公开(公告)号：CN103488042B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210365270.3

申请日：2012-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王宏钧 ,  林子钦 ,  林家吉 ,  郑年富 ,  陈政宏 ,  黄文俊 ,  刘如淦

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3026 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70475 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31771

Abstract: 本发明描述了一种通过电子束光刻系统形成图案的方法。方法包括接收具有多边形和禁止图案的集成电路(IC)设计布局数据，使用电子邻近校正(EPC)技术修改多边形和禁止图案，将修改的多边形条纹化为子区，将条纹化多边形转换为电子束写入格式数据，以及通过电子束写入装置将电子束写入格式的多边形写到衬底上。条纹化修改的多边形包括找到作为参考层的修改的禁止图案，以及缝合修改的多边形以避免缝合修改的禁止图案。本发明还提供了用于高容量电子束光刻的方法。

公开(公告)号：CN103488042A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201210365270.3

申请日：2012-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王宏钧 ,  林子钦 ,  林家吉 ,  郑年富 ,  陈政宏 ,  黄文俊 ,  刘如淦

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3026 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70475 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31771

Abstract: 本发明描述了一种通过电子束光刻系统形成图案的方法。方法包括接收具有多边形和禁止图案的集成电路(IC)设计布局数据，使用电子邻近校正(EPC)技术修改多边形和禁止图案，将修改的多边形条纹化为子区，将条纹化多边形转换为电子束写入格式数据，以及通过电子束写入装置将电子束写入格式的多边形写到衬底上。条纹化修改的多边形包括找到作为参考层的修改的禁止图案，以及缝合修改的多边形以避免缝合修改的禁止图案。本发明还提供了用于高容量电子束光刻的方法。