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公开(公告)号：CN114709140A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110505952.9
申请日：2021-05-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/544
摘要： 通过在所述装置之间使用切割道来实现将被接合的衬底上形成的装置的对准，其中切割道的尺寸从衬底中的一者或多者的中心到边缘逐渐增加或减小，以补偿衬底的热膨胀率的差异。由于切割道的尺寸逐渐增加或减小，在接合操作期间，随着衬底被加热，衬底上的装置被对准。切割道能够在衬底中沿单个方向排列以补偿衬底沿着单个轴的热膨胀，或者能够沿多个方向排列以补偿辐射对称的热膨胀。
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公开(公告)号：CN113880039A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110747766.6
申请日：2021-07-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种微机电系统器件能够形成为在微机电系统器件的器件晶片的一或多个可移动微机电系统结构上包含抗静摩擦多晶硅层以降低、最小化及/或消除可移动微机电系统结构与微机电系统器件的其它组件或结构之间的静摩擦。抗静摩擦多晶硅层能够形成为使得抗静摩擦多晶硅层的表面粗糙度大于将与微机电系统器件的电路晶片接合的器件晶片的表面上的接合多晶硅层的表面粗糙度。抗静摩擦多晶硅层的较高表面粗糙度能够减小可移动微机电系统结构的底部的表面积，这能够降低一或多个可移动微机电系统结构将粘附到其它组件或结构的可能性。
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公开(公告)号：CN112687708A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010885422.7
申请日：2020-08-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 陈信宇 , 翁睿均 , 潘汉宗 , 张佑诚 , 黎俊朋 , 陈信桦 , 邱俊杰 , 刘彦江 , 许希丞 , 胡景翔 , 洪嘉骏 , 李佳烜 , 杜立扬 , 拉瓦亚·沙纳卡瓦拉普 , 吴威鼎 , 蒋季宏
IPC分类号： H01L27/146 , G06K9/00 , G02B27/30
摘要： 本公开实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法。在一实施例中，光学准直器包含：介电层；基底；以及多个通孔，其中介电层形成于基底上方，其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列，其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面，其中基底具有整体杂质掺杂浓度等于或大于1×1019cm‑3和第一厚度，且其中基底的整体杂质掺杂浓度和第一厚度被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
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公开(公告)号：CN112687709A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010905692.X
申请日：2020-09-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G06K9/00 , G02B27/30
摘要： 本申请实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法，该方法符合经济效益，制造用于接触式影像感测器的多功能准直器结构来过滤周围红外光，以减少噪声。在一实施例中，光学准直器包含介电层；基底；多个通孔；以及导电层，其中介电层形成于基底上方，其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列，其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面，且其中导电层形成于介电层的第一表面和多个通孔的每一者的侧壁的一部分的至少一者上方，且其中导电层被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
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