。多孔薄膜框架包括从多孔薄膜框架的外表面连续延伸至多孔薄膜框架的内表面的多个孔道。本发明的实施例还涉及用于先进光刻的薄膜组件和方法。