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公开(公告)号：CN113130319B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110048995.9
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/324
Abstract: 在方法中，制备包括具有不同热膨胀系数的两种或更多种材料的结构，并且对该结构进行低温处理。在前述和以下实施例中的一个或多个中，该结构包括半导体晶圆，并且一个或多个层形成在该半导体晶圆上。本申请的实施例还涉及制造半导体器件和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN108226760B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201711066881.7
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/311
Abstract: 一种覆盖量测方法，包括：利用多彩光束照亮覆盖目标；搜集与由多彩光束通过覆盖目标而产生的衍射光谱有关的强度信息，其中衍射光谱将多彩光束分离为多个衍射光束，衍射光束的每一者分别对应至多彩光束的一波长；以及根据与衍射光谱有关的强度信息产生覆盖信息，覆盖信息包括因不对称性而产生的覆盖误差。
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公开(公告)号：CN113130319A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110048995.9
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/324
Abstract: 在方法中，制备包括具有不同热膨胀系数的两种或更多种材料的结构，并且对该结构进行低温处理。在前述和以下实施例中的一个或多个中，该结构包括半导体晶圆，并且一个或多个层形成在该半导体晶圆上。本申请的实施例还涉及制造半导体器件和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN105988307B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610135755.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体制造中的结构至少包括第一周期性的非对称的部件和第二周期性的非对称的部件。第一部件包含多个周期性分布的第一元件。第一部件具有第一非对称的轮廓，使得当第一部件旋转180度时，第一部件不再具有相同的第一非对称的轮廓。第二部件包含多个周期性分布的第二元件。第二部件具有第二非对称的轮廓，使得当第二部件旋转180度时，第二部件不再具有相同的第二非对称的轮廓。第二非对称的轮廓不同于第一非对称的轮廓。本发明的实施例还涉及用于预估曝光工艺的焦点和剂量的方法和装置。
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公开(公告)号：CN101271268B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810009312.3
申请日：2008-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/7075 , G03F1/44 , G03F7/705 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , G03F7/70675
Abstract: 本发明是关于一种微影对焦以及/或能量的最佳化方法及其系统，该方法和系统使用特别设计的光学关键尺寸图案。在接收一包含复数个光罩的晶圆后，可使用整合式量测系统测量光罩的关键尺寸、线路末端缩短以及复数个光罩的侧壁角度，在模拟光谱数据库中执行光谱分析以形成分析数据；该分析数据储存在光学关键尺寸数据库的复数个查询表格中，执行查询该些查询表格以决定晶圆的对焦或能量；本发明提供了一种可提供在线量测方法与系统，对焦或能量的量测可在临场进行量测；本发明可提供在光学关键尺寸数据库中较好的数据品质以及解析度，并且可根据分析的数据，提供早期错误警报，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。
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公开(公告)号：CN108226760A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711066881.7
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/311
CPC classification number: G01J3/28 , G01J3/2803 , G01J2003/2806 , G03F7/70616 , G03F7/70633 , G03F9/7065 , G01R31/311
Abstract: 一种覆盖量测方法，包括：利用多彩光束照亮覆盖目标；搜集与由多彩光束通过覆盖目标而产生的衍射光谱有关的强度信息，其中衍射光谱将多彩光束分离为多个衍射光束，衍射光束的每一者分别对应至多彩光束的一波长；以及根据与衍射光谱有关的强度信息产生覆盖信息，覆盖信息包括因不对称性而产生的覆盖误差。
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公开(公告)号：CN101241309B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200810004166.5
申请日：2008-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70516
Abstract: 本发明是有关于一种利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法，借此校准用于测量半导体元件特征的度量工具。利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法包括以下步骤：测量一第一间距；测量一第二间距，其中该第二间距自该第一间距偏移一间距偏移值；进行一比较该第一间距与该第二间距的比较步骤；以及依据该比较步骤判断度量准确度。经由前述比较，可采取适当的校准步骤，以缩短已知间距与测得间距之间的差距。本发明提供的方法，利用次纳米级间距偏移量，可有效校准度量工具至次纳米级。
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公开(公告)号：CN1808269A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510135407.6
申请日：2005-12-28
Applicant: 中国台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/027 , G05D23/00
CPC classification number: G05D23/24 , G05D23/1934
Abstract: 本发明提供一种制程控制方法及半导体制造方法，具体涉及一种利用具有加热区域的加热装置的制程控制方法。首先，指定一标的关键尺寸图。取得对应被在一基线设定下的加热装置进行处理的一基材的一基线关键尺寸图。取得对应被在一原始设定下的加热装置进行处理的一基材的一原始关键尺寸图。对于每一加热区域，取得对应被在一偏移的情况下的加热装置进行处理的一基材的一偏移关键尺寸图。加热装置的温度分布可以依据由基线关键尺寸图与标的关键尺寸图所定义的误差关键尺寸图、由原始关键尺寸图与偏移关键尺寸图所定义的基本函数、以及利用基本函数展开误差关键尺寸图的展开系数来进行调整。本发明改善了关键尺寸的一致性。
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公开(公告)号：CN108122799B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201710794558.5
申请日：2017-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开提供一种预测晶圆缺陷的方法，包括：接收从测试晶圆获得的缺陷数据。测试晶圆是依据集成电路设计布局而被制造。基于缺陷数据接收多个第一注意区域，第一注意区域个别对应集成电路设计布局的发生晶圆缺陷的区域。对第一注意区域执行频域分析。至少部分地基于频域分析，借此对集成电路设计布局的晶圆缺陷几率进行预测操作。
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公开(公告)号：CN108345177B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710060271.X
申请日：2017-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供层迭误差测量装置及方法。装置包括光源、光学系统、物镜及检测器。光源用于产生测量光。光学系统用于将测量光导引至物镜中。物镜用于将测量光导引至一层迭标记上，同时将从层迭标记绕射的正主极绕射光与负主极绕射光收集至物镜的光瞳面上。检测器设置于物镜的光瞳面上，用于检测前述正、负主极绕射光的光强度分布，并利用正、负主极绕射光的所述光强度分布相减而得到层迭标记的一层迭误差信号。其中，光学系统包括一光圈，其具有至少一透光区域，其位置、尺寸及/或形状根据层迭误差信号中的噪声的位置为可调变的。本公开提供的层迭误差测量装置能够改善层迭误差信号的品质，并可提高层迭误差检测的准确度。
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