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公开(公告)号：CN102637614B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110234991.6
申请日：2011-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N21/8806 , G01N21/55 , G01N21/59 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/558 , G01N2021/8809 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种消除错误缺陷检测方法与系统，该方法用以检查一制造产品，包括一第一测试单元将一第一测试制范应用在制造产品中，用以鉴别产品缺陷，其中第一测试制范产生缺陷候选者的一第一集合；一第二测试单元将一第二测试制范应用在制造产品中，用以鉴别产品缺陷，其中第二测试制范产生缺陷候选者的一第二集合，并且第二测试制范不同于第一测试制范；以及一错误缺陷检测单元借由消除缺陷候选者的第一集合中未被缺陷候选者的第二集合鉴别为缺陷的部分，以便产生一第一已过滤缺陷集合。本发明适用于现有的测试方法和测试硬件，使得增加生产力而不用在增加大量的资出来具以实现。
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公开(公告)号：CN101533215A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810211553.6
申请日：2008-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 本发明是有关于一种用于制造集成电路掩模的工具和方法。此工具至少包含灵敏度模块和检测单元。灵敏度模块是设计来指派图案特征至不同的资料型态，而检测单元是设计来根据相关的灵敏度来修复图案特征，其中每一灵敏度是藉由至少一阈值和像素来决定。此方法包含：指派图案特征至不同的资料型态；写入图案特征至掩模上；根据被指派的资料型态来检测具有不同灵敏度的图案特征；以及根据检测图案特征的步骤来修复掩模上的图案特征。本发明的实施例对于不同的图案特征(例如：主要特征、辅助特征和假性特征)使用不同的检测标准和检测及修复工具，如此可降低制造成本(检测成本和修复成本)及提高产出率。
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公开(公告)号：CN109426065A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711085885.X
申请日：2017-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明实施例提供一种制作掩模底版的方法包括在衬底的上方沉积反射性多层；在所述反射性多层的上方沉积顶盖层；在所述顶盖层的上方沉积吸收体层；以及在所述吸收体层的上方沉积减反射涂布层。所述减反射涂布层是单一材料膜。
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公开(公告)号：CN107290929A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710191261.X
申请日：2017-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/76
Abstract: 在一些实施例中，图案化的光刻胶具有多个屏蔽层。在一些实施例中，描述了用于掩模图案化的光掩模。光掩模包括位于透明层上方的相移层。光掩模还包括位于相移层上方的第一屏蔽层。第一屏蔽层具有第一厚度和第一光密度。光掩模还包括位于第一屏蔽层上方的第二屏蔽层。第二屏蔽层具有第二厚度和第二光密度。第二厚度小于第一薄度，并且第二光密度小于第一光密度。本发明实施例涉及具有多个屏蔽层的光掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102315316B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201110022187.1
申请日：2011-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光伏电池以及半导体元件的制作方法，该光伏电池的制作方法包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一表面与一第二表面，该第二表面相对于该第一表面；在该半导体基板中形成一邻近该第一表面的第一掺杂区；进行一纳米压印工艺与一蚀刻工艺以于该半导体基板中形成一沟槽，该沟槽自该第一表面延伸入该半导体基板中；于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度；以及以一导电材料填满该沟槽。本发明可高效率且符合成本效益地量产光伏电池。
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公开(公告)号：CN102299197B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201010552495.0
申请日：2010-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/03928 , H01L31/0463 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开光伏装置及薄膜太阳能电池的制备方法。本光伏装置的制造方法包括利用纳米压印(nanoimprint)技术定义光伏装置的各个电池单元，以制备光伏电池。本方法可包括提供一基板；在基板上形成第一导电层；以纳米压印及蚀刻工艺在第一导电层中形成第一凹槽；在第一导电层上形成吸收层，该吸收层填入第一凹槽中；以纳米压印工艺在吸收层中形成第二凹槽；在吸收层上形成第二导电层，该第二导电层填入第二凹槽中；在第二导电层及吸收层中形成第三凹槽，从而定义光伏电池单元。本发明的纳米压印提供高准确图案化，光伏电池中对位可因而提升。再者，纳米压印技术与传统制造方法相反，可轻易的进行传统的卷轴式制造工艺，而简化光伏装置的制造，并降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102385649A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110044064.8
申请日：2011-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/84 , G06T7/001 , G06T2207/30148
Abstract: 本发明提供一种检测光学微影光罩的方法及系统与装置，其中接收到一设计数据库，并通过一偏向因子(Bias Factor)来调整此设计数据库的一图形，以产生被偏置的数据库(Biased Database)。对此被偏置的数据库进行影像显示(Image Rendering)，以产生被偏置的影像。亦使用此设计数据库来产生一光罩，而此光罩被造影产生一光罩影像。比较被偏置的影像与光罩影像，而可基于此比较来决定此偏向因子的一新数值。
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公开(公告)号：CN119960252A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411882040.3
申请日：2024-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 蔡沛勋 , 黎君裔 , 陈泓霖 , 冀天齐 , 钟博文 , 钟承恩 , 许景河 , 庄郁凡 , 陈昱庭 , 徐闵庭 , 魏川育 , 黄健朝 , 蔡飞国 , 涂志强 , 翁睿均 , 张佑诚 , 陈庆跃 , 林云跃 , 王大钧
IPC: G03F1/48
Abstract: 一种光掩模保护薄膜、光掩模保护膜组装件及其形成方法。光掩模保护薄膜由特定结构的核心层和二个顶盖层形成。在一些实施例中，核心层包括高百分比的Mo3Si晶相。在其他实施例中，顶盖层包括氮氧化硅或碳氮化硅。所得光掩模保护膜兼具用于EUV光的高透射率和用于EUV和DUV光的低反射率。
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公开(公告)号：CN113805426B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202110312358.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 根据本发明的光刻掩模组件随附光刻掩模。该光刻掩模包括在衬底上方的覆盖层和设置在覆盖层上方的吸收层。该吸收层包括第一主部件区域、第二主部件区域，以及设置在第一主部件区域与第二主部件区域之间的通风部件区域。该通风部件区域包括多个通风部件。本申请的实施例还涉及制造光刻掩模组件的方法。
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