公开(公告)号：CN113946095B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202110179259.7

申请日：2021-02-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李国豪 ,  许希丞 ,  翁睿均 ,  潘汉宗 ,  陈信宇 ,  张佑诚

IPC分类号： G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F1/48

摘要： 提供一种光掩模组装件及其形成方法，所述方法包括：可在光掩模组装件的衬底的背侧上形成一个或多个盖层之前去除衬底的背侧上的缓冲层的一部分。可直接在衬底的从衬底去除缓冲层的背侧上形成一个或多个盖层，且可直接在一个或多个盖层上形成硬掩模层。一个或多个盖层可包含低应力材料以促进一个或多个盖层与衬底之间的粘着，且减少和/或最小化盖层从衬底的剥落和分层。这可降低损坏光掩模组装件的表膜层和/或其它组件的可能性，和/或可增加其中使用光掩模组装件的曝光工艺的产率。

公开(公告)号：CN113880039A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110747766.6

申请日：2021-07-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 许希丞 ,  李国豪 ,  翁睿均 ,  胡景翔 ,  蒋季宏 ,  拉瓦亚沙纳卡瓦拉普 ,  林家妤 ,  洪嘉骏 ,  李佳烜 ,  江煜培

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

摘要： 一种微机电系统器件能够形成为在微机电系统器件的器件晶片的一或多个可移动微机电系统结构上包含抗静摩擦多晶硅层以降低、最小化及/或消除可移动微机电系统结构与微机电系统器件的其它组件或结构之间的静摩擦。抗静摩擦多晶硅层能够形成为使得抗静摩擦多晶硅层的表面粗糙度大于将与微机电系统器件的电路晶片接合的器件晶片的表面上的接合多晶硅层的表面粗糙度。抗静摩擦多晶硅层的较高表面粗糙度能够减小可移动微机电系统结构的底部的表面积，这能够降低一或多个可移动微机电系统结构将粘附到其它组件或结构的可能性。

公开(公告)号：CN114709140A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202110505952.9

申请日：2021-05-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 许希丞 ,  翁睿均 ,  李国豪 ,  胡景翔 ,  蒋季宏 ,  林家妤 ,  洪嘉骏 ,  涂延杰 ,  苏健泰 ,  陈信宇

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/544

摘要： 通过在所述装置之间使用切割道来实现将被接合的衬底上形成的装置的对准，其中切割道的尺寸从衬底中的一者或多者的中心到边缘逐渐增加或减小，以补偿衬底的热膨胀率的差异。由于切割道的尺寸逐渐增加或减小，在接合操作期间，随着衬底被加热，衬底上的装置被对准。切割道能够在衬底中沿单个方向排列以补偿衬底沿着单个轴的热膨胀，或者能够沿多个方向排列以补偿辐射对称的热膨胀。

公开(公告)号：CN113946095A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110179259.7

申请日：2021-02-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李国豪 ,  许希丞 ,  翁睿均 ,  潘汉宗 ,  陈信宇 ,  张佑诚

IPC分类号： G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F1/48

摘要： 提供一种光掩模组装件及其形成方法，所述方法包括：可在光掩模组装件的衬底的背侧上形成一个或多个盖层之前去除衬底的背侧上的缓冲层的一部分。可直接在衬底的从衬底去除缓冲层的背侧上形成一个或多个盖层，且可直接在一个或多个盖层上形成硬掩模层。一个或多个盖层可包含低应力材料以促进一个或多个盖层与衬底之间的粘着，且减少和/或最小化盖层从衬底的剥落和分层。这可降低损坏光掩模组装件的表膜层和/或其它组件的可能性，和/或可增加其中使用光掩模组装件的曝光工艺的产率。

公开(公告)号：CN113741141A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202111062408.8

申请日：2021-09-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李国豪 ,  张佑诚 ,  潘汉宗 ,  翁睿均 ,  钟久华 ,  林生元 ,  陈信宇

IPC分类号： G03F1/64

摘要： 一种光掩模总成可被形成为使得在光掩模总成的护膜框架中形成应力释放沟槽。应力释放沟槽可减少或防止原本可因护膜发生变形所导致的护膜的损坏。应力释放沟槽可形成在护膜框架的区域中，以使得护膜框架能够与护膜一起变形，从而减少护膜框架对护膜造成的损坏量。