公开(公告)号：CN110581209B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201910035366.5

申请日：2019-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林耕汉 ,  郭宏瑞 ,  蔡惠榕

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

Abstract: 在一个实施例中，一种方法包括：将发光二极管连接到衬底；用光敏密封剂密封发光二极管；穿过邻近发光二极管的光敏密封剂形成第一开口；以及在第一开口中形成导电通孔。本发明的实施例还涉及半导体器件和方法。

公开(公告)号：CN110581209A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910035366.5

申请日：2019-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林耕汉 ,  郭宏瑞 ,  蔡惠榕

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

Abstract: 在一个实施例中，一种方法包括：将发光二极管连接到衬底；用光敏密封剂密封发光二极管；穿过邻近发光二极管的光敏密封剂形成第一开口；以及在第一开口中形成导电通孔。本发明的实施例还涉及半导体器件和方法。