公开(公告)号：CN115483137A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211214777.9

申请日：2018-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立钊 ,  邱钰凌 ,  杨裕隆 ,  林鸿彬

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明的实施例提供了一种真空装置，包括：处理室；传送室，连接至处理室，其中：传送室包括：一个或多个真空端口，自顶向下看，位于传送室内部且邻近传送室的侧壁设置，并且传送室内部的气体通过真空端口排出；和通气端口，自顶向下看，位于传送室内部且邻近传送室的侧壁设置，并且从通气端口供应通气气体，其中，自顶向下看，传送室的中心线通过传送室的几何中心和传送室的侧壁，一个或多个真空端口和通气端口布置为使得从通气端口的至少一个至一个或多个真空端口的气流相对于传送室的中心线线对称，在传送室的中心线上且在邻近传送室的侧壁处设置有至少一个共用通气端口。本发明的实施例还提供了一种操作真空装置的方法。

公开(公告)号：CN109786282A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810974509.4

申请日：2018-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立钊 ,  邱钰凌 ,  杨裕隆 ,  林鸿彬

IPC: H01L21/67

Abstract: 真空装置包括处理室和连接至处理室的传送室。传送室包括一个或多个真空端口，传送室内部的气体通过该真空端口排出；以及通气端口，从该通气端口供应通气气体。一个或多个真空端口和通气端口布置为使得从至少一个通气端口至一个或多个真空端口的气流相对于传送室的中心线线对称。本发明的实施例还涉及用于处理衬底或晶圆的真空装置。

公开(公告)号：CN113130319B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202110048995.9

申请日：2021-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立钊 ,  林鸿彬 ,  吴欣贤 ,  柯志明 ,  陈其贤 ,  罗明华

IPC: H01L21/324

Abstract: 在方法中，制备包括具有不同热膨胀系数的两种或更多种材料的结构，并且对该结构进行低温处理。在前述和以下实施例中的一个或多个中，该结构包括半导体晶圆，并且一个或多个层形成在该半导体晶圆上。本申请的实施例还涉及制造半导体器件和电子器件的方法。

公开(公告)号：CN113161218A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110080311.3

申请日：2021-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林鸿彬 ,  殷立钊 ,  陈世宗 ,  杨裕隆 ,  王盈杰 ,  黄秉恺 ,  叶书佑

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明实施例涉及用于蚀刻设备的边缘环、蚀刻设备及方法。根据本发明的一些实施例，一种设备包含：腔室；基座，其经配置以在所述腔室中接收及支撑半导体晶片；及边缘环，其安置于所述基座上方。所述边缘环包含：第一部分，其具有第一顶面；第二部分，其耦合到所述第一部分且具有低于所述第一顶面的第二顶面；及凹槽，其界定于所述第一部分中。所述第二顶面在所述半导体晶片下方。所述凹槽具有深度，且所述基座与所述凹槽的内表面之间的距离大体上等于所述凹槽的所述深度。

公开(公告)号：CN113130319A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110048995.9

申请日：2021-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立钊 ,  林鸿彬 ,  吴欣贤 ,  柯志明 ,  陈其贤 ,  罗明华

IPC: H01L21/324

Abstract: 在方法中，制备包括具有不同热膨胀系数的两种或更多种材料的结构，并且对该结构进行低温处理。在前述和以下实施例中的一个或多个中，该结构包括半导体晶圆，并且一个或多个层形成在该半导体晶圆上。本申请的实施例还涉及制造半导体器件和电子器件的方法。